中科微電 ZK40N160G

國(guó)內(nèi)芯片廠(chǎng)商

型號(hào)： ZK40N160G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

N/P N
Vdss 40V
ID 160A
Vgs ±20V
Rds-on 1.15mΩ

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

ZK40G160G.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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產(chǎn)品文章資料

中科微電ZK30N100G2025-10-17 10:46

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100G V DSS：30 V GS (th)_：1.5 典型導(dǎo)通電阻：3.8
中科微電ZK30N100T2025-10-17 10:28

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100T 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V、3.3V 封裝：SOP8
中科微電ZK21312025-10-17 10:10

產(chǎn)品型號(hào)：ZK2131 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V/3.3V 封裝：SOP8
中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A2025-10-15 17:55

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100G BVdss：30V ID：90A Typ：3.4 Vgs：±20
中科微電ZK30N140T 30V 140A2025-10-15 17:45

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N140T BVdss：30V ID：140A Vgs：±20 Typ：1.64
中科微電mos管ZK60N20DG2025-09-30 11:20

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60N20DG BVdss：60V ID：20A Vgs：±20 Typ：27
中科微電mos管ZK30N100Q2025-09-30 11:13

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100Q BVdss：30V ID：90A Vgs：±20 Typ：3.6
中科微電MOS管ZK60N20DS2025-09-30 10:59

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60N20DS BVdss：60V ID：20A Vgs：±20 Typ：29
中科微電ZK60G270G CLIP SGT車(chē)規(guī)級(jí)2025-09-25 09:30

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60G270G 封裝：PDFN5x6 批次：2025+ BVDSS：60V Id：270A
中科微電ZK100G325TL2025-09-22 14:17

產(chǎn)品型號(hào)：ZK100G325TL BVdss：100 ID：411 Vgs：±20 電阻：0.98

中科微電ZK200G120TP：中高壓MOS管新標(biāo)桿，賦能多領(lǐng)域高效能應(yīng)用2025-10-25 13:56

在工業(yè)電源、新能源汽車(chē)輔助系統(tǒng)、光伏逆變器等中高壓功率場(chǎng)景中，MOS管的性能直接決定著系統(tǒng)的能效、可靠性與安全性。中科微電作為國(guó)內(nèi)資深MOS管源廠(chǎng)，憑借多年技術(shù)積淀推出的ZK200G120TP N溝道功率MOS管，以200V耐壓、高電流承載能力及先進(jìn)工藝加持，成為中高壓領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化替代的優(yōu)選器件，為下游設(shè)備升級(jí)提供強(qiáng)勁動(dòng)力。

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中科微電ZK200G120B：源廠(chǎng)技術(shù)賦能的中低壓MOS管性能標(biāo)桿2025-10-25 11:32

在工業(yè)自動(dòng)化、新能源汽車(chē)、通信電源等中低壓功率場(chǎng)景中，功率MOS管的性能直接決定系統(tǒng)的能效、可靠性與成本控制。作為國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體源廠(chǎng)的代表性產(chǎn)品，中科微電ZK200G120BN溝道功率MOS管憑借200V耐壓、129A大電流的核心參數(shù)，結(jié)合自主可控的SGT（屏蔽柵溝槽）工藝與優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)，精準(zhǔn)適配中低壓系統(tǒng)的電能轉(zhuǎn)換需求，成為打破進(jìn)口壟斷、實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈自主可控

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中科微電ZK200G120P：SGT工藝賦能的功率MOS管標(biāo)桿2025-10-25 11:10

中科微電深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域11年，依托深厚的技術(shù)積淀與項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，推出的ZK200G120P N 溝道MOS管，以200V耐壓、129A大電流、SGT屏蔽柵工藝及TO-220封裝的黃金組合，不僅打破了傳統(tǒng)器件在高功率場(chǎng)景下的性能瓶頸，更重新定義了中高壓MOS管的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，成為多領(lǐng)域設(shè)備升級(jí)的關(guān)鍵選擇。

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ZK100G325P深度應(yīng)用解析：SGT工藝賦能的中低壓MOS管大功率場(chǎng)景革新2025-10-24 17:53

中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管，以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù)，融合SGT（屏蔽柵晶體管）工藝與高適配封裝，不僅精準(zhǔn)破解這一行業(yè)痛點(diǎn)，更在工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源儲(chǔ)能、消費(fèi)電子三大領(lǐng)域構(gòu)建起“高效能-高可靠-低成本”的應(yīng)用生態(tài)，成為國(guó)產(chǎn)中低壓大功率器件的標(biāo)桿選擇。

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中科微電ZK60N20DG場(chǎng)效應(yīng)管：60V/20A的高效能半導(dǎo)體解決方案2025-10-23 17:40

在電力電子領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，其性能參數(shù)直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專(zhuān)注于中低壓應(yīng)用場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，憑借60V耐壓值、20A持續(xù)電流及先進(jìn)的Trench溝槽工藝，在工業(yè)控制、消費(fèi)電子與汽車(chē)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。

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ZK100G68P：一款高性能功率半導(dǎo)體器件的深度解析2025-10-22 16:01

在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件，其性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。ZK100G68P作為一款典型的功率器件，憑借其精準(zhǔn)的參數(shù)設(shè)計(jì)與穩(wěn)定的工作特性，在工業(yè)控制、汽車(chē)電子、電源設(shè)備等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。

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ZK30N100G：Trench工藝加持的100A低壓MOS管，重構(gòu)低壓功率控制新生態(tài)2025-10-22 10:59

在低壓功率電子領(lǐng)域，“大電流承載”與“低損耗運(yùn)行”始終是終端設(shè)備追求的核心目標(biāo)。中科微電推出的ZK30N100G N溝道MOS管，以30V額定電壓為基礎(chǔ)，突破100A連續(xù)導(dǎo)通電流上限，融合先進(jìn)Trench（溝槽）工藝與高適配性TO-252-2L封裝，精準(zhǔn)破解汽車(chē)電子、消費(fèi)級(jí)大功率設(shè)備、工業(yè)低壓控制等場(chǎng)景的電流瓶頸與能效痛點(diǎn)。

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ZK30N140T：Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS管，重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿2025-10-22 09:42

在低壓大電流功率電子領(lǐng)域，MOS管的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性，直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道MOS管，憑借30V額定電壓、140A超大電流、TO-252-2L封裝與先進(jìn)Trench（溝槽）工藝的深度融合，精準(zhǔn)攻克了汽車(chē)電子、工業(yè)電源、消費(fèi)級(jí)大功率設(shè)備等場(chǎng)景的核心痛點(diǎn)，成為低壓功率調(diào)控領(lǐng)域的“性能

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ZK100G08P應(yīng)用全景：TO-220封裝與SGT工藝驅(qū)動(dòng)多場(chǎng)景功率控制升級(jí)2025-10-21 11:38

在功率電子領(lǐng)域，“適配性”與“可靠性”是器件立足市場(chǎng)的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET，以100V耐壓、88A連續(xù)漏極電流為性能基底，融合SGT（超結(jié)溝槽柵）先進(jìn)工藝與經(jīng)典TO-220封裝，既延續(xù)了TO-220封裝在散熱與裝配上的普適性，又憑借SGT工藝突破傳統(tǒng)MOSFET的損耗瓶頸，在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、備用電源等中小型功率場(chǎng)景中實(shí)

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ZK100G08T：SGT工藝加持的緊湊型MOSFET，賦能中小型功率設(shè)備高效運(yùn)行2025-10-21 10:54

在中小型功率電子設(shè)備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級(jí)的進(jìn)程中，MOSFET作為電能控制的核心器件，其性能與尺寸的平衡成為設(shè)計(jì)關(guān)鍵。中科微電推出的ZK100G08TN溝道MOSFET，以100V耐壓、88A電流承載能力為基礎(chǔ)，融合SGT（超結(jié)溝槽柵）工藝與TO-252-2L緊湊型封裝，精準(zhǔn)匹配工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等中小型功率場(chǎng)景需求。

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