--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- N/P N+N
- BVdss 30V
- ID 40A
- Vgs ±20V
- Vth 1.6V
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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中科微電ZK30N100G2025-10-17 10:46
產(chǎn)品型號:ZK30N100G V DSS:30 V GS (th)_:1.5 典型導(dǎo)通電阻:3.8 -
中科微電ZK30N100T2025-10-17 10:28
產(chǎn)品型號:ZK30N100T 耐壓:280V 輸入邏輯兼容:5V、3.3V 封裝:SOP8 -
中科微電ZK21312025-10-17 10:10
產(chǎn)品型號:ZK2131 耐壓:280V 輸入邏輯兼容:5V/3.3V 封裝:SOP8 -
中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A2025-10-15 17:55
產(chǎn)品型號:ZK30N100G BVdss:30V ID:90A Typ:3.4 Vgs:±20 -
中科微電ZK30N140T 30V 140A2025-10-15 17:45
產(chǎn)品型號:ZK30N140T BVdss:30V ID:140A Vgs:±20 Typ:1.64 -
中科微電mos管ZK60N20DG2025-09-30 11:20
產(chǎn)品型號:ZK60N20DG BVdss:60V ID:20A Vgs:±20 Typ:27 -
中科微電mos管ZK30N100Q2025-09-30 11:13
產(chǎn)品型號:ZK30N100Q BVdss:30V ID:90A Vgs:±20 Typ:3.6 -
中科微電MOS管ZK60N20DS2025-09-30 10:59
產(chǎn)品型號:ZK60N20DS BVdss:60V ID:20A Vgs:±20 Typ:29 -
中科微電ZK60G270G CLIP SGT車規(guī)級2025-09-25 09:30
產(chǎn)品型號:ZK60G270G 封裝:PDFN5x6 批次:2025+ BVDSS:60V Id:270A -
中科微電ZK100G325TL2025-09-22 14:17
產(chǎn)品型號:ZK100G325TL BVdss:100 ID:411 Vgs:±20 電阻:0.98
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深度解析場效應(yīng)管ZK60N50T:參數(shù)、特性與應(yīng)用場景2025-10-27 14:36
在電力電子領(lǐng)域,場效應(yīng)管(MOSFET)作為核心開關(guān)器件,其性能直接決定了整機系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET,憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與穩(wěn)定的工作特性,在工業(yè)控制、新能源、消費電子等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。本文將從參數(shù)解讀、封裝優(yōu)勢、技術(shù)特點及應(yīng)用場景四個維度,全面剖析ZK60N50T的核心價值,為工程師選型與電路設(shè)0瀏覽量 -
中科微電ZK60G270G:車規(guī)級MOSFET中低壓場景的性能標(biāo)桿2025-10-27 14:18
在汽車電子的中低壓功率控制領(lǐng)域,從電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)到智能水泵、風(fēng)機系統(tǒng),對器件的可靠性、效率與電流承載能力提出了嚴(yán)苛要求。中科微電推出的車規(guī)級N溝道MOSFET——ZK60G270G,憑借60V耐壓、270A超大電流的精準(zhǔn)參數(shù)設(shè)定,融合先進CLIP SGT工藝與TOLL-8L封裝技術(shù),在嚴(yán)苛車規(guī)認(rèn)證與實際工況驗證中表現(xiàn)突出,成為車身域與底盤域功率控制的8瀏覽量 -
中科微電ZK40N100T:Trench工藝下的中端電動工具功率控制優(yōu)選2025-10-27 13:58
在18V-36V主流電動工具市場中,功率器件的性能平衡與成本控制同樣關(guān)鍵。中科微電推出的N溝道功率MOSFET——ZK40N100T,以40V耐壓、90A持續(xù)電流的精準(zhǔn)參數(shù),融合成熟Trench溝槽工藝與TO-252-2L封裝設(shè)計,在導(dǎo)通損耗、驅(qū)動靈活性與場景適配性之間實現(xiàn)完美平衡,成為電鉆、曲線鋸、小型角磨機等中端電動工具的理想功率解決方案。10瀏覽量 -
中科微電ZK200G120TP:中高壓MOS管新標(biāo)桿,賦能多領(lǐng)域高效能應(yīng)用2025-10-25 13:56
在工業(yè)電源、新能源汽車輔助系統(tǒng)、光伏逆變器等中高壓功率場景中,MOS管的性能直接決定著系統(tǒng)的能效、可靠性與安全性。中科微電作為國內(nèi)資深MOS管源廠,憑借多年技術(shù)積淀推出的ZK200G120TP N溝道功率MOS管,以200V耐壓、高電流承載能力及先進工藝加持,成為中高壓領(lǐng)域國產(chǎn)化替代的優(yōu)選器件,為下游設(shè)備升級提供強勁動力。50瀏覽量 -
中科微電ZK200G120B:源廠技術(shù)賦能的中低壓MOS管性能標(biāo)桿2025-10-25 11:32
在工業(yè)自動化、新能源汽車、通信電源等中低壓功率場景中,功率MOS管的性能直接決定系統(tǒng)的能效、可靠性與成本控制。作為國產(chǎn)功率半導(dǎo)體源廠的代表性產(chǎn)品,中科微電ZK200G120BN溝道功率MOS管憑借200V耐壓、129A大電流的核心參數(shù),結(jié)合自主可控的SGT(屏蔽柵溝槽)工藝與優(yōu)化封裝設(shè)計,精準(zhǔn)適配中低壓系統(tǒng)的電能轉(zhuǎn)換需求,成為打破進口壟斷、實現(xiàn)供應(yīng)鏈自主可控39瀏覽量 -
中科微電ZK200G120P:SGT工藝賦能的功率MOS管標(biāo)桿2025-10-25 11:10
中科微電深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域11年,依托深厚的技術(shù)積淀與項目經(jīng)驗,推出的ZK200G120P N 溝道MOS管,以200V耐壓、129A大電流、SGT屏蔽柵工藝及TO-220封裝的黃金組合,不僅打破了傳統(tǒng)器件在高功率場景下的性能瓶頸,更重新定義了中高壓MOS管的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn),成為多領(lǐng)域設(shè)備升級的關(guān)鍵選擇。41瀏覽量 -
ZK100G325P深度應(yīng)用解析:SGT工藝賦能的中低壓MOS管大功率場景革新2025-10-24 17:53
中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管,以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù),融合SGT(屏蔽柵晶體管)工藝與高適配封裝,不僅精準(zhǔn)破解這一行業(yè)痛點,更在工業(yè)驅(qū)動、新能源儲能、消費電子三大領(lǐng)域構(gòu)建起“高效能-高可靠-低成本”的應(yīng)用生態(tài),成為國產(chǎn)中低壓大功率器件的標(biāo)桿選擇。629瀏覽量 -
中科微電ZK60N20DG場效應(yīng)管:60V/20A的高效能半導(dǎo)體解決方案2025-10-23 17:40
在電力電子領(lǐng)域,場效應(yīng)管(MOSFET)作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件,其性能參數(shù)直接決定了整機系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專注于中低壓應(yīng)用場景的N溝道增強型場效應(yīng)管,憑借60V耐壓值、20A持續(xù)電流及先進的Trench溝槽工藝,在工業(yè)控制、消費電子與汽車電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。300瀏覽量 -
ZK100G68P:一款高性能功率半導(dǎo)體器件的深度解析2025-10-22 16:01
在電子電路設(shè)計領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件,其性能直接決定了整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。ZK100G68P作為一款典型的功率器件,憑借其精準(zhǔn)的參數(shù)設(shè)計與穩(wěn)定的工作特性,在工業(yè)控制、汽車電子、電源設(shè)備等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。108瀏覽量 -
ZK30N100G:Trench工藝加持的100A低壓MOS管,重構(gòu)低壓功率控制新生態(tài)2025-10-22 10:59
在低壓功率電子領(lǐng)域,“大電流承載”與“低損耗運行”始終是終端設(shè)備追求的核心目標(biāo)。中科微電推出的ZK30N100G N溝道MOS管,以30V額定電壓為基礎(chǔ),突破100A連續(xù)導(dǎo)通電流上限,融合先進Trench(溝槽)工藝與高適配性TO-252-2L封裝,精準(zhǔn)破解汽車電子、消費級大功率設(shè)備、工業(yè)低壓控制等場景的電流瓶頸與能效痛點。96瀏覽量
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上傳時間:2025-10-22 17:55
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上傳時間:2025-10-17 10:24
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上傳時間:2025-10-17 10:06
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上傳時間:2025-10-15 17:54
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上傳時間:2025-09-25 10:53
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上傳時間:2025-04-11 17:56
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