引言

在低壓大電流設計的時候，想要省成本、縮體積，所以想省個散熱器，但是又怕過熱炸管子;大封裝倒是散熱好了，結果又占了半塊PCB板。兩難抉擇下，怎么選擇MOS都是坑。今天就給大家扒一款無散熱器也能裸奔的MOS管HKTQ50N03，解決兩難痛點!

HKTQ50N03無散熱設計的三個核心優(yōu)勢

1.超低內阻：HKTQ50N03的導通電阻低至1.8mΩ(@10V)，比行業(yè)同類產品低15%，MOS管發(fā)熱的本質是電路導通損耗，在50A電流下計算導通損耗I2R=4.5W，比競品少的1W意味著溫升直降10-15℃，代表使用這款MOS管不用散熱器也能抗住。

2.超低熱阻：HKTQ50N03通過優(yōu)化封裝工藝，讓銅框架與芯片用銀漿貼合，使得熱阻降低到45℃/W。越低的內阻代表著越快的散熱，而很多時候之所以熱量散不出去、結溫飆升，就是因為熱阻太高。而45℃/W的熱阻意味著每瓦功耗下，溫升才45℃!

3.高冗余結溫：HKTQ50N03的結溫上限175℃，這個數字比行業(yè)標準150℃還高25℃。在車載、工業(yè)設備等環(huán)境的60℃高溫下，結溫能控制在78℃，遠低于這款MOS管的極限值，長期下來運行更穩(wěn)定、更持久!

無散熱器實驗驗證

通過四管并聯的場景測試損耗、計算溫升、測試結溫安全值，我們發(fā)現只要普通面積大于十平方厘米，并且打三到五個連到內層地銅箔的導熱過孔，滿足這兩個條件就能在沒有散熱器的情況下抗住55A的短時脈沖電流。測試結果如下：

總損耗：四管均流，單管損耗僅0.405W;

溫升計算：0.405W×45℃/W≈18℃(單管);

結溫安全值：環(huán)境溫度60℃+18℃=78℃，遠小于175℃極限。

結語

HKTQ50N03的“低損耗+高導熱”特性，完美匹配低壓大電流場景。合科泰專注低壓大電流MOS管研發(fā)，用技術解決工程師的“設計痛點”，讓每一次選型都更安心。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設計、生產、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術及專精特新企業(yè)。專注提供高性價比的元器件供應與定制服務，滿足企業(yè)研發(fā)需求。

產品供應品類：覆蓋半導體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他，一站式配齊研發(fā)與生產所需。

兩大智能生產制造中心：華南和西南制造中心(惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡)配備共3000多臺先進設備及檢測儀器;2024年新增3家半導體材料子公司，從源頭把控產能與交付效率。

提供封裝測試OEM代工：支持樣品定制與小批量試產，配合100多項專利技術與ISO9001、IATF16949認證體系，讓“品質優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅動”為核心，為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。