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暴漲30%!三星引爆存儲芯片地震:AI狂飆撕碎供需平衡

Simon觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃山明 ? 2025-09-24 08:45 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道
全球存儲市場正掀起一場前所未有的漲價風暴。全球最大的存儲芯片制造三星電子近日宣布,旗下DRAM和NAND閃存產(chǎn)品價格全線上調(diào),部分型號漲幅高達30%,猶如一顆巨石投入平靜的池水,在科技產(chǎn)業(yè)激起層層漣漪。這場看似突如其來的漲價風波,實則是全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈供需關系劇烈變化的集中爆發(fā)。

DRAM產(chǎn)品的漲價幅度尤為驚人,其中LPDDR4X、LPDDR5等移動端核心存儲芯片的價格漲幅達到30%,NAND閃存的eMMC和UFS產(chǎn)品價格也普遍上調(diào)5%-10%。

消息人士透露,三星此番調(diào)價并非單純的市場行為,而是多重因素共同作用的結(jié)果——既有老款產(chǎn)品產(chǎn)線逐步退出帶來的產(chǎn)能收縮,也有云計算巨頭對數(shù)據(jù)中心存儲設備需求的爆炸式增長。

尤其值得注意的是,隨著生成式AI技術的廣泛應用,英偉達GPU集群對高速存儲器的消耗量已超出市場預期,這迫使三星不得不將產(chǎn)能向利潤更高的HBM芯片傾斜,進一步擠壓了傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品的供給。

這場漲價風暴的影響遠不止于此。在三星宣布漲價前,業(yè)界已經(jīng)有了不小的反應,美光科技緊急暫停所有存儲產(chǎn)品報價,計劃調(diào)漲20%-30%;閃迪則直接對全線消費級產(chǎn)品執(zhí)行10%的普漲,部分汽車電子存儲芯片漲幅甚至高達70%。

這些動作折射出整個存儲行業(yè)的集體焦慮——在AI算力需求井噴的當下,存儲廠商正面臨著前所未有的兩難抉擇:既要保障傳統(tǒng)消費電子市場的基本盤,又要在AI競賽中搶占技術制高點。

在這場存儲行業(yè)的變革浪潮中,中國市場扮演著舉足輕重的角色。作為全球最大的電子產(chǎn)品制造基地,中國每年進口的存儲芯片規(guī)模超過千億美元。

三星等巨頭的漲價舉措,無疑將推高下游企業(yè)的生產(chǎn)成本,進而傳導至消費端。但換個角度看,這也倒逼著國產(chǎn)存儲企業(yè)加快技術突破的步伐。合肥長鑫、長江存儲等本土廠商近年來在DRAM和NAND領域取得的進展,或許將在這個特殊的歷史節(jié)點迎來新的發(fā)展機遇。

資本市場早已敏銳捕捉到行業(yè)風向的變化。三星電子股價在漲價消息公布后單日飆升4.77%,創(chuàng)下近一年新高,市值逼近3000億美元大關。分析師指出,存儲芯片作為數(shù)字時代的新石油,其戰(zhàn)略價值正在被重新定義。隨著HBM技術進入量產(chǎn)階段,擁有先進制程能力的存儲廠商將獲得更高的議價權(quán),行業(yè)集中度或?qū)⑦M一步提升。

在這場看似由供給短缺引發(fā)的漲價潮背后,更深刻的變革正在發(fā)生。當AI服務器的算力需求以每年翻番的速度增長,當自動駕駛汽車每天產(chǎn)生數(shù)TB的數(shù)據(jù),傳統(tǒng)的存儲架構(gòu)已難以滿足需求。

三星等巨頭押注的HBM技術,正是為了突破馮·諾依曼架構(gòu)的瓶頸而生——通過將存儲單元與計算單元深度融合,實現(xiàn)數(shù)據(jù)吞吐量的指數(shù)級提升。這種技術革新帶來的不僅是產(chǎn)品價格的波動,更是整個存儲體系的代際更替。

從更長遠的視角審視,存儲芯片的漲價周期往往與技術創(chuàng)新周期高度重合。2017年的漲價潮催生了3D NAND技術的普及,2021年的缺貨危機加速了DDR5的商用進程。此次漲價風波過后,我們或?qū)⒁娮C存算一體芯片的商業(yè)化落地,以及量子存儲技術的破繭而出。對于中國科技企業(yè)而言,與其被動應對價格波動,不如主動擁抱技術變革,在存儲革命的浪潮中搶占先機。
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