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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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芯片的種類五花八門,今天跟大家介紹一種與我們的生活息息相關的芯片IGBT(絕緣柵雙極晶體管 Insulated-gate bipolar transis...
IGCT是在晶閘管技術的基礎上結合IGBT和GTO等技術開發(fā)的新型器件,適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中,是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。
DO-254為機載電子系統(tǒng)的設計保證定義了5個等級
DO-254主體中的指南(章節(jié)1到11)是為電子硬件設計保證等級C所寫的。DO-254通過附錄B提供更高的設計保證等級(A和B),包括附加的驗證相關的活...
2021-03-04 標簽:電子系統(tǒng)半導體器件DO-254 7.6k 0
Nexperia計劃提高全球產量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長的功率半導體需求
通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長的功率半導體需求并提升GaN工藝技術; 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...
SOI國際產業(yè)聯(lián)盟加入SEMI,成為策略合作伙伴
SOI國際產業(yè)聯(lián)盟將繼續(xù)履行其使命,加速SOI行業(yè)的發(fā)展,并為成員帶來新的商機。
溫度變化對半導體器件的影響:構成雙極型半導體器件的基本單元P-N結對溫度的變化很敏感,當P-N結反向偏置時,由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響...
找出三極管的基極后,我們就可以根據(jù)基極與另外兩個電極之間pn結的方向來確定管子的導電類型。將萬用表的黑表筆接觸基極,紅表筆接觸另外兩個電極中的任一電極...
旭宇光電成立于2011年,專業(yè)從事全波段(255nm-1600nm)半導體器件封裝研發(fā)、制造、銷售和服務。其LED產品廣泛應用于家居照明、商業(yè)照明、工業(yè)...
用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其...
先前的研究表明,所謂的量子級聯(lián)激光器可能會彌合這一鴻溝。這些器件的核心是由具有不同導電率的半導體材料交替層組成的晶圓。當帶電時,電子仍被限制在兩個更具導...
對于半導體器件而言,航空航天領域的門檻很高,這也讓朝微電子享受了這個領域發(fā)展的紅利。目前,航空航天主要掌握在科研機構和軍工集團下屬單位,隨著國內該領域對...
在此背景下,作為一家為軍工集團、科研院所提供半導體分立器件和電源的公司,朝陽微電子科技股份有限公司(簡稱“朝微電子”)為升級分立器件/集成電路生產線,朝...
對半導體器件最關鍵的硅材料皆從4%的基準稅率朝零關稅發(fā)展,而電子工業(yè)用直徑在7.5厘米到30厘米范圍內的單晶硅棒只會降至3%的稅率。對半導體器件封裝材料...
芯聞精選:發(fā)力碳化硅半導體器件,致瞻科技完成Pre-A輪融資
碳化硅半導體器件供應商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日,毅達資本在官方微信宣布,已完成對致瞻科技的投資。依托核心團隊10余年的碳化硅功...
EDA需由點及面突破 國產EDA軟件產業(yè)逐漸實現(xiàn)點工具從0到1的突破
如今芯片已經大步走進5nm制程的時代,在一塊指甲蓋大小的芯片上,要集成上百億顆晶體管,想要在這樣微小的面積上實現(xiàn)復雜且精密的布局,EDA工具是其中的關鍵...
這些器件表現(xiàn)出了優(yōu)異的特性:晶體管器件密度可達 1518 個 / 平方厘米,成品率高達 97%,是目前已報道結果中最高指標;單個器件也表現(xiàn)出較好的電學性...
NS Nanotech宣布,它已經突破了半導體器件設計的主要障礙
NS納米技術公司的新型氮化物半導體芯片是首款能發(fā)射波長200至222納米的遠紫外光的固態(tài)器件。第三方研究表明,在這個波長范圍內發(fā)射的隱形消毒光可以中和9...
在目前的中美貿易摩擦下,電子產業(yè)首當其沖,特別是芯片產業(yè),據(jù)業(yè)內人士透露,現(xiàn)在跟美國的公司交易,周期一般都特別長,而且基本都需要提前付款和面臨各種各樣的審查。
西電郝躍院士團隊實現(xiàn)硅與GaN器件的晶圓級單片異質集成
氮化鎵高功率器件在電力電子領域中受到越來越多的關注,在汽車電子、機電控制、光伏產業(yè)和各類電源系統(tǒng)中得到越來越多的應用。電力電子器件更加需要常關態(tài)增強型氮...
碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場等優(yōu)勢,是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質半導體材料。
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