標(biāo)簽 > 硅二極管
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硅二極管死區(qū)電壓約0.5伏,鍺的0.1伏,正向壓降硅0.6~0.7伏,鍺0.2~0.3伏,硅反向電流小,耐壓高,鍺相反。
具有旁路模式的 40 MHz 至 1 G 中帶 1805 至 2170 MHz 低 850 至 920 MHz、19 dBm 700 至 800 MHz、19 dBm 2110 至 2170 MHz 線性功率 851 至 894 MHz 線性功率放大 758 至 803 MHz 線性功率放大 1930 至 1995 MHz 線性功率 1805 至 1880 MHz 高效 4 800 至 900 MHz 高效 4 W 5 GHz、23dBm 功率放大器,帶功 高功率 ( 19 dBm) 802.11
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