STMicroelectronics M95P08-x超低功耗串行SPI頁(yè)面EEPROM采用先進(jìn)的專有NVM技術(shù)。M95P08-x具有字節(jié)靈活性、頁(yè)面可更改性、高頁(yè)面循環(huán)性性能，以及等同于EEPROM技術(shù)的超低功耗。這些8-MbSPI頁(yè)面EEPROM器件組織為2048可編程頁(yè)面，每個(gè)頁(yè)面512字節(jié)，可通過(guò)SPI總線訪問(wèn)，具有高性能雙路和四路SPI輸出。該器件提供兩個(gè)額外的（識(shí)別）512字節(jié)頁(yè)面：一個(gè)包含識(shí)別數(shù)據(jù)，并根據(jù)要求包含UID；第二個(gè)可用于存儲(chǔ)敏感的 應(yīng)用參數(shù)（可永久鎖定為只讀模式）。附加狀態(tài)、配置和易失性寄存器設(shè)置所需的設(shè)備配置，而安全寄存器則提供有關(guān)設(shè)備狀態(tài)的信息。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：STMicroelectronics M95P08-x超低功耗串行SPI頁(yè)面 EEPROM數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

M95P08-I的工作電源電壓范圍為1.6至3.6 V，環(huán)境溫度范圍為-40°C至+85°C。M95P08-E的擴(kuò)展溫度范圍為-40°C至+105°C，支持高達(dá)80MHz的時(shí)鐘頻率。STMicroelectronics M95P08-x頁(yè)面 EEPROM具有高達(dá)512字節(jié)的字節(jié)和頁(yè)寫(xiě)入指令。寫(xiě)入指令包括自定時(shí)自動(dòng)擦除和編程操作，從而實(shí)現(xiàn)靈活的數(shù)據(jù)字節(jié)管理。也接受頁(yè)面/塊/扇區(qū)/芯片擦除命令，并將存儲(chǔ)器設(shè)置為擦除狀態(tài)。存儲(chǔ)器可通過(guò)512字節(jié)頁(yè)面進(jìn)行快速編程，還可使用帶有緩沖器負(fù)載指令的頁(yè)面程序進(jìn)一步優(yōu)化，以隱藏SPI通信延遲。

特性

• 接口
  • 支持串行外設(shè)接口 (SPI) 和雙路/四路輸出
  • 1.6V至3.6V寬范圍
  • 溫度范圍
    • 工業(yè)溫度范圍：-40°C至+85°C
    • 擴(kuò)展溫度范圍：-40°C至+105°C
  • 閱讀
    • 單輸出讀?。?0MHz
    • 單路/雙路/四路輸出（帶一個(gè)空字節(jié)）的快速讀取：80MHz
• 存儲(chǔ)器
  • 8MB頁(yè)面EEPROM
    • 64Kb區(qū)，4Kb扇區(qū)
    • 頁(yè)面尺寸：512字節(jié)
    • 2x識(shí)別頁(yè)面
  • 在整個(gè)溫度范圍內(nèi)500k次寫(xiě)入循環(huán)
  • 數(shù)據(jù)保留
    • 100年
    • 50萬(wàn)次后10年
• 超低功耗
  • 深度掉電模式下典型值為0.6μA
  • 待機(jī)模式下典型值為16μA
  • 10MHz時(shí)讀取單電流典型值為800μA
  • 頁(yè)面寫(xiě)入典型值：1.5mA
  • 電流峰值控制<3mA
• 高寫(xiě)入/擦除性能
  • 快速寫(xiě)入/編程/擦除時(shí)間
    • 512字節(jié)的字節(jié)和頁(yè)面寫(xiě)入（包括自動(dòng)擦除和編程）典型值：2ms
    • 頁(yè)面程序：1.2ms（典型值）(512字節(jié))
    • 頁(yè)面擦除典型值：1.1ms
    • 扇區(qū)擦除典型值：1.3ms
    • 塊擦除典型值：4ms
    • 芯片擦除典型值：4ms
  • 頁(yè)面程序，帶緩沖負(fù)載
• ECC，實(shí)現(xiàn)高內(nèi)存可靠性（DEC、TED）
• 用于噪聲過(guò)濾的施密特觸發(fā)器輸入
• 輸出緩沖器可編程強(qiáng)度
• ISO26262工作狀態(tài)標(biāo)志
• 軟件重置
• 按塊進(jìn)行寫(xiě)保護(hù)，提供頂部/底部選項(xiàng)
• 應(yīng)要求提供唯一ID
• 電子標(biāo)識(shí)
• 支持串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP) 模式
• JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商標(biāo)識(shí)
• 增強(qiáng)型ESD保護(hù)HBM（人體模型）
• ECOPACK2型2mm x 3mm DFN8、SO8N或WLCSP8封裝
• 無(wú)鹵，符合RoHS指令

框圖

M95P08-x：面向超低功耗應(yīng)用的8Mbit SPI頁(yè)面EEPROM

概述

STMicroelectronics推出的 M95P08-I 與 M95P08-E 是一款基于先進(jìn)非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)的 8Mbit SPI頁(yè)面EEPROM 。該器件不僅具備傳統(tǒng)EEPROM的字節(jié)級(jí)靈活性與頁(yè)可改寫(xiě)性，還融合了Flash存儲(chǔ)器的高密度與高耐久性特性，特別適用于對(duì)功耗和可靠性有嚴(yán)苛要求的嵌入式系統(tǒng)。

主要特性

超低功耗設(shè)計(jì)

• 深功耗下降模式 ：典型功耗僅 0.6 μA
• 待機(jī)模式 ：典型功耗 16 μA
• 讀取功耗 ：在10 MHz頻率下，單輸出讀取電流僅為 800 μA
• 寫(xiě)入功耗 ：頁(yè)面寫(xiě)入電流典型值為 1.5 mA

高性能存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)

• 容量 ：8 Mbit（1 MB），組織為 2048頁(yè) × 512字節(jié)
• 塊與扇區(qū) ：
  • 16個(gè)64 KB塊
  • 256個(gè)4 KB扇區(qū)
• 額外識(shí)別頁(yè) ：提供兩個(gè)512字節(jié)的識(shí)別頁(yè)，支持存儲(chǔ)設(shè)備ID、UID或用戶參數(shù)

快速操作性能

• 頁(yè)面寫(xiě)入（含自動(dòng)擦除） ：典型 2 ms
• 頁(yè)面編程 ：典型 1.2 ms
• 頁(yè)面擦除 ：典型 1.1 ms
• 扇區(qū)/塊/芯片擦除 ：均支持，時(shí)間在 1.3 ms 至 4 ms 之間

高可靠性

• 寫(xiě)入耐久性 ：全溫度范圍內(nèi) 500,000 次寫(xiě)循環(huán)
• 數(shù)據(jù)保存期限 ： 100 年 （在500k次循環(huán)后仍可保持10年）
• ECC糾錯(cuò) ：支持雙比特糾錯(cuò)（DEC）與三比特錯(cuò)誤檢測(cè)（TED）

接口與通信

SPI接口與多輸出模式

• 支持標(biāo)準(zhǔn)SPI模式（CPOL=0/CPHA=0 或 CPOL=1/CPHA=1）
• 支持 單線、雙線和四線輸出讀取 ，最高時(shí)鐘頻率達(dá) 80 MHz
• 四線模式下，DQ0–DQ3 可同時(shí)輸出4位數(shù)據(jù)，大幅提升讀取吞吐量

引腳復(fù)用設(shè)計(jì)

數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制

硬件與軟件保護(hù)

• 塊保護(hù)位（BP2–BP0） 與 頂/底控制位（TB） 可配置保護(hù)區(qū)域
• 寫(xiě)保護(hù)引腳（W） 可鎖定狀態(tài)寄存器，防止誤寫(xiě)
• 深功耗下降模式 下，所有編程與擦除指令被忽略

狀態(tài)與安全寄存器

• 狀態(tài)寄存器 ：包含WIP（寫(xiě)入中）、WEL（寫(xiě)使能）等關(guān)鍵狀態(tài)位
• 安全寄存器 ：提供ECC錯(cuò)誤標(biāo)志、操作狀態(tài)標(biāo)志等，支持系統(tǒng)級(jí)診斷

典型應(yīng)用場(chǎng)景

• 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 ：傳感器數(shù)據(jù)記錄、配置參數(shù)存儲(chǔ)
• 工業(yè)控制系統(tǒng) ：固件備份、事件日志存儲(chǔ)
• 醫(yī)療電子 ：低功耗、高可靠性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求
• 汽車(chē)電子 ：符合ISO26262功能安全要求的存儲(chǔ)方案

封裝選項(xiàng)

M95P08系列提供多種封裝形式，包括：

• SO8N （8引腳小外形封裝）
• DFN8 （2×3 mm 超薄雙扁平無(wú)引線封裝）
• WLCSP8 （晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）

所有封裝均符合 ECOPACK2 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素且符合RoHS指令。