電子發(fā)燒友網綜合報道 12英寸碳化硅在近期產業(yè)內迎來兩大新需求：AI眼鏡市場爆發(fā)，推動碳化硅AR光波導鏡片量產節(jié)奏；為了進一步提高散熱效率，英偉達決定在下一代Rubin GPU中，將用碳化硅中介層替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層，并最晚在2027年廣泛應用。

碳化硅過去的主力市場是功率器件，但功率器件市場需求增速存在瓶頸，從6英寸到8英寸的進程花費時間較長，除了技術原因之外，市場需求也是其中的關鍵。

6英寸碳化硅襯底只能滿足兩副AR眼鏡的生產，8英寸也只能滿足4副眼鏡的需求，AR碳化硅光波導鏡片要想實現(xiàn)降本和大規(guī)模產能，就需要更大尺寸的碳化硅材料；先進制程工藝基于12英寸硅晶圓，因此在封裝工藝中運用碳化硅，需要與硅晶圓同等尺寸的碳化硅襯底。得益于AR以及先進封裝的新需求，12英寸碳化硅的產業(yè)化進展正在持續(xù)加速。

在今年3月，天岳先進展出了12英寸高純半絕緣型SiC襯底；爍科晶體去年12月宣布成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底。而8英寸的半絕緣型SiC襯底，天科合達、同光股份、浙江晶銳等廠商都已經推出相關產品，面向光學應用。

今年二季度，山西天成半導體先后攻克了大尺寸擴徑工藝和低缺陷N型單晶材料的生長工藝，成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料。

在最近一個月，也有更多廠商成功制備出12英寸碳化硅，以及在12英寸碳化硅相關技術上實現(xiàn)突破。

連科半導體8月底表示，他們采用中宜創(chuàng)芯提供的7N高純碳化硅粉體，依托完全自主研發(fā)的12吋碳化硅長晶爐及其熱場，成功生長出高品質12吋（304mm）碳化硅晶錠。

科友半導體在9月8日宣布，依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶爐及熱場技術，成功制備出12英寸碳化硅晶錠。這一成果標志著科友成為國內少數同時掌握12英寸碳化硅晶體生長設備與工藝全套核心技術的半導體企業(yè)，實現(xiàn)了從設備到材料的全面自主突破。

同一天，晶飛半導體也宣布在碳化硅晶圓加工技術領域取得重大突破，成功利用自主研發(fā)的激光剝離設備實現(xiàn)了12英寸碳化硅晶圓的剝離。該突破標志著中國在第三代半導體關鍵制造裝備領域邁出重要一步，為全球碳化硅產業(yè)的降本增效提供了全新解決方案。該技術此前在6/8英寸碳化硅領域已通過多家客戶驗證，設備性能達到國際先進水平。

9月10日，環(huán)球晶宣布已經開發(fā)出12英寸方形碳化硅晶圓，董事長徐秀蘭表示，改采用方形片，不只需要制程能力，還需要設備能力，因為并沒有現(xiàn)成設備可用，相關周邊也要跟著變化，否則以晶圓盒來說，方形晶圓會比盒子還大。并透露公司已經開發(fā)出不用激光的12英寸碳化硅晶圓切割方法。

近期，也有博主透露，英飛凌已經成功開發(fā)出12英寸碳化硅晶圓，但未知襯底供應商以及晶圓量產情況。

總體來看，隨著下游應用需求的爆發(fā)，12英寸SiC的落地進程大概率會比6英寸到8英寸過渡的周期短得多。