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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點,被廣泛應用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場規(guī)模分析
功率半導體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實現(xiàn)電能的變換或控制...
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導體功率器件入手,全面了解半導體的“前世今生”。
IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
工藝平臺涵蓋超高壓、車載、先進工業(yè)控制和消費類功率器件及模組,以及車載、工業(yè)、消費類傳感器,應用領(lǐng)域覆蓋智能電網(wǎng)、新能源汽車、風力發(fā)電、光伏儲能、消費電...
IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導體器件,具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點,廣泛應用于...
高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲中,尤其是輕負荷條件下具有較大改進,令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比,其...
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...
浩寶推出IGBT功率半導體無空洞、高可靠真空焊接設(shè)備
隨著全球新能源的發(fā)展,功率半導體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
在新能源汽車終端市場中,隨著SiC材料價格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增長,來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。
2023-08-27 標簽:新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 4.7k 0
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