18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

中科微電半導體

中科微電半導體科技(深圳)有限公司是一家專業(yè)功率器件研發(fā)和銷售的科技型公司,在臺灣設有研發(fā)中心、深圳設有工程團隊和銷售團隊

121 內容數(shù) 2.2w 瀏覽量 1 粉絲

中科微電 ZK100G08G

型號: ZK100G08G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • N/P N
  • BVdss 100V
  • ID 88A
  • Vgs ±20V
  • Rds-on 5.8mΩ

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

如需了解產(chǎn)品詳情請聯(lián)系我們

為你推薦

  • 中科微電ZK30N100G2025-10-17 10:46

    產(chǎn)品型號:ZK30N100G V DSS:30 V GS (th)_:1.5 典型導通電阻:3.8
  • 中科微電ZK30N100T2025-10-17 10:28

    產(chǎn)品型號:ZK30N100T 耐壓:280V 輸入邏輯兼容:5V、3.3V 封裝:SOP8
  • 中科微電ZK21312025-10-17 10:10

    產(chǎn)品型號:ZK2131 耐壓:280V 輸入邏輯兼容:5V/3.3V 封裝:SOP8
  • 中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A2025-10-15 17:55

    產(chǎn)品型號:ZK30N100G BVdss:30V ID:90A Typ:3.4 Vgs:±20
  • 中科微電ZK30N140T 30V 140A2025-10-15 17:45

    產(chǎn)品型號:ZK30N140T BVdss:30V ID:140A Vgs:±20 Typ:1.64
  • 中科微電mos管ZK60N20DG2025-09-30 11:20

    產(chǎn)品型號:ZK60N20DG BVdss:60V ID:20A Vgs:±20 Typ:27
  • 中科微電mos管ZK30N100Q2025-09-30 11:13

    產(chǎn)品型號:ZK30N100Q BVdss:30V ID:90A Vgs:±20 Typ:3.6
  • 中科微電MOS管ZK60N20DS2025-09-30 10:59

    產(chǎn)品型號:ZK60N20DS BVdss:60V ID:20A Vgs:±20 Typ:29
  • 中科微電ZK60G270G CLIP SGT車規(guī)級2025-09-25 09:30

    產(chǎn)品型號:ZK60G270G 封裝:PDFN5x6 批次:2025+ BVDSS:60V Id:270A
  • 中科微電ZK100G325TL2025-09-22 14:17

    產(chǎn)品型號:ZK100G325TL BVdss:100 ID:411 Vgs:±20 電阻:0.98
  • 中科微電ZK200G120TP:中高壓MOS管新標桿,賦能多領域高效能應用2025-10-25 13:56

    在工業(yè)電源、新能源汽車輔助系統(tǒng)、光伏逆變器等中高壓功率場景中,MOS管的性能直接決定著系統(tǒng)的能效、可靠性與安全性。中科微電作為國內資深MOS管源廠,憑借多年技術積淀推出的ZK200G120TP N溝道功率MOS管,以200V耐壓、高電流承載能力及先進工藝加持,成為中高壓領域國產(chǎn)化替代的優(yōu)選器件,為下游設備升級提供強勁動力。
  • 中科微電ZK200G120B:源廠技術賦能的中低壓MOS管性能標桿2025-10-25 11:32

    在工業(yè)自動化、新能源汽車、通信電源等中低壓功率場景中,功率MOS管的性能直接決定系統(tǒng)的能效、可靠性與成本控制。作為國產(chǎn)功率半導體源廠的代表性產(chǎn)品,中科微電ZK200G120BN溝道功率MOS管憑借200V耐壓、129A大電流的核心參數(shù),結合自主可控的SGT(屏蔽柵溝槽)工藝與優(yōu)化封裝設計,精準適配中低壓系統(tǒng)的電能轉換需求,成為打破進口壟斷、實現(xiàn)供應鏈自主可控
  • 中科微電ZK200G120P:SGT工藝賦能的功率MOS管標桿2025-10-25 11:10

    中科微電深耕功率半導體領域11年,依托深厚的技術積淀與項目經(jīng)驗,推出的ZK200G120P N 溝道MOS管,以200V耐壓、129A大電流、SGT屏蔽柵工藝及TO-220封裝的黃金組合,不僅打破了傳統(tǒng)器件在高功率場景下的性能瓶頸,更重新定義了中高壓MOS管的應用標準,成為多領域設備升級的關鍵選擇。
  • ZK100G325P深度應用解析:SGT工藝賦能的中低壓MOS管大功率場景革新2025-10-24 17:53

    中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管,以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù),融合SGT(屏蔽柵晶體管)工藝與高適配封裝,不僅精準破解這一行業(yè)痛點,更在工業(yè)驅動、新能源儲能、消費電子三大領域構建起“高效能-高可靠-低成本”的應用生態(tài),成為國產(chǎn)中低壓大功率器件的標桿選擇。
  • 中科微電ZK60N20DG場效應管:60V/20A的高效能半導體解決方案2025-10-23 17:40

    在電力電子領域,場效應管(MOSFET)作為能量轉換與電路控制的核心器件,其性能參數(shù)直接決定了整機系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專注于中低壓應用場景的N溝道增強型場效應管,憑借60V耐壓值、20A持續(xù)電流及先進的Trench溝槽工藝,在工業(yè)控制、消費電子與汽車電子等領域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
  • ZK100G68P:一款高性能功率半導體器件的深度解析2025-10-22 16:01

    在電子電路設計領域,功率半導體器件作為能量轉換與控制的核心部件,其性能直接決定了整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。ZK100G68P作為一款典型的功率器件,憑借其精準的參數(shù)設計與穩(wěn)定的工作特性,在工業(yè)控制、汽車電子、電源設備等領域獲得了廣泛應用。
  • ZK30N100G:Trench工藝加持的100A低壓MOS管,重構低壓功率控制新生態(tài)2025-10-22 10:59

    在低壓功率電子領域,“大電流承載”與“低損耗運行”始終是終端設備追求的核心目標。中科微電推出的ZK30N100G N溝道MOS管,以30V額定電壓為基礎,突破100A連續(xù)導通電流上限,融合先進Trench(溝槽)工藝與高適配性TO-252-2L封裝,精準破解汽車電子、消費級大功率設備、工業(yè)低壓控制等場景的電流瓶頸與能效痛點。
  • ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS管,重塑低壓大電流應用新標桿2025-10-22 09:42

    在低壓大電流功率電子領域,MOS管的導通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設備的能效、可靠性與設計靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道MOS管,憑借30V額定電壓、140A超大電流、TO-252-2L封裝與先進Trench(溝槽)工藝的深度融合,精準攻克了汽車電子、工業(yè)電源、消費級大功率設備等場景的核心痛點,成為低壓功率調控領域的“性能
  • ZK100G08P應用全景:TO-220封裝與SGT工藝驅動多場景功率控制升級2025-10-21 11:38

    在功率電子領域,“適配性”與“可靠性”是器件立足市場的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET,以100V耐壓、88A連續(xù)漏極電流為性能基底,融合SGT(超結溝槽柵)先進工藝與經(jīng)典TO-220封裝,既延續(xù)了TO-220封裝在散熱與裝配上的普適性,又憑借SGT工藝突破傳統(tǒng)MOSFET的損耗瓶頸,在工業(yè)控制、消費電子、備用電源等中小型功率場景中實
  • ZK100G08T:SGT工藝加持的緊湊型MOSFET,賦能中小型功率設備高效運行2025-10-21 10:54

    在中小型功率電子設備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級的進程中,MOSFET作為電能控制的核心器件,其性能與尺寸的平衡成為設計關鍵。中科微電推出的ZK100G08TN溝道MOSFET,以100V耐壓、88A電流承載能力為基礎,融合SGT(超結溝槽柵)工藝與TO-252-2L緊湊型封裝,精準匹配工業(yè)控制、消費電子、汽車電子等中小型功率場景需求。