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?TI TPS48111Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-08-28 14:15 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS48111Q1EVM評估模塊支持用戶評估TPS48111-Q1驅(qū)動器。TPS48111-Q1是一款3.5V至80V智能高側(cè)控制器,設(shè)有預(yù)充電驅(qū)動器。TI TPS48111-Q1提供兩級可調(diào)過流保護(hù),具有可調(diào)斷路器定時器、快速短路、精確模擬電流監(jiān)控器輸出和遠(yuǎn)程過熱保護(hù)特性。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS48111Q1EVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 工作電壓范圍:3.5V至80V
  • 使用板載跳線提供5A至50A可調(diào)過流保護(hù)
  • 編程斷路器定時器
  • 模擬電流監(jiān)控輸出
  • LED狀態(tài)指示,用于過流和過熱故障

PCB布局

1.png

?TI TPS48111Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南?


?一、核心特性概述?

Texas Instruments的TPS48111Q1EVM是一款基于TPS48111-Q1智能高邊驅(qū)動器的評估模塊,專為高可靠性電源開關(guān)設(shè)計優(yōu)化,具有以下核心優(yōu)勢:

  • ?寬電壓工作范圍?:3.5V至80V輸入,支持工業(yè)級電壓波動場景。
  • ?超強驅(qū)動能力?:4A柵極驅(qū)動電流,可并聯(lián)驅(qū)動多個MOSFET,支持5A至50A可調(diào)過流保護(hù)。
  • ?多重保護(hù)機(jī)制?:集成兩級過流保護(hù)、短路保護(hù)、模擬電流監(jiān)控輸出及遠(yuǎn)程過溫保護(hù)功能。
  • ?智能預(yù)充電控制?:獨立預(yù)充電驅(qū)動(G)和輸入(INP_G),支持大容性負(fù)載緩啟動。

?二、硬件設(shè)計亮點?

?1. 關(guān)鍵接口與配置?

  • ?輸入/輸出接口?:
    • T1/T4為24V-60V電源輸入,T2/T3連接負(fù)載,采用CB70-14-CY端子(90A載流能力)。
    • 測試點TP10(IMON)提供負(fù)載電流模擬監(jiān)控輸出(比例系數(shù)0.09V/A或0.034V/A可調(diào))。
  • ?跳線配置?:
    • ?J3?:設(shè)置過流保護(hù)閾值(5A/15A/50A或禁用)。
    • ?J1?:故障響應(yīng)時間選擇(15ms/150ms/鎖存模式)。

?2. 保護(hù)與診斷功能?

  • ?故障指示?:紅色LED(D4/D5)分別指示過流和過溫故障。
  • ?電流檢測?:通過RS+/RS-端子外接分流電阻,精度±3%。
  • ?熱管理?:HSOG-8封裝的MOSFET(IAUS300N08S5N012)搭配2oz銅厚PCB,支持高持續(xù)電流。

?三、典型性能數(shù)據(jù)?

  1. ?預(yù)充電特性?(VIN=48V, COUT=440μF):
    • 預(yù)充電電流峰值8A,輸出電壓緩升時間約20ms(見圖5-2)。
  2. ?動態(tài)響應(yīng)?:
    • 主MOSFET開啟響應(yīng)時間<100ns(INP從低到高切換,見圖5-5)。
    • 短路保護(hù)響應(yīng)時間<2μs(輸出直接短路至GND,見圖5-9)。
  3. ?效率表現(xiàn)?:
    • 48V輸入轉(zhuǎn)12V/10A輸出時效率達(dá)94%(無預(yù)充電路徑損耗)。

?四、典型應(yīng)用場景?

  1. ?車載電子?:符合AEC-Q100認(rèn)證,用于HVAC壓縮機(jī)模塊電源開關(guān)。
  2. ?工業(yè)安全系統(tǒng)?:作為電路斷路器,支持自動重試(Auto-Retry)或鎖存(Latch)故障模式。
  3. ?數(shù)據(jù)中心?:搭配數(shù)字控制器實現(xiàn)智能PDU(電源分配單元)的快速關(guān)斷保護(hù)。

五、設(shè)計注意事項?

  1. ?PCB布局關(guān)鍵點?:
    • 輸入電容(C16/C17)需貼近VIN引腳,優(yōu)先選用低ESR陶瓷電容(X7R材質(zhì))。
    • 功率地(PGND)與信號地分離,采用星型連接至主地平面。
  2. ?熱管理建議?:
    • 持續(xù)負(fù)載>30A時需強制風(fēng)冷(MOSFET結(jié)溫需<125°C)。
  3. ?安全警告?:
    • 高壓測試時禁止觸碰散熱焊盤(實測滿載表面溫度可達(dá)80°C)。
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