DRV835xF 系列器件是高度集成的柵極驅(qū)動器，適用于三相無刷直流 （BLDC） 電機應(yīng)用。這些器件型號提供可選的集成電流分流放大器，以支持不同的電機控制方案。

DRV835xF 使用智能柵極驅(qū)動 （SGD） 架構(gòu)來減少 MOSFET 壓擺率控制和保護電路通常所需的外部元件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還優(yōu)化了死區(qū)時間以防止擊穿情況，通過 MOSFET 壓擺率控制靈活地降低電磁干擾 （EMI），并通過 V 防止柵極短路情況GS的顯示器。強大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵導通事件
*附件：drv8350f.pdf

支持各種PWM控制模式（6x、3x、1x和獨立），以便與外部控制器進行簡單接口。這些模式可以減少控制器對電機驅(qū)動器PWM控制信號所需的輸出數(shù)量。該系列器件還包括 1x PWM 模式，用于使用內(nèi)部模塊換向表對 BLDC 電機進行簡單的傳感器梯形控制。

特性

• 9 至 100V，三重半橋柵極驅(qū)動器
  • 可選三重低側(cè)電流分流放大器
• 功能安全質(zhì)量管理
  • 可用于幫助 IEC 61800-5-2 功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
• 智能門驅(qū)動架構(gòu)
  • 可調(diào)節(jié)壓擺率控制，實現(xiàn) EMI 性能
  • VGS的握手和最小死區(qū)時間插入，以防止擊穿
  • 50 mA 至 1 A 峰值源電流
  • 100mA 至 2A 峰值灌電流
  • 通過強下拉緩解 dV/dt
• 集成柵極驅(qū)動器電源
  • 高側(cè)倍增器電荷泵用于 100% PWM 占空比控制
  • 低側(cè)線性穩(wěn)壓器
• 集成三電流分流放大器
  • 可調(diào)增益 （5、10、20、40 V/V）
  • 雙向或單向支持
• 6x、3x、1x 和獨立 PWM 模式
  • 支持 120° 傳感器作
• 提供 SPI 或硬件接口
• 低功耗睡眠模式（V 時為 20 μA 虛擬機 = 48-V）
• 集成保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 柵極驅(qū)動電源欠壓 （GDUV）
  • MOSFET VDS過流保護 （OCP）
  • MOSFET 擊穿預(yù)防
  • 柵極驅(qū)動器故障 （GDF）
  • 熱警告和關(guān)斷 （OTW/OTSD）
  • 故障狀態(tài)指示器 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?高集成度?
  • 集成3個半橋柵極驅(qū)動器，支持9-100V寬電壓范圍，峰值驅(qū)動電流1A（源）/2A（吸）。
  • 可選集成3路低側(cè)電流檢測放大器（DRV8353F），增益可調(diào)（5/10/20/40 V/V）。
• ?智能柵極驅(qū)動架構(gòu)?
  • 動態(tài)調(diào)整MOSFET開關(guān)速率（IDRIVE可調(diào)），優(yōu)化EMI和死區(qū)時間，防止直通。
  • 強下拉電路抑制dV/dt導致的寄生導通。
• ?靈活供電設(shè)計?
  • 支持單電源（VM=VDRAIN）或雙電源（VM獨立供電）架構(gòu)，電荷泵支持100%占空比。
• ?多重保護功能?
  • 包括欠壓鎖定（UVLO）、MOSFET VDS過流保護（OCP）、柵極故障檢測（GDF）、熱關(guān)斷（OTSD）等。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?PWM控制模式?
  • ?6x PWM?：獨立控制高低側(cè)MOSFET，支持高、低、高阻態(tài)。
  • ?3x PWM?：簡化控制邏輯，INHx控制開關(guān)，INLx使能高阻態(tài)。
  • ?1x PWM?：內(nèi)置6步換相表，支持霍爾傳感器直接輸入。
  • ?獨立PWM?：高低側(cè)獨立控制，適合單向有刷電機或獨立負載。
• ?電流檢測?
  • DRV8353F支持雙向/單向電流檢測，可通過SPI配置放大器增益和偏置。
• ?SPI與硬件接口?
  • SPI版本支持寄存器配置和故障診斷，硬件版本通過電阻設(shè)置關(guān)鍵參數(shù)。

?3. 典型應(yīng)用?

• ?工業(yè)設(shè)備?：伺服驅(qū)動器、協(xié)作機器人、AGV。
• ?消費電子?：電動自行車、滑板車、無人機。
• ?其他?：線性電機、工廠自動化設(shè)備。

?4. 設(shè)計要點?

• ?電源設(shè)計?
  • VM需并聯(lián)0.1μF陶瓷電容和≥10μF電解電容。
  • 電荷泵電容（CPH-CPL）：47nF陶瓷電容；VCP電容：1μF/16V。
• ?布局建議?
  • 縮短柵極驅(qū)動回路（GHx-SHx/GLx-SPx），優(yōu)化MOSFET VDS檢測路徑。
• ?熱管理?
  • RTA封裝（40引腳）RθJA=26.1°C/W，需計算結(jié)溫（如單電源48V時功耗約2W，結(jié)溫可達112°C）。