動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-10-11 14:52
普誠(chéng)PT2432與PT2432C：同系列功率MOS管的場(chǎng)景適配與性能升級(jí)
作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的同系列產(chǎn)品，PT2432 與 PT2432C 雖共享核心技術(shù)架構(gòu)，卻在參數(shù)細(xì)節(jié)與場(chǎng)景適配性上形成互補(bǔ)，精準(zhǔn)覆蓋不同功率控制需求。171瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-10 17:51
中科微電ZK60N120G：SGT工藝賦能的高壓大電流MOS管標(biāo)桿
中科微電ZK60N120G是一款專為中大功率場(chǎng)景設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)型功率MOS管，其型號(hào)編碼精準(zhǔn)勾勒出核心性能邊界：“60” 代表60A連續(xù)漏極電流（ID），可穩(wěn)定承載電機(jī)、電源等重型負(fù)載的持續(xù)電流需求；“120” 指向1200V漏源極擊穿電壓（BVdss），適配220V交流整流后的高壓母線環(huán)境，為電路提供充足的電壓冗余。 -
發(fā)布了文章 2025-10-10 17:26
普誠(chéng)PT2432：集成化三相無(wú)感驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)突破與場(chǎng)景革命
普誠(chéng) PT2432 并非單一功能芯片，而是一款整合控制、驅(qū)動(dòng)與保護(hù)單元的三相無(wú)傳感器無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) IC，是臺(tái)灣普誠(chéng)科技（PTC）針對(duì)中小功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景打造的里程碑產(chǎn)品。其核心創(chuàng)新在于通過(guò) Multi-power BCD 工藝，將三相 MOS 管功率橋、反電動(dòng)勢(shì)檢測(cè)電路、速度控制模塊及保護(hù)機(jī)制壓縮至單芯片，徹底改變了傳統(tǒng) “控制 IC + 外置 MOS 管777瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-09 16:49
中科微電MOS管ZK30N100G的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與場(chǎng)景革命
中科微電ZK30N100G的型號(hào)命名，是對(duì)其核心性能的直觀注解：“30” 對(duì)應(yīng)30A持續(xù)漏極電流（I_D） ，滿足中大功率設(shè)備的電流承載需求；“100” 代表1000V漏源極擊穿電壓（V_DS） ，輕松應(yīng)對(duì)工業(yè)高壓、光伏逆變等高壓工況；后綴 “G” 則標(biāo)志著其采用中科微電自研的優(yōu)化封裝與SGT工藝，為性能釋放提供硬件支撐。391瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-09 16:25
中科微電mos管ZK60N120G：高壓大電流場(chǎng)景下的N溝道MOS管性能標(biāo)桿
ZK60N120G 作為一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型 MOS 管，憑借其在高壓耐受與大電流承載方面的突出表現(xiàn)，成為工業(yè)自動(dòng)化、新能源設(shè)備等中大功率場(chǎng)景的關(guān)鍵器件。該器件采用先進(jìn)的功率半導(dǎo)體工藝制造，通過(guò)優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓、導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)速度的精準(zhǔn)平衡，為復(fù)雜電氣環(huán)境下的功率控制提供了可靠解決方案。380瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-30 13:50
中科微電車規(guī)MOS管ZK60G270G：汽車核心系統(tǒng)的高效功率控制解決方案
中科微電車規(guī)MOS管ZK60G270G：汽車核心系統(tǒng)的高效功率控制解決方案311瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-30 11:20
中科微電mos管ZK60N20DG
產(chǎn)品型號(hào)：ZK60N20DG BVdss：60V ID：20A Vgs：±2034瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-30 11:13
中科微電mos管ZK30N100Q
產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100Q BVdss：30V ID：90A Vgs：±2016瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-30 11:08
MOS管ZK30N100Q：高壓大電流場(chǎng)景的可靠功率控制解決方案
在工業(yè)加熱控制、光伏逆變、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高壓大電流場(chǎng)景中，功率器件的性能直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性與安全性 —— 既要耐受上千伏的高壓沖擊，又要穩(wěn)定承載數(shù)十安培的工作電流，還需盡可能降低導(dǎo)通損耗以控制能耗。而 N 溝道功率 MOS 管 ZK30N100Q，恰好以 1000V 漏源極耐壓、30A 持續(xù)漏極電流的核心參數(shù)，以及優(yōu)化的開(kāi)關(guān)特性與散熱設(shè)計(jì)，精準(zhǔn)匹配這類307瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-30 10:59
中科微電MOS管ZK60N20DS
產(chǎn)品型號(hào)：ZK60N20DS BVdss：60V ID：20A Vgs：±2033瀏覽量
