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PHEMT是對(duì)高電子遷移率晶體管(HEMT)的一種改進(jìn)結(jié)構(gòu),也稱為贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PMODFET)。雖然普通結(jié)構(gòu)的HEMT具有很好的高頻、高速性能,但是也存在有一個(gè)很大的問(wèn)題,那就是其性能的溫度穩(wěn)定性較差。
具有旁路模式的 40 MHz 至 1 G 中帶 1805 至 2170 MHz 低 850 至 920 MHz、19 dBm 700 至 800 MHz、19 dBm 2110 至 2170 MHz 線性功率 851 至 894 MHz 線性功率放大 758 至 803 MHz 線性功率放大 1930 至 1995 MHz 線性功率 1805 至 1880 MHz 高效 4 800 至 900 MHz 高效 4 W 5 GHz、23dBm 功率放大器,帶功 高功率 ( 19 dBm) 802.11
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