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ES1J

制造商：ON Semiconductor

描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數

Function

  • 重復反向電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 類型
    Single
  • 浪涌電流
    30 A
  • 正向電流
    1 A
  • 正向電壓@1
    1.7 V
  • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
    30 A
  • 恢復時間
    35 ns
  • 平均整流電流
    1 A
  • 峰值非重復浪涌電流
    30 A
  • 峰值反向電壓
    600 V
  • 反向電壓
    600 V
  • 反向漏電流@600V
    5 μA
  • 反向恢復時間
    35 ns
  • 功率耗散
    1.47 W

Physical

  • 觸點鍍層
    Tin
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    2
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SMA

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.438 mm
  • 長度
    4.6 mm
  • 寬度
    2.896 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料