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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定理的發(fā)展,集成電路的密度將越來(lái)越高,且尺寸越來(lái)越小。所有芯片工作時(shí)都會(huì)發(fā)熱,熱量的累積必導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度的升高,隨著結(jié)點(diǎn)溫度提高
公開(kāi)資料顯示,功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 612 0
電阻線(xiàn)或電阻膜在制備過(guò)程中都會(huì)承受機(jī)械應(yīng)力,使其內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變,線(xiàn)徑愈小或膜層愈薄,應(yīng)力影響愈顯著。一般可采用熱處理方法消除內(nèi)應(yīng)力,殘余內(nèi)應(yīng)力則可能在...
根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...
2023-04-25 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2.5k 0
柔性直流輸電是一種通過(guò)高壓直流電纜將電能從輸電端點(diǎn)傳輸?shù)浇邮斩它c(diǎn)的技術(shù)。其基本原理是利用半導(dǎo)體器件,將交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能,再通過(guò)直流電纜將電能傳輸?shù)?..
2023-04-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件柔性直流輸電直流電纜 2.1k 0
手機(jī)SOI開(kāi)關(guān)不可忽視的射頻開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)
目前手機(jī)中應(yīng)用最廣泛的是半導(dǎo)體器件開(kāi)關(guān),如RF-SOI開(kāi)關(guān),pHEMT開(kāi)關(guān)等。這些半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的功能與普通的電氣開(kāi)關(guān)相同,符號(hào)表示也一致。
二極管是一種半導(dǎo)體器件,是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì),只能讓電流在一個(gè)方向上流動(dòng)。
2023-04-17 標(biāo)簽:二極管電子電路半導(dǎo)體器件 3.4k 0
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻...
關(guān)于半導(dǎo)體制造的封裝技術(shù)和分布情況
任何低于90%的成品率都是有問(wèn)題的。但芯片制造商只有通過(guò)反復(fù)吸取昂貴的教訓(xùn),在此基礎(chǔ)上不斷提高對(duì)芯片制造的認(rèn)識(shí),才能超越這個(gè)90%成品率的水平線(xiàn)。
2023-04-14 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓芯片設(shè)計(jì) 915 0
IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類(lèi)型,其中新能源汽車(chē)、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和...
2023-04-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導(dǎo)體 3.2k 0
Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹
功率電子器件在電力存儲(chǔ),電力輸送,電動(dòng)汽車(chē),電力機(jī)車(chē)等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
2023-04-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiCDBC 8.3k 0
頻譜儀的非線(xiàn)性特性 二/三極管等半導(dǎo)體器件屬于非線(xiàn)性器件,從而才可以用于實(shí)現(xiàn)放大、變頻和檢波等功能。混; 頻器通常由_極管實(shí)現(xiàn),...
2023-04-01 標(biāo)簽:頻譜分析頻譜半導(dǎo)體器件 642 0
三極管,全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶...
單相調(diào)壓器的使用方法可以直接把半導(dǎo)體器件連接在電源和負(fù)載中間使用,我們只需要調(diào)整到我們需要的負(fù)載上的電壓電流的功率即可使用。同時(shí),在使用安裝時(shí)應(yīng)該裝上配...
2023-03-30 標(biāo)簽:電路板調(diào)壓器半導(dǎo)體器件 3.3k 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2.5k 0
移動(dòng)通信技術(shù)毫米波系統(tǒng)和器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
新一代毫米波無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)技術(shù)主要包括工作于毫米波頻段的大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)架構(gòu)、波束成形芯片、基站( BS )和用戶(hù)終端(UT )的天線(xiàn)、系統(tǒng)測(cè)量和校...
2023-03-29 標(biāo)簽:混合信號(hào)無(wú)線(xiàn)通信半導(dǎo)體器件 1.8k 0
毫米波無(wú)線(xiàn)通信半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
一般認(rèn)為第五代移動(dòng)通信技術(shù)(5G )將部署電磁頻譜的毫米波頻段,第六代移動(dòng)通信技術(shù)(6G )將開(kāi)發(fā)利用太赫茲(0.1~10THz )頻段。5G和6G 回...
2023-03-27 標(biāo)簽:移動(dòng)通信半導(dǎo)體器件毫米波 2k 0
隨著半導(dǎo)體器件向著微型化、髙度集成化及高功率密度方向發(fā)展,其發(fā)熱量急劇增大,熱失效已經(jīng)成為阻礙微電子封裝器件性能和壽命的首要問(wèn)題。
2023-03-25 標(biāo)簽:散熱器Tim半導(dǎo)體器件 3.1k 0
如何在FLOEFD中查看風(fēng)扇工作點(diǎn)?
在產(chǎn)品散熱設(shè)計(jì)時(shí)需要查看風(fēng)扇的工作點(diǎn)是否合理,F(xiàn)LOEFD在計(jì)算完成之后,可以直接查看風(fēng)扇工作狀態(tài)點(diǎn)。
2023-03-20 標(biāo)簽:EDA工具半導(dǎo)體器件CAE 2.7k 0
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。
2023-03-17 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFETIGBT 4.4k 0
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