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AFE3256 技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-27 15:01 ? 次閱讀
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AFE3256是一款 256 通道模擬前端 (AFE),旨在滿足基于平板探測器 (FPD) 的數(shù)字 X 射線系統(tǒng)的要求。該器件包括 256 個積分器、具有雙組的相關(guān)雙采樣器 (CDS) 和 256:2 模擬多路復(fù)用器。該器件還具有兩個 16 位逐次逼近寄存器 (SAR) 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC)。來自 ADC 的串行數(shù)據(jù)以低壓差分信號 (LVDS) 格式提供。

該器件通常也稱為讀出集成電路 (ROIC),使用多種電源模式和系統(tǒng)內(nèi)調(diào)試選項(xiàng)等功能優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。

睡眠和待機(jī)模式可大幅節(jié)省功耗,這對于電池供電系統(tǒng)至關(guān)重要。
*附件:afe3256.pdf

特性

  • 256 個通道
  • 片內(nèi)16位ADC
  • 高性能:
    • 噪聲:440 電子 RMS(1.2 pC 輸入電荷范圍)
    • 低相關(guān)噪聲
    • 全通道積分非線性:16位時(shí)為±2 LSB
    • 掃描時(shí)間:< 16 μs 至 204.8 μs
  • 集成:
    • 編程滿量程輸入充電范圍:0.3pC 至 12.5pC,分辨率為 0.3pC
    • 內(nèi)部定時(shí)發(fā)生器 (TG)
    • 內(nèi)置相關(guān)雙進(jìn)樣器
    • 軟件可編程電子或空穴積分模式
    • 流水線集成和讀取以提高吞吐量 — 集成期間的數(shù)據(jù)讀取
    • 串行LVDS輸出
    • 片上溫度傳感器
  • 供電方案簡單:
    • 單1.85V電源供電
  • 多種功率模式,功耗范圍從 1mW/ch 到 2mW/ch
  • 掉電模式:睡眠和待機(jī)
  • 分箱模式支持
  • 定制薄膜芯片 (COF) 封裝

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品概述

AFE3256 是德州儀器(TI)推出的256 通道模擬前端(AFE) ,專為數(shù)字 X 射線平板探測器(FPD)設(shè)計(jì),也可用于電荷檢測、電容測量等場景。器件集成 256 路積分器、相關(guān)雙采樣(CDS)電路、模擬多路復(fù)用器(MUX)與 16 位 ADC,支持低噪聲、高線性度的電荷信號讀取,通過 LVDS 串行接口輸出數(shù)據(jù),是 X 射線成像系統(tǒng)中關(guān)鍵的讀出集成電路(ROIC),可優(yōu)化系統(tǒng)性能與功耗平衡。

二、核心特性

(一)高通道密度與集成化設(shè)計(jì)

  1. 256 通道信號采集架構(gòu)
    • 每通道包含獨(dú)立積分器與 CDS 電路:CDS 支持雙組銀行(dual banking)設(shè)計(jì),可減少相關(guān)噪聲,提升弱信號檢測精度;
    • 256:2 模擬多路復(fù)用器(MUX):將 256 路模擬信號復(fù)用至 2 個 16 位逐次逼近寄存器(SAR)ADC,兼顧通道密度與轉(zhuǎn)換效率;
    • 片內(nèi)時(shí)序發(fā)生器(TG):提供靈活的采樣與積分時(shí)序控制,支持軟件配置電子 / 空穴積分模式,適配不同類型的平板探測器(如非晶硅、CMOS 探測器)。
  2. 高性能信號處理
    • 低噪聲特性:1.2pC 輸入電荷范圍下,噪聲僅 440 電子 RMS,相關(guān)噪聲低,確保 X 射線微弱信號的精準(zhǔn)采集;
    • 高線性度:全通道積分非線性(INL)僅 ±2 LSB(16 位精度),避免信號失真影響成像質(zhì)量;
    • 靈活積分范圍:可編程滿量程輸入電荷范圍 0.3~12.5pC,分辨率 0.3pC,可適配不同靈敏度的探測器需求。

(二)高效數(shù)據(jù)讀取與功耗控制

  1. 高速數(shù)據(jù)輸出與并行操作
    • 流水線式 “積分 - 讀取”(Integrate-and-Read):支持?jǐn)?shù)據(jù)讀取與信號積分并行執(zhí)行,提升系統(tǒng)吞吐量;
    • LVDS 串行輸出:ADC 轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)通過 LVDS 接口(DCLKP/M、DOUTP/M、FCLKP/M)輸出,傳輸速率高且抗干擾能力強(qiáng),簡化 PCB 布線。
    • 快速掃描時(shí)間:掃描時(shí)間可配置,范圍<16μs~204.8μs,適配不同幀率的成像需求(如動態(tài) X 射線成像、靜態(tài)高分辨率成像)。
  2. 多功耗模式與節(jié)能設(shè)計(jì)
    • 功耗范圍:1~2mW / 通道,支持多功耗模式調(diào)節(jié),可根據(jù)成像幀率動態(tài)優(yōu)化功耗;
    • 低功耗模式:包含睡眠(Sleep)與待機(jī)(Standby)模式,大幅降低非工作狀態(tài)下的功耗,適用于電池供電的便攜式 X 射線設(shè)備;
    • 單電源供電:僅需 1.85V 單電源即可工作,簡化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì),減少電源噪聲耦合。

(三)可靠性與輔助功能

  1. 片內(nèi)監(jiān)測與調(diào)試
    • 內(nèi)置溫度傳感器:實(shí)時(shí)監(jiān)測器件工作溫度,便于系統(tǒng)熱管理,避免高溫影響性能;
    • 系統(tǒng)內(nèi)調(diào)試選項(xiàng):支持 SPI 接口(SDATA、SDOUT、SCLK、SEN)配置與狀態(tài)讀取,可通過寄存器調(diào)整積分時(shí)間、增益等參數(shù),簡化系統(tǒng)校準(zhǔn)與故障診斷。
  2. 特殊功能支持
    • 合并模式(Binning):支持通道合并,可犧牲空間分辨率換取更高的信號幅度與信噪比,適配不同成像場景需求;
    • 定制化封裝:提供芯片薄膜(COF)封裝,適配平板探測器的窄邊框、柔性布線需求,減少信號傳輸損耗。

三、器件信息與封裝規(guī)格

(一)基本器件信息

參數(shù)規(guī)格
通道數(shù)量256 個獨(dú)立模擬輸入通道
ADC 分辨率16 位
輸入電荷范圍0.3~12.5pC(可編程)
工作電源電壓1.85V(單電源)
工作溫度范圍0~70°C
輸出接口LVDS 串行接口
控制接口SPI(4 線:SDATA、SDOUT、SCLK、SEN)

(二)封裝類型與規(guī)格

2024 年 4 月修訂版新增 TFV 封裝,現(xiàn)有兩種 COF 封裝可選,具體參數(shù)如下:

封裝型號引腳數(shù)封裝尺寸(長 × 寬)應(yīng)用場景
TFU32038mm×28mm常規(guī)平板探測器,需較多引腳擴(kuò)展功能
TFV31548mm×17.33mm窄邊框探測器,適配小型化設(shè)備

(三)訂購信息

訂購型號狀態(tài)封裝數(shù)量 / 載體工作溫度關(guān)鍵說明
AFE3256TFU量產(chǎn)COF(TFU),320 引腳30 片 / JEDEC 托盤(10+1 結(jié)構(gòu))0~70°C標(biāo)準(zhǔn)型號,引腳鍍層為金(AU),非 RoHS 兼容
AFE3256TFU.A量產(chǎn)COF(TFU),320 引腳30 片 / JEDEC 托盤(10+1 結(jié)構(gòu))0~70°C同 TFU 基礎(chǔ)型號,僅生產(chǎn)批次或測試標(biāo)準(zhǔn)略有差異
AFE3256TFV量產(chǎn)COF(TFV),315 引腳36 片 / JEDEC 托盤(10+1 結(jié)構(gòu))0~70°C窄邊框封裝,適配小型化探測器
AFE3256TFV.A量產(chǎn)COF(TFV),315 引腳36 片 / JEDEC 托盤(10+1 結(jié)構(gòu))0~70°C同 TFV 基礎(chǔ)型號,生產(chǎn)批次或測試標(biāo)準(zhǔn)差異

四、典型應(yīng)用與配套器件

(一)核心應(yīng)用場景

  1. 數(shù)字 X 射線平板探測器(FPD)
    • 應(yīng)用架構(gòu):AFE3256 作為 ROIC,連接平板探測器的 256 個像素單元,采集 X 射線轉(zhuǎn)換后的電荷信號,經(jīng)積分、CDS 降噪、ADC 轉(zhuǎn)換后,通過 LVDS 輸出至 FPGA / 處理器進(jìn)行圖像處理;
    • 優(yōu)勢:高通道密度減少器件數(shù)量,低噪聲確保低劑量 X 射線成像質(zhì)量,流水線操作提升幀率(如動態(tài)造影成像)。
  2. 電荷檢測與電容測量
    • 適配場景:精密傳感器的電荷信號讀?。ㄈ?a target="_blank">光電二極管陣列、離子探測器)、電容式傳感器的電容值測量,利用其可編程積分范圍與低噪聲特性,提升檢測精度。

(二)推薦配套器件

TI 推薦搭配以下器件以優(yōu)化系統(tǒng)性能,文檔中明確提及的配套組件如下:

器件型號功能作用
TPS7A83002μA 靜態(tài)電流、6μVRMS 噪聲的 RF LDO為 AFE3256 提供低噪聲 1.85V 電源,減少電源噪聲耦合
REF702ppm/°C 最大漂移、0.23ppmp-p 1/f 噪聲的精密電壓基準(zhǔn)為 ADC 與積分器提供高穩(wěn)定度參考電壓,保證線性度與一致性

五、文檔與技術(shù)支持

(一)文檔修訂與更新

  • 2024 年 4 月修訂版(Revision A)核心變更:新增 AFE3256TFV 封裝的詳細(xì)信息,包括引腳數(shù)、封裝尺寸、訂購型號,完善不同封裝的應(yīng)用場景說明,無核心電氣參數(shù)變更。

(二)技術(shù)支持資源

  1. 文檔獲取
    • TI 官網(wǎng)產(chǎn)品頁面提供完整數(shù)據(jù)手冊、封裝機(jī)械圖紙、PCB 布局指南;通過 “Notifications” 功能訂閱文檔更新,可接收每周產(chǎn)品信息變更摘要。
  2. 工程支持
    • TI E2E 論壇:提供專家技術(shù)解答,可搜索現(xiàn)有問題(如噪聲優(yōu)化、電源設(shè)計(jì))或提交新疑問,獲取針對性設(shè)計(jì)幫助;
    • 參考設(shè)計(jì):官網(wǎng)提供 X 射線平板探測器系統(tǒng)參考設(shè)計(jì),包含 AFE3256 的硬件連接、時(shí)序配置與軟件驅(qū)動,加速系統(tǒng)開發(fā)。
  3. ESD 防護(hù)提示
    • 器件對靜電放電(ESD)敏感,需遵循 TI 靜電防護(hù)規(guī)范(如佩戴防靜電手環(huán)、使用防靜電包裝與工作臺),避免 ESD 導(dǎo)致的性能 degradation 或永久損壞。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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