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ISOUSB111DWX隔離式USB中繼器評估模塊技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-09-12 09:53 ? 次閱讀
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Texas Instruments ISOUSB111DWXEVM評估模塊 (EVM) 用于評估采用16引腳SSOP封裝 (DWZ-16) 的高性能、5000VRMS 增強型隔離USB中繼器。該評估模塊具有測試點和跳線選項,因此使用極少的外部元件就能進(jìn)行評估。這些測試點讓用戶可以在將器件集成到用戶設(shè)計中之前,對ISOUSB111DWX器件徹底進(jìn)行評估。為了方便評估模塊由各種電源供電,包括穩(wěn)壓電源、標(biāo)準(zhǔn)USB 2.0插座和標(biāo)準(zhǔn)直流適配器,該評估模塊包括一個變壓器驅(qū)動器 (SN6501)、一個變壓器 (CMP-0030614-1) 和三個可調(diào)輸出LDO(TPS76701和TPS73701)。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments ISOUSB111DWXEVM評估模塊 (EVM)數(shù)據(jù)手冊.pdf

Texas Instruments ISOUSB111DWXEVM可配置為使用所提供的LDO為3.3V電源供電,或者繞過這些外部LDO,使用內(nèi)部LDO??梢詫υ撛u估模塊進(jìn)行更改,改后用或不用外部LDO和測試配置都能工作。該評估模塊可驗證ISOUSB111DWX數(shù)據(jù)表中的許多參數(shù),如數(shù)據(jù)傳輸速率、電流消耗等。某些規(guī)格參數(shù)要求與ISOUSB111DWXEVM不同的測試設(shè)置配置,因此該評估模塊無法驗證這些規(guī)格參數(shù)。

特性

  • 高性能、5000VRMS 增強型隔離USB2.0中繼器評估模塊
  • 支持高速/全速/低速
  • 該評估模塊經(jīng)過測試,包含用于評估器件ISOUSB211的配置

測試設(shè)置

1.png

ISOUSB111DWX隔離式USB中繼器評估模塊技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述

ISOUSB111DWXEVM是德州儀器(TI)推出的一款針對ISOUSB111DWX隔離式USB中繼器的評估模塊。該模塊支持全速(12Mbps)和低速(1.5Mbps)USB 2.0信號傳輸,提供5700VRMS的隔離電壓和1060VRMS的工作電壓。

?核心特性?:

  • 符合USB 2.0規(guī)范的全速/低速隔離中繼器
  • 自動速度和連接檢測功能
  • 支持上下行端口角色自動反轉(zhuǎn)
  • 采用二氧化硅(SiO2)絕緣屏障技術(shù)
  • 工作溫度范圍:-40°C至+125°C
  • 提供基礎(chǔ)隔離和增強隔離兩種版本

二、評估模塊架構(gòu)設(shè)計

2.1 主要功能配置

ISOUSB111DWXEVM評估板設(shè)計靈活,支持多種供電配置:

  • ?內(nèi)部LDO模式?:利用ISOUSB111內(nèi)置LDO生成3.3V電源
  • ?外部LDO模式?:通過板載TPS73701/TPS76701 LDO提供電源
  • ?USB供電?:可直接從USB Type-B接口獲取5V電源
  • ?外部電源?:通過測試點TP5接入外部5V電源

2.2 典型應(yīng)用場景

該評估模塊適用于多種需要電氣隔離的USB應(yīng)用:

三、硬件設(shè)計分析

3.1 電路架構(gòu)

評估板采用單芯片解決方案,關(guān)鍵外圍電路包括:

  • ?隔離電源?:SN6501變壓器驅(qū)動器+CMP-0030614-1變壓器
  • ?電源管理?:三路可配置LDO(TPS73701×2, TPS76701×1)
  • ?ESD保護?:TPD2E2U06雙通道高速ESD保護器件
  • ?濾波電路?:多組0.1μF/1μF/10μF去耦電容

3.2 接口與測試點

評估板提供豐富的接口和測試點:

  • ?USB接口?:標(biāo)準(zhǔn)Type-B和Type-A插座各一個
  • ?電源測試點?:TP1(5V1)、TP3(3.3V1)、TP5(5VEXT)、TP7(3.3V2)
  • ?信號測試點?:TP8(UD+)、TP10(UD-)、TP11(DD+)、TP13(DD-)
  • ?配置跳線?:J10(LDO使能)、J1-J8(電阻配置)

四、配置與評估方法

4.1 基本配置選項

通過配置不同電阻可實現(xiàn)多種工作模式:

電阻功能描述默認(rèn)狀態(tài)
R9連接VBUS1至Type-B VBUSDNP
R10/R11連接U4 LDO至VBUS1/V3P3V1DNP
R14連接VBUS2至U3 LDO輸出DNP
R15/R16連接U5 LDO至VBUS2/V3P3V2DNP

4.2 典型評估流程

  1. ?硬件連接?:
    • 將USB主機連接到J1(Type-B)
    • 將USB設(shè)備連接到J4(Type-A)
    • 根據(jù)需要配置電源跳線(J10)
  2. ?模式選擇?:
    • 內(nèi)部LDO模式:不焊接R10/R11和R15/R16
    • 外部LDO模式:焊接R10/R11和/或R15/R16
  3. ?信號觀測?:
    • 使用示波器監(jiān)測TP8/TP10(上行)和TP11/TP13(下行)
    • 檢查電源質(zhì)量(TP1/TP3/TP5/TP7)

五、PCB設(shè)計與布局指南

評估板采用四層板設(shè)計,關(guān)鍵布局特點:

  • ?隔離屏障?:上下行電路嚴(yán)格分離,保持≥8mm爬電距離
  • ?電源布局?:多層鋪銅降低阻抗,多組去耦電容就近放置
  • ?信號完整性?:USB差分對嚴(yán)格等長,阻抗控制為90Ω
  • ?測試便利性?:所有關(guān)鍵信號引出測試點,方便探測

六、設(shè)計參考與物料清單

評估板提供完整的參考設(shè)計:

  • ?原理圖?:包含電源、隔離、信號完整性的完整設(shè)計
  • ?PCB布局?:頂層/底層布局圖和3D視圖
  • ?BOM清單?:詳細(xì)物料清單,含器件參數(shù)和供應(yīng)商信息

?關(guān)鍵器件選擇建議?:

  • 隔離變壓器:CMP-0030614-1(定制型號)
  • LDO:TPS73701(單路)、TPS76701(雙路)
  • ESD保護:TPD2E2U06(超低電容)

七、應(yīng)用注意事項

  1. ?安全規(guī)范?:
    • 評估模塊僅用于參數(shù)性能評估,不適用于隔離電壓測試
    • 所有電源和數(shù)字I/O電壓必須保持在0-5.5V范圍內(nèi)
  2. ?信號完整性?:
    • 全速模式(12Mbps)需嚴(yán)格控制差分對長度匹配
    • 建議使用阻抗匹配的測試探頭
  3. ?電源設(shè)計?:
    • 隔離電源需滿足系統(tǒng)功率需求
    • 注意LDO的散熱設(shè)計,特別是大電流應(yīng)用
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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