有源選址平板顯示（AMFPD）技術(shù)的基礎(chǔ)，

　　發(fā)展歷程的比較［4］

　　是以 TFT 為器件單位構(gòu)建的大面積薄膜集成電路，它包括選址電路和周邊驅(qū)動(dòng)集成

　　電路［5］，正如圖 3 所顯示的那樣。該結(jié)果采用的是多晶硅薄膜晶體管（poly-Si TFT）的技術(shù)。多晶硅材料是由日本夏普和半導(dǎo)體能源實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合開發(fā)成功的連續(xù)晶粒技術(shù)。鑒于 poly-Si 的高遷移率能力，故可將周

　　邊驅(qū)動(dòng)電路與圖象選址電路集成于一 （a （b）

　　體、構(gòu)建全集成型 SOP-LCD，甚至將

　　CPU 亦集成于其中。因此我們說有源

　　選址平板顯示的技術(shù)特色，是屬于薄膜微電子學(xué)的范疇。綜合分析先進(jìn)的有源選址的顯示屏（無論是 LCD 還是 OLED）都離不開起開關(guān)（或驅(qū)動(dòng)）作用的 TFT。而 TFT 的結(jié)構(gòu)和工作原理與單晶硅 MOS 管基本相似。這就使得可以借鑒 MOS 器件的某些技術(shù)，然而它們有源材料的不同，又帶給 TFT 自身獨(dú)有的特點(diǎn)：

　　它的優(yōu)點(diǎn)是：非晶硅材料，易于大面積、均勻、低溫制備；可選用連續(xù)沉積，自動(dòng)化程度高；進(jìn)而成本低。這正是 AM-LCD 的發(fā)展，能夠遵從第二個(gè)“摩爾”定律那樣，使產(chǎn)業(yè)化的母板尺寸，幾乎也是每?jī)赡昃湍芊环?/p>

　　然而它的缺點(diǎn)也是很明顯的：

　　⑴ TFT-LCD 制備在一種外來的非硅襯底之上，如玻璃，塑料等，這些襯底與硅結(jié)構(gòu)的差異，導(dǎo)致生長的材料是一種原子排列為無序網(wǎng)絡(luò)式的非晶態(tài)或者微晶態(tài)的結(jié)構(gòu)，因此它的性能顯然會(huì)比單晶硅差的很多，就遷移率來說，可差到兩至三個(gè)量級(jí)。如此低劣的性能，在工藝技術(shù)以及器件設(shè)計(jì)上，需要賦予足夠的智力。

　　⑵ 硅基薄膜材料的結(jié)構(gòu)無序化，使得描述器件的物理模型，與單晶硅器件的模型相差甚遠(yuǎn)，

　　
　可以借鑒一些概念，但是不能照搬，必須建立薄膜器件自己的模型以及制備規(guī)則。

　?、?隨母板尺寸的不斷升級(jí)，出現(xiàn)了大尺寸帶來的新的問題，如相應(yīng)大小加工設(shè)備的制造問題；襯底加工過程中受溫的形變、大面積自身重力導(dǎo)致的形變等不均勻問題，大面積系統(tǒng)沉積的均勻問題（如薄膜沉積過程中引入的應(yīng)力導(dǎo)致襯底最大 6mm 的形變［6］，參見圖 4）；搬運(yùn)過程中的其他問題，都將隨尺寸的增大問題越多，越來越顯現(xiàn)，圖 4 僅是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的示例（未計(jì)入重力問題）。