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怎么解決SiC MOSFET的橋臂串擾?

h1654155282.3538 ? 來源:新能源汽車動力系統(tǒng)技術 ? 作者:新能源汽車動力系 ? 2021-05-15 15:00 ? 次閱讀
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SiCmosfet三相全橋逆變電路中,同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾,該現(xiàn)象稱為橋臂串擾。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功率器件。SiCMOSFET與SiIGBT相比,SiCMOSFET的柵極電壓極限值和柵極閾值電壓都相對較低,橋臂串擾問題更加突出。在考慮SiCMOSFET寄生參數(shù)的影響下。

o4YBAGCfccqAfWALAACzfeUGtew835.png

pIYBAGCfcdCAWhODAAErFvOhd2I332.png

1)開通過程

pIYBAGCfcdiAABFfAAFZE7iZalk708.png

2)關斷過程

o4YBAGCfceGANOhdAAGKsdDyTX8110.png

串擾電壓分析:

pIYBAGCfceiAGlaaAAFNieaOPTI167.png

抑制方法:

1)AMC;

2)驅動電源穩(wěn)負壓;

3)門極TVS、二極管鉗位;
責任編輯人:CC

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