動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-10-17 13:40

  大尺寸玻璃晶圓（12 英寸 +）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

  

  一、引言 12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、顯示面板、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色 。總厚度偏差（TTV）的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、鍵合、封裝等工藝的精度與良率 。然而，隨著晶圓尺寸增大，實(shí)現(xiàn) TTV 厚度均勻性的難度顯著增加。探索有效的 TTV 厚度均勻性提升技術(shù)，成為保障大尺寸玻璃晶圓質(zhì)量、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要課題。 二、影響大尺寸玻

  晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-10-14 15:24

  【海翔科技】玻璃晶圓 TTV 厚度對(duì) 3D 集成封裝可靠性的影響評(píng)估

  

  一、引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)向小型化、高性能化發(fā)展，3D 集成封裝技術(shù)憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號(hào)傳輸距離等優(yōu)勢(shì)，成為行業(yè)發(fā)展的重要方向 。玻璃晶圓因其良好的光學(xué)透明性、化學(xué)穩(wěn)定性及機(jī)械強(qiáng)度，在 3D 集成封裝中得到廣泛應(yīng)用 ?？偤穸绕睿═TV）作為衡量玻璃晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其數(shù)值大小直接影響 3D 集成封裝的可靠性 。深入評(píng)估玻璃晶圓 TTV 厚

  晶圓 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-10-11 13:32

  【新啟航】深度學(xué)習(xí)在玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析中的應(yīng)用

  

  一、引言 玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確分析對(duì)半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域至關(guān)重要 。傳統(tǒng) TTV 厚度數(shù)據(jù)分析方法依賴(lài)人工或簡(jiǎn)單算法，效率低且難以挖掘數(shù)據(jù)潛在規(guī)律 。隨著深度學(xué)習(xí)在數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大能力，將其應(yīng)用于玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析，有助于實(shí)現(xiàn)高精度、高效率的質(zhì)量檢測(cè)與工藝優(yōu)化，為行業(yè)發(fā)展提供新動(dòng)能。

  晶圓 深度學(xué)習(xí) 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-10-09 16:29

  【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

  

  一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度的均勻性直接影響光刻工藝中曝光深度、圖形轉(zhuǎn)移精度等關(guān)鍵參數(shù) 。當(dāng)前，如何優(yōu)化玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制，以提高光刻質(zhì)量和生產(chǎn)效率，成為亟待研究的重要

  光刻 晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:32

  【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案

  

  一、引言 玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，對(duì)半導(dǎo)體器件、微流控芯片等產(chǎn)品的質(zhì)量把控至關(guān)重要 。在實(shí)際測(cè)量過(guò)程中，數(shù)據(jù)異常情況時(shí)有發(fā)生，不僅影響生產(chǎn)進(jìn)度，還可能導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量隱患 。因此，研究玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速定位方法與解決方案，對(duì)保障生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量具有重要意義。 二、數(shù)據(jù)異常的常見(jiàn)類(lèi)型 2.1 數(shù)據(jù)波動(dòng)劇烈 測(cè)量

  厚度測(cè)量 晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-09-28 14:33

  【新啟航】《超薄玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)瓶頸及突破》

  

  我將從超薄玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量面臨的問(wèn)題出發(fā)，結(jié)合其自身特性與測(cè)量要求，分析材料、設(shè)備和環(huán)境等方面的技術(shù)瓶頸，并針對(duì)性提出突破方向和措施。 超薄玻璃晶圓（

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• 發(fā)布了文章 2025-09-22 09:53

  [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

  

  一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo)，其精確測(cè)量對(duì)保障碳化硅器件性能至關(guān)重要。隨著碳化硅產(chǎn)業(yè)向大尺寸、高性能方向發(fā)展，現(xiàn)有測(cè)量技術(shù)面臨諸多挑戰(zhàn)，探究未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向迫在眉睫。 二、提升測(cè)量精度與分辨率 未來(lái)，碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)

  厚度測(cè)量 晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-09-20 10:10

  【新啟航】大尺寸碳化硅（150mm+）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

  

  一、引言 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，碳化硅（SiC）作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。然而，大尺寸帶來(lái)的挑戰(zhàn)之一便是如何保證總厚度偏差（TTV）的厚度均勻性。TTV 厚度均勻性直接影響芯片制造過(guò)程中的光刻、刻蝕、薄膜沉積等工藝，進(jìn)而決定芯片的性能與良率。因此，研究大尺寸

  SiC 晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-09-18 14:44

  【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

  

  一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性作用。深入研究碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性，有助于優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，提升外延片質(zhì)量，推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 二、碳化硅外延片生長(zhǎng)工藝參數(shù)分析

  功率半導(dǎo)體器件 外延片 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-09-16 13:33

  【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性效應(yīng)及其修正算法

  

  一、引言 碳化硅（SiC）憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能，成為功率半導(dǎo)體器件的核心材料?？偤穸绕睿═TV）作為衡量 SiC 襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確測(cè)量對(duì)器件性能和可靠性至關(guān)重要。然而，碳化硅獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu)賦予其顯著的各向異性，在 TTV 厚度測(cè)量過(guò)程中，各向異性效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致測(cè)量數(shù)據(jù)偏差，影響測(cè)量準(zhǔn)確性。深入研究各向異性效應(yīng)并探尋有效的修正算法，是提升碳化硅 TT

  厚度測(cè)量 晶圓 碳化硅

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