對(duì)于有些金屬, 我們很難使用蝕刻 Etching 方式來(lái)完成想要的電路圖案 Circuit Pattern 時(shí), 就可以采用 Lift-Off 工藝來(lái)做出想要的金屬圖案. 在此過(guò)程中, 電子束蒸發(fā)于在基板表面上沉積所需的薄膜層于犧牲層與基材上, 最終再洗去犧牲層, 以得到其電路圖案.

Lift-Off工藝步驟:

1. 準(zhǔn)備基板 2. 犧牲薄膜層的沉積 3. 對(duì)犧牲層進(jìn)行圖案化 (例如蝕刻), 以形成反向圖案 4. 沉積目標(biāo)材料 5. 洗去犧牲層以及目標(biāo)材料的表面 6. 最終圖案層： ①基材 ②犧牲層 ③目標(biāo)材料

上海伯東代理剝離成形電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 Lift-Off E-beam 精確控制真空壓力, 電子束源與基板的拋射距離, 基板溫度, 電子束源溫度, 并控制涂層直接對(duì)準(zhǔn)與法向偏差角小于 5度, 以滿(mǎn)足剝離過(guò)程的要求; 因?yàn)榫珳?zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 因此薄膜厚度和均勻度皆小于 ±3％, 上海伯東剝離成形電子束蒸鍍?cè)O(shè)備客制化的基板尺寸, 最大直徑可達(dá) 12寸晶圓, 腔體的極限真空度約為 10-8 Torr.

上海伯東剝離成形電子束設(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn)
客制化的基板尺寸, 最大直徑可達(dá) 12寸晶圓
薄膜均勻度 小于±3％
水冷坩堝的多組坩鍋旋轉(zhuǎn)電子束源 (1/2/4/6坩堝)
自動(dòng)鍍膜系統(tǒng)
具有順序操作或共沉積的多個(gè)電子束源
基板具有冷卻 (液態(tài)氮溫度低至-70°C)功能

腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
腔體最高可至 650 mm
腔體的極限真空度約為 10-8 Torr

選件
可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起

應(yīng)用領(lǐng)域
Lift-Off 制程

對(duì)傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)的材料蒸發(fā), 可采用電子束蒸發(fā)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn). 不同于傳統(tǒng)的輻射加熱和電阻絲加熱, 高能電子束轟擊可實(shí)現(xiàn)超過(guò) 3000℃ 的局域高溫, 這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發(fā)出來(lái), 甚至是高熔點(diǎn)的材料, 例如, Pt, W, Mo, Ta 以及一些氧化物, 陶瓷材料等. 上海伯東代理的電子束蒸發(fā)源可承載 1-6種不同的材料, 實(shí)現(xiàn)多層膜工藝; 蒸發(fā)源本身防污染設(shè)計(jì), 使得不同材料之間的交叉污染降到最低.

審核編輯 ：李倩