基于STLINK-V3PWR數(shù)據(jù)手冊的電源測量單元與調(diào)試器技術解析

STMicroelectronics STLINK-V3PWR源測量單元（SMU）和調(diào)試器/編程器（適用于STM32）設計用于在STM32應用中同步代碼...

2025-10-25 標簽：編程器SMU調(diào)試器 801 0

浮思特 | LEM SMU系列電流傳感器，車規(guī)級電流測量新選擇

在電動汽車飛速發(fā)展的今天，高壓系統(tǒng)(400V、800V)已成為行業(yè)主流，對電流測量的精度與可靠性提出了更高要求。而電池、電驅(qū)和電控系統(tǒng)的安全與性能，越來...

2025-09-18 標簽：測量SMU電流傳感器 762 0

面向高電容連接的低電流I-V表征測試方案

源測量單元（SMU）可同時輸出和測量電壓、電流，廣泛用于器件與材料的I-V特性表征，尤其擅長低電流測量。在測試系統(tǒng)中存在長電纜或高寄生電容的情況下，部分...

2025-06-04 標簽：OLED電纜SMU 801 0

深入解析TC3xx芯片中的SMU模塊應用

SMU_CORE 和 SMU_Stdby 的設計方式和時間安排各不相同。SMU 的兩個部分之間存在物理隔離。它們位于不同的時鐘和電源域中。這允許 SMU...

2024-02-27 標簽：微控制器寄存器路由器 7.3k 0

如何用半導體參數(shù)分析儀進行斜坡法準靜態(tài)C-V測量？

電容電壓（C-V）測量通常采用交流測量技術。而一些電容測量需要直流測量技術，被稱為準靜態(tài)C-V（或QSCV）測量，因為它們是在非常低的測試頻率下進行的，...

2024-02-22 標簽：半導體前置放大器SMU 2.3k 0

英飛凌TC3xx系列安全管理單元的使用

本篇文檔主要用來介紹英飛凌基于AURIX-2G TriCore 1.6.2架構的 TC3xx系列安全管理單元的使用。

2023-12-07 標簽：英飛凌mcu安全管理 4.1k 0

數(shù)字源表如何選型？不如來下文“挖一挖”

數(shù)字源表也稱為源測量單元(SMU),集數(shù)字萬用表、電壓源、電流源、電子負載以及脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器等功能于一體，同時可精確限流保護器件不受損壞。在功率...

2023-06-08 標簽：脈沖發(fā)生器SMU數(shù)字源表 1.2k 0

【技術大咖測試筆記系列】之九：新型SMU克服低電流容性設置的棘手測試挑戰(zhàn)

與其他靈敏的SMU相比，新推出的Keithley 4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU （選配4200-PA前置放大器）大幅度提...

2021-11-23 標簽：前置放大器OLED平板顯示器 2.3k 0

【當代材料電學測試】系列之四：寬禁帶材料測試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。

2021-03-26 標簽：萬用表SiCGaN 1.3k 0

再獲殊榮！普賽斯儀表榮獲2024年國產(chǎn)測試測量行業(yè)卓越獎

12月7日，第十五屆亞洲電源技術發(fā)展論壇在深圳盛大召開，此次論壇匯聚了來自電源領域的國內(nèi)外頂尖技術專家和產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，共同探討行業(yè)動態(tài)及新技術趨勢。...

2024-12-10 標簽：測量SMU數(shù)字源表 1.1k 0

喜報！武漢普賽斯獲批2024年湖北省工程研究中心

近日，湖北省發(fā)展和改革委員會印發(fā)了《關于公布2024年湖北省工程研究中心認定名單的通知》（鄂發(fā)改高技〔2024〕357號），武漢普賽斯電子股份有限公司（...

2024-12-10 標簽：SMU數(shù)字源表測試設備 1k 0

山東理工大學物電學院攜手普賽斯儀表共建半導體物理實驗室！

在創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略下，為進一步加強高等教育與產(chǎn)業(yè)的深度融合，促進科技成果轉化與人才培養(yǎng)質(zhì)量的雙重提升，山東理工大學物理與光電工程學院與武漢普賽斯儀表有限...

2024-08-21 標簽：半導體SMU數(shù)字源表 1.7k 0

普賽斯儀表攜功率半導體電性能表征一站式解決方案亮相慕尼黑上海電子展!

7月8日，2024慕尼黑上海電子展在上海新國際博覽中心開幕，本屆展會以新能源汽車、儲能、智能駕駛、衛(wèi)星通信、機器人、可穿戴、智能建筑、邊緣智能、智慧電源...

2024-08-14 標簽：半導體SMU數(shù)字源表 882 0

SMU數(shù)字源表測試IC芯片電性能方案

芯片測試作為芯片設計、生產(chǎn)、封裝、測試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過對待測器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測，區(qū)別缺陷、驗證器件...

2024-05-13 標簽：SMU數(shù)字源表IC芯片 1.3k 0

如何用SMU數(shù)字源表簡化晶體管的iv性能

晶體管特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常晶體管特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。...

2024-03-13 標簽：晶體管SMU數(shù)字源表 1.1k 0

SMU數(shù)字源表IV掃描測試納米材料電性能方案

納米材料及器件作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和高新技術產(chǎn)業(yè)，是促進產(chǎn)業(yè)轉型升級和高質(zhì)量發(fā)展的重要支柱之一。普賽斯數(shù)字源表具有測試精度高、微弱信號檢測能力強的特點，可...

2024-03-05 標簽：測試SMU數(shù)字源表 1.5k 0

薄膜材料電阻率與霍爾遷移率測試詳解

薄膜作為一種重要的材料形態(tài)，在各個領域中都有著廣泛的應用。

2024-01-04 標簽：集成電路SMU薄膜電阻 2k 0

國產(chǎn)源表的優(yōu)勢和應用前景分析：聯(lián)訊儀器參數(shù)對比

在電子測試和測量領域，源表是重要的工具，無法或缺。國產(chǎn)源表如聯(lián)訊儀器S3022F和S3012H在性能和功能方面已經(jīng)能夠與進口源表相媲美。 首先，進口源...

2023-07-19 標簽：測量SMU源表 3.7k 2