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?TLC3555-Q1 汽車級高速CMOS定時器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-09-10 14:31 ? 次閱讀
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TLC3555-Q1 是一款采用 TI CMOS 工藝制造的單片定時電路。該定時器與CMOS、TTL和MOS邏輯完全兼容,工作頻率高達(dá)3MHz甚至更高。TLC3555-Q1 從性能和功能角度改進(jìn)了現(xiàn)有的 TLC555-Q1,具有更嚴(yán)格的規(guī)格容差和附加功能,例如熱關(guān)斷和上電復(fù)位。

TLC3555-Q1 的觸發(fā)、閾值和復(fù)位邏輯遵循與 TLC555-Q1 相同的真值表。將復(fù)位引腳 (RESET) 設(shè)置為高電平以進(jìn)行典型作,或?qū)?fù)位引腳設(shè)置為低電平以復(fù)位觸發(fā)器并強(qiáng)制輸出為低電平。TLC3555-Q1 具有從 RESET 到 VDD 的內(nèi)部上拉電阻,可以減少無源計數(shù)并節(jié)省電路板面積。
*附件:tlc3555-q1.pdf

由于傳播延遲低,上升和下降時間快,TLC3555-Q1 支持比 NE555 和 TLC555-Q1 等以前的定時器更高頻率的非穩(wěn)態(tài)作。在 15V 電源下,TLC3555-Q1 在 TI 的傳統(tǒng)非穩(wěn)態(tài)測試電路中實現(xiàn)了 3.1MHz 的干凈方波。當(dāng)用作振蕩器時,輸出和輸入連接在一起,TLC3555-Q1 的振蕩頻率為 7.2MHz。電路寄生在高頻響應(yīng)中占主導(dǎo)地位。除了與 TLC555-Q1 引腳兼容的 D 封裝外,TLC3555-Q1 還采用 DDF 封裝,可實現(xiàn)簡潔的實現(xiàn),減少寄生效應(yīng)。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用:
    • 溫度等級 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 功能安全功能
  • 極低功耗
    • VDD = 5V時為1mW (典型值)
  • 高達(dá) 3MHz 的不穩(wěn)定運(yùn)行
  • CMOS輸出能夠擺動軌到軌
  • 高輸出電流能力
  • 輸出與 CMOS、TTL 和 MOS 邏輯完全兼容
  • 集成 RESET 上拉至 VDD
  • 開機(jī)復(fù)位至已知狀態(tài)
  • 集成熱關(guān)斷保護(hù)
  • 1.5V至18V的單電源工作

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
TLC3555-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級高速CMOS定時器,基于改進(jìn)的TI CMOS工藝,兼容CMOS/TTL/MOS邏輯,工作頻率可達(dá)3MHz以上。作為TLC555-Q1的升級版,其特性包括:

  • ?AEC-Q100認(rèn)證?:支持-40°C至+125°C工作溫度(Grade 1)。
  • ?低功耗?:典型功耗1mW(VDD=5V)。
  • ?高輸出驅(qū)動能力?:灌電流200mA,拉電流50mA。
  • ?集成功能?:內(nèi)置RESET上拉電阻、電源復(fù)位(POR)和熱關(guān)斷保護(hù)。
  • ?寬電壓范圍?:單電源供電1.5V至18V。

?2. 關(guān)鍵特性?

  • ?性能提升?:相比NE555/TLC555-Q1,傳播延遲更低,支持更高頻率的無穩(wěn)態(tài)振蕩(實測7.2MHz)。
  • ?封裝選項?:提供8引腳SOIC(D)和SOT-23-THIN(DDF)封裝,后者減小寄生效應(yīng)。
  • ?功能安全?:提供功能安全設(shè)計文檔支持。

?3. 應(yīng)用場景?

  • 汽車照明、儀表盤、遠(yuǎn)程信息處理
  • 脈沖生成、時序控制、PWM調(diào)制
  • MOSFET柵極驅(qū)動

?4. 功能模式與電路設(shè)計?

  • ?單穩(wěn)態(tài)模式?:通過外部觸發(fā)生成固定脈寬信號,脈寬公式:tw = 1.1 × RA × CT。
  • ?無穩(wěn)態(tài)模式?:通過RA/RB/CT配置振蕩頻率,占空比可調(diào)(需注意高頻下寄生電容影響)。
  • ?調(diào)制功能?:通過CONT引腳輸入電壓可調(diào)整閾值/觸發(fā)電平,實現(xiàn)PWM或PPM。

?5. 電氣參數(shù)?

  • ?閾值/觸發(fā)電壓?:分別約為2/3 VDD和1/3 VDD(典型值)。
  • ?熱阻?:D封裝θJA=138.9°C/W,DDF封裝θJA=211.3°C/W。
  • ?ESD保護(hù)?:HBM ±2000V,CDM ±500V。

?6. 設(shè)計建議?

  • ?布局優(yōu)化?:高頻應(yīng)用需縮短定時元件走線,減少寄生電容。
  • ?電源去耦?:推薦0.1μF陶瓷電容并聯(lián)1μF電解電容。
  • ?熱管理?:持續(xù)高電流輸出可能觸發(fā)熱關(guān)斷,需限制瞬態(tài)持續(xù)時間。

?7. 文檔支持?
包含評估模塊(EVM)指南、參考設(shè)計(如汽車LED驅(qū)動)及功能安全文檔。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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