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PKDV5151高壓差分探頭在開(kāi)關(guān)電源MOS管電壓測(cè)試中的應(yīng)用方案

PRBTEK ? 來(lái)源:PRBTEK ? 作者:PRBTEK ? 2025-09-28 14:36 ? 次閱讀
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一、應(yīng)用場(chǎng)景背景

開(kāi)關(guān)電源是電子設(shè)備的核心部件,其穩(wěn)定性與可靠性直接影響設(shè)備的整體性能。在開(kāi)關(guān)電源的研發(fā)和調(diào)試過(guò)程中,MOS管作為關(guān)鍵的功率器件,其漏源電壓(Vds)和柵源電壓(Vgs)的動(dòng)態(tài)特性是重要的測(cè)試指標(biāo)。Vds在開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生高壓脈沖,通常在數(shù)百伏至1500V之間,而Vgs則是低壓驅(qū)動(dòng)信號(hào),約為10-20V。這兩種信號(hào)均為差分信號(hào),且需要在浮地環(huán)境中進(jìn)行測(cè)量。傳統(tǒng)的單端探頭由于接地限制,無(wú)法滿足浮地測(cè)試需求,而低壓探頭又難以承受高壓沖擊。PKDV5151高壓差分探頭憑借其精確的高壓測(cè)量能力和浮地特性,成為這一應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。
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二、PKDV5151探頭適配優(yōu)勢(shì)v

1.量程與精度匹配

PKDV5151支持50X/500X雙量程切換。在500X量程下,最大輸入差分電壓可達(dá)±1500V,能夠覆蓋開(kāi)關(guān)電源MOS管Vds的高壓范圍;50X量程則適用于Vgs的低壓測(cè)量。其±2%的精度能夠準(zhǔn)確捕捉電壓波形的細(xì)節(jié),如尖峰和振蕩。

2.高頻響應(yīng)能力

該探頭具有100MHz的帶寬和≤3.5ns的上升時(shí)間,能夠精確還原MOS管在開(kāi)關(guān)瞬間(納秒級(jí))的電壓變化,避免高頻信號(hào)失真,滿足開(kāi)關(guān)電源高頻化(如600kHz以上)的測(cè)試需求。

3.浮地與抗干擾設(shè)計(jì)

PKDV5151具備浮地測(cè)量特性,無(wú)需與被測(cè)電路共地,解決了開(kāi)關(guān)電源初級(jí)與次級(jí)隔離帶來(lái)的接地難題。其差分輸入阻抗為10MΩ/2pF,在100kHz時(shí)共模抑制比>60dB,能夠有效濾除電網(wǎng)、散熱風(fēng)扇等帶來(lái)的共模干擾。

三、具體測(cè)試流程

(一)測(cè)試準(zhǔn)備

設(shè)備連接

輸出端 :將探頭BNC線連接至示波器,確保BNC端子可靠接地。

輸入端 :根據(jù)測(cè)試點(diǎn)選擇合適的夾具。

電源 :使用標(biāo)配的USB 5V/2A適配器供電,確保綠色電源指示燈亮起。

參數(shù)預(yù)設(shè)

預(yù)估電壓 :Vds約為800V(選擇500X量程),Vgs約為15V(選擇50X量程)。

示波器設(shè)置 :衰減比與探頭一致(500X或50X),時(shí)基調(diào)整至100ns/div(用于捕捉開(kāi)關(guān)瞬間波形),靈敏度設(shè)為100V/div(Vds)或1V/div(Vgs)。

(二)測(cè)試執(zhí)行

安全操作

在測(cè)量前關(guān)閉開(kāi)關(guān)電源,待電容放電完成后連接探頭夾具。

開(kāi)啟電源時(shí),先接通探頭電源,再啟動(dòng)開(kāi)關(guān)電源,以避免瞬間高壓沖擊。

波形采集

記錄Vds波形 :觀察開(kāi)關(guān)導(dǎo)通/關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰(需≤1200V,以避免MOS管過(guò)壓損壞)、振蕩次數(shù)(需≤2次,以確保EMI達(dá)標(biāo))。

記錄Vgs波形 :檢查驅(qū)動(dòng)電壓是否穩(wěn)定(如12V±0.5V),上升/下降時(shí)間是否符合MOS管手冊(cè)要求(如≤100ns)。

干擾控制

將輸入線雙絞處理,以減少電磁耦合。

探頭主體遠(yuǎn)離變壓器、電感等強(qiáng)磁部件,必要時(shí)開(kāi)啟5MHz帶寬限制,以濾除>5MHz的噪聲。

(三)測(cè)試收尾

先關(guān)閉開(kāi)關(guān)電源,等待10秒,確保電容放電后,斷開(kāi)探頭與MOS管的連接。

關(guān)閉探頭電源,拔出BNC線與USB適配器,將探頭放入原配包裝存放。

四、安全與維護(hù)注意事項(xiàng)

嚴(yán)禁超量程使用(例如在Vds測(cè)試時(shí)不可誤切至50X量程)。

定期檢查探頭外皮是否破損,一旦發(fā)現(xiàn)破損應(yīng)立即停用。

測(cè)試環(huán)境濕度需≤85% RH,并遠(yuǎn)離易燃易爆設(shè)備。

每6個(gè)月進(jìn)行一次零點(diǎn)校準(zhǔn),以確保測(cè)量精度。

五、應(yīng)用效果評(píng)估

通過(guò)PKDV5151的精確測(cè)量,工程師可以快速定位開(kāi)關(guān)電源的常見(jiàn)問(wèn)題。例如,Vds尖峰過(guò)高可能源于吸收電路設(shè)計(jì)不合理,Vgs波動(dòng)過(guò)大可能是驅(qū)動(dòng)電路阻抗不匹配。與傳統(tǒng)測(cè)試方案相比,PKDV5151的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在:

測(cè)量誤差≤2%,避免因數(shù)據(jù)失真導(dǎo)致的設(shè)計(jì)誤判。

100MHz帶寬能夠完整捕捉高頻細(xì)節(jié),助力優(yōu)化EMC性能。

浮地設(shè)計(jì)與抗干擾能力,使復(fù)雜工況下的測(cè)試效率提升40%。

審核編輯 黃宇

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