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SN74HCS573 Octal D-Type Latch技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-09-24 10:27 ? 次閱讀
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Texas Instruments SN74HCS573/SN74HCS573-Q1八路透明D型鎖存器包含八個(gè)D型鎖存器。所有輸入均包括施密特觸發(fā)器架構(gòu)。所有通道共享鎖存使能 (LE) 輸入和輸出使能 (OE) 輸入。Texas Instruments SN74HCS573/SN74HCS573-Q1具有直通式引腳排列,便于進(jìn)行總線布線。

數(shù)據(jù)手冊(cè):

*附件:SN74HCS573數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

*附件:SN74HCS573-Q1數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

  • 采用可濕性側(cè)翼QFN (WBQB) 封裝
  • 寬工作電壓范圍:2V至6V
  • 低功耗
    • 典型I CC :100nA
    • 典型輸入漏電流:±100nA
  • 施密特觸發(fā)輸入可應(yīng)對(duì)緩慢或嘈雜的輸入信號(hào)
  • 輸出驅(qū)動(dòng):±7.8mA (6V)
  • TA擴(kuò)展環(huán)境溫度范圍:–40°C至+125°C

功能框圖

1.png

SN74HCS573 Octal D-Type Latch技術(shù)解析

一、器件概述

SN74HCS573是德州儀器(TI)推出的一款八通道D型透明鎖存器,屬于HCS系列高速CMOS邏輯器件。該器件采用Schmitt-trigger輸入架構(gòu)和3態(tài)輸出,具有流式引腳排列(Flow-Through Pinout)設(shè)計(jì),方便總線布線。

?主要特點(diǎn)?:

  • 寬工作電壓范圍:2V至6V
  • 低功耗特性:典型ICC僅100nA,典型輸入漏電流±100nA
  • 6V供電時(shí)±7.8mA輸出驅(qū)動(dòng)能力
  • 擴(kuò)展工作溫度范圍:-40°C至+125°C
  • 所有輸入均采用Schmitt-trigger架構(gòu),可接受緩慢或噪聲輸入信號(hào)

二、功能描述

2.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)

SN74HCS573包含八個(gè)D型鎖存器,所有通道共享一個(gè)鎖存使能(LE)輸入和輸出使能(OE)輸入。功能框圖顯示器件采用共享控制邏輯設(shè)計(jì),每個(gè)鎖存器由D觸發(fā)器和輸出緩沖器組成。

2.2 工作模式

器件具有四種工作模式,由OE和LE信號(hào)控制:

OELED輸出狀態(tài)
LHLL
LHHH
LLX保持前狀態(tài)(Q0)
HXX高阻抗(Z)

?關(guān)鍵點(diǎn)?:

  • 當(dāng)LE為高電平時(shí),數(shù)據(jù)從D端透明傳輸?shù)絈端
  • 當(dāng)LE為低電平時(shí),Q端保持最后狀態(tài),不受D端變化影響
  • OE低電平激活輸出,高電平使輸出呈高阻態(tài)

三、電氣特性

3.1 電源參數(shù)

  • 絕對(duì)最大供電電壓:7V
  • 推薦工作電壓:2V-6V
  • 靜態(tài)電流:6V時(shí)最大2μA
  • 輸入漏電流:±100nA(典型值),±1μA(最大值)

3.2 輸入特性

  • Schmitt-trigger輸入閾值:
    • 2V供電:VT+=0.7V(典型),VT-=0.3V(典型)
    • 6V供電:VT+=2.1V(典型),VT-=1.2V(典型)
  • 輸入滯后電壓(ΔVT):
    • 2V供電:0.2V(典型)
    • 6V供電:0.6V(典型)

3.3 輸出特性

  • 輸出驅(qū)動(dòng)能力:
    • 6V供電時(shí)可提供±7.8mA驅(qū)動(dòng)電流
    • 輸出阻抗:典型值26Ω(LOW狀態(tài))和30Ω(HIGH狀態(tài))
  • 傳輸延遲:
    • 6V供電時(shí)D→Q延遲典型值9.6ns
    • LE→Q延遲典型值9.6ns

四、應(yīng)用設(shè)計(jì)指南

4.1 典型應(yīng)用電路

SN74HCS573常用于8位數(shù)據(jù)總線控制,典型應(yīng)用包括:

  • 并行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
  • 數(shù)字總線緩沖
  • 數(shù)據(jù)保持電路

?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?:

  1. 電源旁路:每個(gè)VCC引腳應(yīng)添加0.1μF去耦電容,盡量靠近器件
  2. 未用輸入處理:必須接VCC或GND,推薦通過(guò)10kΩ電阻連接
  3. 輸出負(fù)載:建議電容負(fù)載≤50pF,電阻負(fù)載≥VO/IO
  4. 熱設(shè)計(jì):RθJA為83.2°C/W(VQFN封裝),需考慮散熱

4.2 布局建議

  • 避免90°走線拐角
  • 地平面覆銅可改善信號(hào)隔離和散熱
  • 未用輸出可懸空,但不應(yīng)直接連接電源或地
  • 旁路電容應(yīng)盡可能靠近電源引腳

五、封裝信息

SN74HCS573提供兩種封裝選項(xiàng):

  1. RKS(VQFN-20):4.5mm×2.5mm體尺寸,0.5mm引腳間距
  2. DGS(VSSOP-20):5.1mm×3.0mm體尺寸,0.65mm引腳間距

兩種封裝均符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),MSL等級(jí)為1級(jí)(260°C無(wú)限制回流)。

六、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

  1. 上電行為:若LE在啟動(dòng)時(shí)保持低電平,輸出狀態(tài)不確定,需在LE變高后建立有效狀態(tài)
  2. 總線競(jìng)爭(zhēng):避免多個(gè)器件同時(shí)驅(qū)動(dòng)總線,通過(guò)OE信號(hào)控制
  3. 噪聲抑制:利用Schmitt-trigger輸入的滯后特性(ΔVT)增強(qiáng)抗噪能力
  4. 驅(qū)動(dòng)能力:并聯(lián)使用多個(gè)通道可增加驅(qū)動(dòng)能力,但需注意電流限制
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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