1.GF (格芯)宣布放棄7納米FinFET研發(fā)。

GF換CEO后，調(diào)整戰(zhàn)略是意料之中。包括中國戰(zhàn)略、FD-SOI戰(zhàn)略、未來先進(jìn)工藝投入等可能都會有所調(diào)整。相比于原CEO Sanj擅長戰(zhàn)略，工廠出身的新CEO Tom或許更擅長戰(zhàn)術(shù)。GF未來如何發(fā)展不確定，但確定的是，要想發(fā)展好必須更緊密地依靠中國。

2.聯(lián)電和GF(格芯)都宣布放棄7納米FinFET研發(fā)。

從產(chǎn)業(yè)發(fā)展和企業(yè)戰(zhàn)略來看，聯(lián)電和GF做出同樣的選擇是正確的，明智的。對中國大陸來說，先進(jìn)技術(shù)卻不僅僅是經(jīng)濟(jì)效益方面的考慮，所以中芯國際不能放棄對摩爾定律的追趕，但追趕最先進(jìn)工藝這條路——最難。

3.日本將繼美國和澳大利亞之后，禁止使用華為和中興的通信產(chǎn)品？

中國的通信企業(yè)恐將面臨被圍剿的危機(jī)，在全球化的今天，大國政治大行其道，非常規(guī)手法層出不窮，誰都不能獨(dú)善其身，這對國內(nèi)科技企業(yè)的全球化是巨大的挑戰(zhàn)。同時(shí)，需要我們的政府慎重考慮和評估此事對中國產(chǎn)業(yè)的影響，研判未來的發(fā)展趨勢，拿出相應(yīng)措施。否則的話，今天是華為，明天可能是其它企業(yè)。

發(fā)言人華春瑩就表示，據(jù)了解日本官方并未做出這樣的表態(tài)，這則消息不過是日本媒體單方面的報(bào)道而已。中國企業(yè)同包括日本在內(nèi)的外國企業(yè)開展合作的本質(zhì)是互利共贏的，也是遵守國際規(guī)則和當(dāng)?shù)胤煞ㄒ?guī)的。

雖然華為和中興禁售被證實(shí)是日本媒體單方面的猜測，但正所謂“空穴不會來風(fēng)”，所以我們還需多關(guān)注日本方面的動態(tài)，時(shí)刻做好應(yīng)對變化甚至反擊的準(zhǔn)備！

4.上半年國內(nèi)智能手機(jī)報(bào)告：整體負(fù)增長，出貨數(shù)量下降，成本上漲。

除了內(nèi)存，大多數(shù)芯片并未明顯漲價(jià)，手機(jī)出貨量下跌對芯片公司，尤其是國內(nèi)公司營收沖擊很大手機(jī)仍然是國內(nèi)芯片廠商的第一市場，失去手機(jī)市場的大幅拉動，對國內(nèi)芯片廠商極為不利。

5.8吋晶圓產(chǎn)能滿載到年底，恐引起產(chǎn)能爭奪或漲價(jià)。

買不到8吋設(shè)備導(dǎo)致擴(kuò)產(chǎn)緩慢是8吋產(chǎn)能緊張最重要的原因。市場的增長——射頻芯片和模擬芯片成為近年的增量市場也是重要原因，加上6吋訂單持續(xù)向8吋轉(zhuǎn)移，帶來8吋產(chǎn)能的持續(xù)滿載。但因?yàn)樵O(shè)備難買，所以目前國內(nèi)新增的Fab多為12吋。

6.紫光集團(tuán):32層3D NAND閃存芯片將于四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

對于長江存儲來說，明年64層NAND 的量產(chǎn)才是最關(guān)鍵一戰(zhàn)。期待在市場上早日見到長江存儲的芯片。

7.總投資17.8億美元的武漢新芯二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，正式開工建設(shè)。

戰(zhàn)術(shù)上武漢新芯擴(kuò)產(chǎn)，發(fā)展CIS、MCU和Nor-flash產(chǎn)品；戰(zhàn)略上，其與長江存儲的關(guān)系，自身的定位更為重要。武漢新芯是張好牌，更要打好。

8.力晶加碼投資興建12英寸新廠，躋身***晶圓代工三雄。

力晶和聯(lián)電是***企業(yè)中，依靠大陸政府的支持度過難關(guān)重新崛起的典型案例。依靠地方政府、大陸資本的支持，解決了資金來源，度過了最難時(shí)刻。如今，力晶選擇重回***，對大陸政府還要說聲感謝吧。

9. 8月25日開始的中美貿(mào)易談判中， 美國協(xié)商官員曾提到美光的案例，提到晉華、聯(lián)電和美光的官司，以及福州法院對美光在華銷售產(chǎn)品的禁令。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是中美貿(mào)易戰(zhàn)的關(guān)鍵議題之一，美光案正在逐步成為焦點(diǎn)。這個(gè)已經(jīng)超出了產(chǎn)業(yè)的影響，對未來存儲器、知識產(chǎn)權(quán)甚至美光和中國的合作都有重大影響，拭目以待。