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主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路

羅姆半導體集團 ? 2019-07-02 15:06 ? 次閱讀
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本文將對電源IC BD7682FJ的外置MOSFET的開關調(diào)整部件和調(diào)整方法進行介紹。
MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路:R16、R17、R18、D17


"
為了優(yōu)化外置MOSFET Q1的開關工作,由R16、R17、R18、D17組成一個調(diào)整電路,用來調(diào)節(jié)來自BD7682FJ的OUT引腳的柵極驅(qū)動信號(參見電路圖)。這個電路會對MOSFET的損耗和噪聲產(chǎn)生影響,因此需要邊確認MOSFET的開關波形和損耗邊優(yōu)化。
"


開關導通時的速度由串聯(lián)插入柵極驅(qū)動信號線的R16和R17來調(diào)整。


開關關斷時的速度由用來抽取電荷的二極管D17和R16的組合來調(diào)整。


通過減小各電阻值,可提高開關速度(上升/下降時間)。


在此次的電路示例中,R16=10Ω/0.25W,R17=150Ω,D17=肖特基勢壘二極管RB160L-60(60V/1A)。


準諧振轉(zhuǎn)換器的開關損耗基本上不會在導通時產(chǎn)生,關斷時的損耗占主導地位。



要想降低開關關斷時的開關損耗,需要減小R16,提高開關關斷速度。但這會產(chǎn)生急劇的電流變化,開關噪聲會變大。


開關損耗和噪聲之間存在著此起彼消(Trade-off)的制約關系。所以需要在裝入實際產(chǎn)品的狀態(tài)下測量MOSFET的溫度上升(=損耗)和噪聲情況,并確認溫度上升和噪聲水平在容許范圍內(nèi)。請根據(jù)需要將上述常數(shù)作為起始線進行調(diào)整。


另外,由于R16中會流過脈沖電流,因此需要確認所用電阻的抗脈沖特性。


R18是MOSFET柵極的下拉電阻,請以10kΩ~100kΩ為大致標準。

關鍵要點:

  • 調(diào)整柵極驅(qū)動信號,并優(yōu)化開關晶體管的損耗和噪聲。

  • 加快開關的上升/下降時間可減少損耗,但開關噪聲會變大。


“閱讀原文”我們一起進步

原文標題:主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路

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