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德州儀器TCAL6408 I2C總線/SMBus IO擴展器技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-08-29 09:54 ? 次閱讀
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Texas Instruments TCAL6408 I^2^C總線/SMBus I/O擴展器可為兩線雙向I^2^C總線(或SMBus)協(xié)議提供通用并行輸入/輸出(I/O)擴展。該器件的工作電源電壓范圍為1.08V至3.6V(在I^2^C總線側(cè),為V CCI ;在P端口側(cè),為V CCP )。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TCAL6408 I2C總線SMBus IO擴展器數(shù)據(jù)手冊.pdf

該器件支持100kHz(標準模式)、400kHz(快速模式)和1MHz(快速+模式)的I^2^C時鐘頻率。當開關(guān)、傳感器、按鈕、LED、風扇等設(shè)備需要額外使用I/O時,I/O擴展器(例如TCAL6408)可提供簡單解決方案。

Texas Instruments TCAL6408具有敏捷I/O端口,還包括旨在提高I/O在速度、功耗和EMI方面性能的額外性能。這些其他特性包括可編程輸出驅(qū)動強度、上拉/下拉電阻、可閉鎖輸入、可屏蔽中斷、中斷狀態(tài)寄存器以及可編程開漏或推挽輸出。

特性

  • 工作電源電壓范圍:1.08 V至3.6 V
  • 支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V I^2^C總線與P端口之間進行雙向電壓電平轉(zhuǎn)換和GPIO擴展
  • 1.8V時具有1μA(典型值)的低待機電流消耗
  • 1MHz快速+模式I^2^C總線
  • 硬件地址引腳,允許在同一I^2^C/SMBus總線上支持兩個器件
  • 低電平有效復(fù)位輸入 (RESET)
  • 低電平有效的開漏中斷輸出 (INT)
  • 輸入或輸出配置寄存器
  • 極性反轉(zhuǎn)寄存器
  • 可配置I/O驅(qū)動強度寄存器
  • 上拉和下拉電阻器配置寄存器
  • 內(nèi)部上電復(fù)位
  • SCL/SDA輸入端靜噪濾波
  • 鎖存輸出帶大電流驅(qū)動最大能力,用以直接驅(qū)動LED
  • 閉鎖性能超過100mA,符合JESD 78 II類標準
  • 靜電放電保護超出JESD 22標準
    • 4000V人體模型 (A114-A)
    • 1000V充電器件模型 (C101)

簡化版原理圖

1.png

德州儀器TCAL6408 I2C總線/SMBus IO擴展器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述與核心特性

TCAL6408是德州儀器(TI)推出的一款8位雙向電壓轉(zhuǎn)換I2C總線/SMBus IO擴展器,具有中斷輸出、復(fù)位和靈活I(lǐng)O配置寄存器功能。該器件具有以下顯著特性:

  • ?寬電壓工作范圍?:支持1.08V至3.6V工作電壓,可實現(xiàn)1.2V、1.8V、2.5V和3.3V I2C總線與P端口間的雙向電壓電平轉(zhuǎn)換
  • ?超低功耗?:1.8V時典型待機電流僅1μA
  • ?高速接口?:支持1MHz快速模式Plus I2C總線
  • ?靈活配置?:硬件地址引腳允許同一I2C總線上連接兩個器件
  • ?增強型IO功能?:可配置輸出驅(qū)動強度、可編程上拉/下拉電阻、鎖存輸入、可屏蔽中斷等
  • ?強大保護功能?:ESD保護超過JESD 22標準(4000V HBM/1000V CDM)

二、關(guān)鍵電氣參數(shù)

2.1 電源規(guī)格

  • ?工作電壓范圍?:VCCI(總線側(cè))和VCCP(P端口側(cè))均為1.08V至3.6V
  • ?靜態(tài)電流?:
    • 快速模式(400kHz)下7μA(典型值)
    • 待機模式下1.5μA(典型值)
  • ?POR閾值?:上升沿0.85V(典型值),下降沿0.75V(典型值)

2.2 驅(qū)動能力

  • ?輸出高電平?:VOH = VCCP-33mV @100mA
  • ?輸出低電平?:VOL = 33mV @100mA
  • ?可調(diào)驅(qū)動強度?:四檔可編程(25%/50%/75%/100%)

2.3 時序特性

  • ?I2C總線時序?:
    • 標準模式:100kHz
    • 快速模式:400kHz
    • 快速模式Plus:1MHz
  • ?中斷響應(yīng)時間?:典型值1μs

三、功能模塊詳解

3.1 電壓轉(zhuǎn)換機制

TCAL6408支持I2C總線側(cè)(VCCI)與P端口側(cè)(VCCP)之間的雙向電壓轉(zhuǎn)換,典型電壓組合包括但不限于:

  • 1.2V ? 1.8V/2.5V/3.3V
  • 1.8V ? 2.5V/3.3V
  • 2.5V ? 3.3V

3.2 增強型IO功能

  • ?可編程驅(qū)動強度?:通過CC-XX寄存器位控制,每IO可獨立配置四檔驅(qū)動電流
  • ?上拉/下拉電阻?:100kΩ可編程電阻,可通過寄存器獨立啟用/禁用
  • ?輸入鎖存?:鎖存輸入狀態(tài)變化,防止短脈沖丟失
  • ?中斷管理?:可屏蔽中斷、中斷狀態(tài)寄存器

3.3 保護機制

  • ?ESD保護?:4000V人體模型(HBM),1000V充電器件模型(CDM)
  • ?熱特性?:結(jié)溫范圍-40°C至+125°C
  • ?輸出保護?:禁止IO引腳直接接地(建議串聯(lián)>10kΩ電阻)

四、典型應(yīng)用設(shè)計

4.1 硬件設(shè)計要點

  1. ?上拉電阻計算?:
    • 最小值:Rp_min = (VCCI - VOL_max)/IOL
    • 最大值:Rp_max = tr/(0.8473×Cb)
  2. ?LED驅(qū)動設(shè)計?:
    • 建議并聯(lián)高阻值電阻(如100kΩ)或使用VCCP < LED供電電壓至少VT
  3. ?布局建議?:
    • 旁路電容盡量靠近器件
    • 信號線避免直角走線
    • 四層板優(yōu)先,專用電源和地層

4.2 寄存器配置流程

  1. ?初始化序列?:
    • 配置輸出驅(qū)動強度(寄存器40h/41h)
    • 設(shè)置上拉/下拉(寄存器43h/44h)
    • 配置IO方向(寄存器03h)
  2. ?中斷配置?:
    • 啟用輸入鎖存(寄存器42h)
    • 設(shè)置中斷掩碼(寄存器45h)
    • 讀取中斷狀態(tài)(寄存器46h)
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