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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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UCC24610 次級(jí)側(cè)同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
這款 GREEN 整流器控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于用于低壓次級(jí)側(cè)同步整流的標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器...
2025-03-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器整流器 748 0
在研究逆變電路的損耗時(shí),所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性,同時(shí)還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開(kāi)關(guān)...
2025-03-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器仿真功率器件 1.5k 0
UCC24630 具有超低待機(jī)電流的同步整流控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC24630 SR 控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動(dòng)器,用于用于次級(jí)側(cè)同步整流的 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器和 MOSFET 的...
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路功率器件 3.9萬(wàn) 0
金屬基板 | 全球領(lǐng)先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案
DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問(wèn)題提升產(chǎn)品良率及...
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,儲(chǔ)能PCS的效率、...
DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問(wèn)題
引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述
拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問(wèn)題沒(méi)找到答案。有...
GaN Systems易于驅(qū)動(dòng)的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解
GaN Systems易于驅(qū)動(dòng)的GaN功率器件技術(shù)文檔
隨著5G時(shí)代的到來(lái),電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展,對(duì)于大功率器件的封裝,如IGBT、MOS、大功率LED等,也相應(yīng)地對(duì)焊接材料提出了更高...
2025-02-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體封裝回流焊 1.5k 0
具有集成驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無(wú)引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無(wú)引腳(QFN)封裝中實(shí)現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
2025-02-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 855 0
技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器
UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過(guò)實(shí)現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...
超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性
#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#在全負(fù)載范圍內(nèi),相比傳統(tǒng)功率器件,超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。...
過(guò)去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí),不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤,這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂。為此,在本文中,...
新潔能車規(guī)級(jí)PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹
在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計(jì)的重要方向。車規(guī)級(jí) PDFN5*6 雙面散熱產(chǎn)品,以其優(yōu)異的散熱性能和緊湊的封...
華大九天Empyrean Polas工具解決功率設(shè)計(jì)難題
華大九天推出的Empyrean Polas工具,憑借其先進(jìn)的3D場(chǎng)求解器提取算法,成功突破了傳統(tǒng)RC參數(shù)提取方法的瓶頸,特別是在處理PMIC設(shè)計(jì)中的電源...
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家...
2025-02-07 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體功率器件 1.4k 0
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