專為高頻應用優(yōu)化

隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關器件，其性能已成為決定整機效能與可靠性的關鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應用提供更優(yōu)異的解決方案。

產(chǎn)品型號

產(chǎn)品核心特點

龍騰半導體新品IGBT發(fā)布，在電源能效的核心指標上實現(xiàn)關鍵突破，以出色的靜態(tài)損耗與關斷損耗表現(xiàn)，為高可靠性電源設計提供了更優(yōu)解。

·耐壓等級：650V

·額定電流：15A / 20A /40A（@TC=100℃）

·低壓降導通：VCE(sat)典型值低至1.5V，導通損耗顯著降低

·快速關斷特性：Eoff 僅 0.19mJ（15A型）/ 0.25mJ（20A型）/ 0.63mJ（40A型），適用于高頻開關場景

·封裝形式：工業(yè)標準，兼容性強

·產(chǎn)品定位：半電流-快速型，針對高頻應用優(yōu)化，提升效率

新品競爭優(yōu)勢

通過龍騰實驗室與市場主流競品對比測試顯示：關斷損耗與國內外同代次競品水平居中，靜態(tài)損耗優(yōu)于競品。

·具備更低的飽和壓降，有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)整體效率；

·靜態(tài)損耗與開關特性全面優(yōu)化，共同助力高頻應用實現(xiàn)更低的整體功耗；

·綜合性能均衡，兼顧效率與溫控，助力高可靠性電源設計。

對比測試

注：數(shù)據(jù)來源于龍騰實驗室實測

典型應用

·電焊機

·便攜式儲能

·不間斷電源UPS

·逆變器

·充電機