近年來(lái)，光儲(chǔ)充和電動(dòng)汽車（EV）等新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，導(dǎo)致了直流支撐（DC-Link）電容需求的急劇增長(zhǎng)。簡(jiǎn)而言之，DC-Link電容在電路中扮演著至關(guān)重要的角色，它能夠吸收母線端的高脈沖電流，同時(shí)平滑母線電壓，確保IGBT和SiC MOSFET開(kāi)關(guān)在運(yùn)作過(guò)程中免受高脈沖電流和瞬時(shí)電壓的不利影響。

隨著新能源汽車的母線電壓從400V提升至800V，薄膜電容的需求因此顯著增加。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2022年基于DC-Link薄膜電容的電驅(qū)逆變器裝機(jī)量已達(dá)到511.17萬(wàn)套，占電控裝機(jī)量的88.7%。諸如特斯拉、日本電產(chǎn)等眾多領(lǐng)先電控企業(yè)的驅(qū)動(dòng)逆變器均采用了DC-Link薄膜電容，其裝機(jī)量占比高達(dá)82.9%，成為電驅(qū)市場(chǎng)的主流選擇。

研究論文顯示，在硅IGBT半橋逆變器中，直流環(huán)節(jié)通常使用傳統(tǒng)電解電容，但會(huì)出現(xiàn)電壓浪涌，這是由于電解電容的ESR較高。與硅基IGBT方案相比，SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率更高，因此半橋逆變器直流鏈路中的電壓浪涌幅度更高，有可能導(dǎo)致器件性能下降甚至損壞，并且電解電容器的諧振頻率僅為4kHz，不足以吸收SiC MOSFET逆變器的電流紋波。

因此，在可靠性要求更高的電驅(qū)逆變器和光伏逆變器等直流應(yīng)用場(chǎng)合，通常會(huì)選擇使用薄膜電容，相比鋁電解電容器，其性能優(yōu)勢(shì)在于耐壓更高、ESR更低、無(wú)極性、性能更穩(wěn)定、壽命更長(zhǎng)，從而可以實(shí)現(xiàn)抗紋波能力更強(qiáng)、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

使用薄膜電容的系統(tǒng)能發(fā)揮SiC MOSFET的高頻、低損耗優(yōu)勢(shì)，減小被動(dòng)元件體積和重量。Wolfspeed研究顯示，10kW硅基IGBT逆變器需22顆鋁電解電容，而40kW SiC逆變器僅需8顆薄膜電容，PCB面積也大幅減少。

為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求，永銘電子推出MDP系列薄膜電容器，采用先進(jìn)工藝和優(yōu)質(zhì)材料，適配SiC MOSFET和硅基IGBT。MDP系列電容特點(diǎn)包括低ESR、高耐壓、低漏電流和高溫度穩(wěn)定性。

永銘電子薄膜電容產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

永銘電子的薄膜電容器設(shè)計(jì)采用低ESR理念，降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓應(yīng)力和能量損耗，提高系統(tǒng)能效。具備高額定電壓，適應(yīng)高電壓環(huán)境，確保系統(tǒng)穩(wěn)定。

MDP系列電容器容量范圍1uF-500uF，電壓范圍500伏至1500伏。具有更低漏電流和更高溫度穩(wěn)定性。通過(guò)高品質(zhì)材料和先進(jìn)工藝，設(shè)計(jì)高效散熱結(jié)構(gòu)，確保高溫下性能穩(wěn)定，延長(zhǎng)使用壽命，為電力電子系統(tǒng)提供可靠支撐。同時(shí)，MDP系列電容器體積緊湊，功率密度高，采用創(chuàng)新薄膜制造工藝，提升系統(tǒng)集成度和效率，減小體積和重量，增加設(shè)備便攜性和靈活性。

永銘電子DC-Link薄膜電容器系列在dv/dt耐受能力上提升30%，使用壽命增長(zhǎng)30%，提高SiC/IGBT電路可靠性，帶來(lái)更好的成本效益，解決價(jià)格難題。