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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體制造
半導(dǎo)體制造,是用于制造半導(dǎo)體器件的過程,通常是日常電氣和電子設(shè)備中使用的集成電路(IC)芯片中使用的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)器件。
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用于碳化硅的Aehr測試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進(jìn)行物...
2023-04-04 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造 1.8k 0
臺積電將帶來全球第一個(gè)2D納米片晶體管,預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
對與更先進(jìn)的2nm制程,臺積電早在2019年就宣布對此研發(fā)。 去年,在5nm量產(chǎn)不久后,臺積電宣布2nm制程取得重大突破——切入環(huán)繞式柵極技術(shù) (gat...
2023-02-16 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體制造 2.6k 0
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)...
2023-02-10 標(biāo)簽:無線通信氮化鎵半導(dǎo)體制造 2.6k 0
設(shè)備功能:將兩片晶圓互相結(jié)合,并使表面原子互相反應(yīng),產(chǎn)生共價(jià)鍵合,合二為一,是實(shí)現(xiàn)3D晶圓堆疊的重要設(shè)備。
2023-02-07 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造 4.1k 0
硅錠生長是一個(gè)將多晶硅制成單晶硅的工序,將多晶硅加熱成液體后,精密控制熱環(huán)境,成長為高品質(zhì)的單晶。
2023-02-01 標(biāo)簽:硅片功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 9.9k 0
在后道制程階段,晶圓(正面已布好電路的硅片)在后續(xù)劃片、壓焊和封裝之前需要進(jìn)行背面減?。╞ackthinning)加工以降低封裝貼裝高度,減小芯片封裝體...
2023-01-29 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造 7.9k 0
半導(dǎo)體的制造工序介紹 干法刻蝕設(shè)備溫度控制原理
清洗硅晶片,在其上形成諸如金屬或絕緣膜的薄膜,并且通過光刻形成用于電路圖案的抗蝕劑掩模。然后,通過干法蝕刻進(jìn)行實(shí)際加工,去除并清洗不需要的抗蝕劑,并檢查...
2023-01-05 標(biāo)簽:冷水機(jī)半導(dǎo)體制造自動(dòng)駕駛 4.7k 0
半導(dǎo)體封裝的基本定義和內(nèi)涵 電子封裝的工程的六個(gè)階段
半導(dǎo)體器件制作工藝分為前道和后道工序,晶圓制造和測試被稱為前道(Front End)工序,而芯片的封裝、測試及成品入庫則被稱為后道(Back End)工...
2022-12-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體工藝 4.7k 0
熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度,...
2022-12-12 標(biāo)簽:等離子體工藝半導(dǎo)體制造 2.5k 0
清洗質(zhì)量的好壞將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性,國內(nèi)外各大公司、研究機(jī)構(gòu)等對清洗工藝的研究從未停止,但一些特殊問題仍未得到徹底解決。
2022-12-08 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造 4.9k 0
半導(dǎo)體制造在patterning的挑戰(zhàn) OPC模型的基本原理
在半導(dǎo)體制造,是一個(gè)不斷向前快速發(fā)展推進(jìn)的領(lǐng)域。我們通常聽到的從14nm技術(shù)到7 nm技術(shù)指的就是的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步。
2022-11-25 標(biāo)簽:OPC半導(dǎo)體制造 5.2k 0
新一代邏輯半導(dǎo)體制造技術(shù), 工藝目標(biāo)瞄準(zhǔn)2nm
據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,這次成立的公司由日本東京電氣(Tokyo Electro,全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠)的前社長東哲郎等人主導(dǎo), 吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NE...
2022-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造2nm 908 0
半導(dǎo)體測試設(shè)備行業(yè)深度報(bào)告(2022)
從所處環(huán)節(jié)看,半導(dǎo)體檢測設(shè)備從設(shè)計(jì)驗(yàn)證到最終測試均不可或缺,貫穿整個(gè)半導(dǎo)體制造過程,半導(dǎo)體集成度提升、小型化、產(chǎn)品門類增加以及需求量增大對檢測設(shè)備技術(shù)提...
2022-09-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體測試 2.7k 1
美國國會授權(quán)被稱為芯片法案的計(jì)劃,美半導(dǎo)體領(lǐng)域地位或迎新機(jī)遇
計(jì)量學(xué)是我們應(yīng)對半導(dǎo)體制造商所面臨挑戰(zhàn)的能力的基礎(chǔ)。進(jìn)行投資今天計(jì)量能力的提高將為未來的技術(shù)需求提供保障,并支持美國在下一代微電子領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。加快研...
2022-09-05 標(biāo)簽:晶體管微電子半導(dǎo)體制造 921 0
UCIe技術(shù):實(shí)現(xiàn)Chiplets封裝集成的動(dòng)機(jī)
實(shí)現(xiàn)Chiplets封裝集成的動(dòng)機(jī)有很多。為了滿足不斷增長的性能需求,芯片面積不斷增加,有些設(shè)計(jì)甚至?xí)鲅谀0婷娣e的限制,比如具有數(shù)百個(gè)核心的多核 C...
2022-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造3D封裝chiplet 1.3k 0
傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)過程的問題在于它只允許噴射稀薄的墨水,然后由于它們的高流體含量而被壓平在基材上。驅(qū)動(dòng)的液滴不小于噴射它們的噴嘴的尺寸。這種傳統(tǒng)的推動(dòng)概念在物理上...
2022-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造3D打印 3k 0
在晶圓上完成電路圖的光刻后,就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點(diǎn)需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。
2021-07-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體制造 1.4萬 0
實(shí)現(xiàn)具有更高擊穿電壓和更低待機(jī)電流的離線輔助PSU電源裝置
隨著半導(dǎo)體制造工藝向更高集成度和更穩(wěn)健方向發(fā)展,這一總趨勢使得器件制造商能夠開發(fā)出單芯片解決方案來實(shí)現(xiàn)離線功率轉(zhuǎn)換。
2020-11-19 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 1.4k 0
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