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美光科技正式送樣業(yè)界高容量SOCAMM2模組

Micron美光科技 ? 來源:Micron美光科技 ? 2025-10-23 17:55 ? 次閱讀
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192GB SOCAMM2搭載LPDDR5X,鞏固美光在AI基礎(chǔ)設(shè)施高能效解決方案的領(lǐng)先地位

2025年10月23日,愛達荷州博伊西市——在當今時代,人工智能(AI)實現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展,整個數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型,以支持可持續(xù)增長。隨著內(nèi)存在AI系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的作用,低功耗內(nèi)存解決方案已成為這一轉(zhuǎn)型的核心。美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)近日宣布其192GB SOCAMM2(small outline compression attached memory modules,小型壓縮附加內(nèi)存模塊)已正式送樣,以積極拓展低功耗內(nèi)存在AI數(shù)據(jù)中心的廣泛應(yīng)用。2025年3月,美光發(fā)布了業(yè)界首款LPDRAM SOCAMM,而新一代SOCAMM2則在此基礎(chǔ)上實現(xiàn)了功能的進一步拓展,在相同的規(guī)格尺寸中實現(xiàn)50%的容量提升,增加的容量可以將實時推理工作負載中首個token生成時間(TTFT)顯著縮短80%以上1。192GB SOCAMM2采用美光領(lǐng)先的1-gamma DRAM制程技術(shù),能效提高20%以上2,有助于實現(xiàn)大型數(shù)據(jù)中心集群的電源設(shè)計優(yōu)化。這一能效提升在全機架AI安裝中尤為顯著,可配置超過40TB的CPU附加低功耗DRAM主存儲3。SOCAMM2的模塊化設(shè)計提升了可維護性,并為未來的容量擴展奠定了基礎(chǔ)。

基于與NVIDIA的五年合作,美光率先將低功耗服務(wù)器內(nèi)存引入數(shù)據(jù)中心使用。SOCAMM2為AI系統(tǒng)的主存儲帶來了LPDDR5X超低功耗和高帶寬的內(nèi)在優(yōu)勢。SOCAMM2的設(shè)計旨在滿足大規(guī)模AI平臺不斷擴展的需求,提供AI工作負載所需的高數(shù)據(jù)吞吐量,同時實現(xiàn)新的能效水平,并為AI訓(xùn)練和推理系統(tǒng)設(shè)定新標準。這些優(yōu)勢的結(jié)合將使SOCAMM2成為未來幾年業(yè)界領(lǐng)先AI平臺的關(guān)鍵內(nèi)存解決方案。

美光資深副總裁暨云端內(nèi)存事業(yè)部總經(jīng)理Raj Narasimhan表示:“隨著AI工作負載變得更加復(fù)雜而嚴苛,數(shù)據(jù)中心服務(wù)器必須提升效率,為每瓦特的功率提供更多tokens。憑借在低功耗DRAM領(lǐng)域公認的領(lǐng)先地位,美光能確保我們的SOCAMM2模塊提供所需的數(shù)據(jù)吞吐量、能效、容量和數(shù)據(jù)中心級別的品質(zhì),這些對于驅(qū)動下一代AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器至關(guān)重要?!?/p>

通過專門的設(shè)計功能和增強測試,美光SOCAMM2產(chǎn)品從最初為手機設(shè)計的低功耗DRAM升級為數(shù)據(jù)中心級解決方案。多年來,美光在高質(zhì)量數(shù)據(jù)中心DDR內(nèi)存方面的豐富經(jīng)驗,使SOCAMM2具備滿足數(shù)據(jù)中心高標準應(yīng)用所需的質(zhì)量與可靠性。

與同等能效的RDIMM相比,SOCAMM2模塊的能效提高了三分之二以上4,同時將其性能封裝到三分之一大小的模塊中5,不僅優(yōu)化了數(shù)據(jù)中心占地面積,還最大限度地提高了容量和帶寬。SOCAMM的模塊化設(shè)計和創(chuàng)新的堆疊技術(shù)提高了可維護性,并有助于液冷服務(wù)器的設(shè)計。

美光一直是JEDEC SOCAMM2規(guī)范制定的積極參與者,并與行業(yè)合作伙伴密切合作,共同推動標準演進,加快AI數(shù)據(jù)中心的低功耗應(yīng)用,以助力整個行業(yè)的能效提升。目前,SOCAMM2樣品已送樣客戶,單一模組容量高達192GB,速率達9.6 Gbps,后續(xù)量產(chǎn)作業(yè)將配合客戶的產(chǎn)品推出日程規(guī)劃。

1經(jīng)美光內(nèi)部測試驗證的性能提升:使用LMCache GH200 NVL2平臺(288GB HBM3E+1TB LPDDR5x)上的Llama 3 70B模型進行推斷,OSL=128。

2 與美光的上一代LPDDR5X相比。

3 內(nèi)存容量基于NVL144機架系統(tǒng),每個系統(tǒng)可為每36個CPU集成6個 192GB的SOCAMM2模組。

4 與兩個128GB、128位總線寬度的DDR5 RDIMM模組相比,基于一個128GB、128位總線寬度的SOCAMM2模組的功耗(瓦特)計算。

5 計算將SOCAMM2的面積(14 x 90mm)與標準服務(wù)器RDIMM進行對比。

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原文標題:美光正式送樣業(yè)界高容量SOCAMM2模組,滿足AI數(shù)據(jù)中心對低功耗DRAM的需求

文章出處:【微信號:gh_195c6bf0b140,微信公眾號:Micron美光科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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