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TPS7H3014-SP/SEP 輻射硬化14V四通道電源時(shí)序器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-08-18 14:43 ? 次閱讀
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該TPS7H3014是一款集成式3V至14V、四通道抗輻射性保證電源定序器??梢酝ㄟ^(guò)以菊花鏈配置連接多個(gè)設(shè)備來(lái)擴(kuò)展通道數(shù)。該器件為具有高電平有效(“導(dǎo)通”)輸入的集成電路(IC)提供順序上行和下行控制信號(hào)。此外,還提供了SEQ_DONE和PWRGD標(biāo)志來(lái)監(jiān)視受監(jiān)控電源樹的順序和電源狀態(tài)。
*附件:tps7h3014-sep.pdf

精確的599mV ±1%閾值電壓和24μA ±3%遲滯電流提供可編程的上升和下降監(jiān)測(cè)電壓。上升和下降延遲時(shí)間通過(guò)單個(gè)電阻器進(jìn)行全局編程。此外,還提供了一個(gè)調(diào)節(jié)時(shí)間定時(shí)器來(lái)跟蹤 SENSEx 上的上升電壓。除了這些功能外,還集成了 FAULT 檢測(cè)引腳,用于監(jiān)控內(nèi)部生成的故障,并為電源排序空間應(yīng)用提供更高的系統(tǒng)級(jí)可靠性。QML 變體 5962R2320101VXC 提供標(biāo)準(zhǔn)微電路圖 (SMD)。

特性

  • 輻射性能:
    • 輻射硬度保證 (RHA),QML 的總電離劑量 (TID) 高達(dá) 100 krad(Si),SEP 的總電離劑量 (TID) 為 50 krad(Si)
    • 單事件閂鎖 (SEL)、單事件燒毀 (SEB) 和單事件柵極破裂 (SEGR) 對(duì)線性能量轉(zhuǎn)移 (LET) 的免疫性高達(dá) QML 的 75 MeV-cm2/mg 和 SEP 的 43 MeV-cm2/mg
    • 單事件功能中斷 (SEFI) 和單事件瞬態(tài) (SET) 的表征,QML 的 LET = 75 MeV-cm2/mg 和 SEP 的 43 MeV-cm2/mg
  • 寬電源輸入電壓范圍 (VIN):3V 至 14V
  • 使用單個(gè)器件對(duì)多達(dá) 4 個(gè)電壓軌進(jìn)行排序和監(jiān)控
    • 菊花鏈功能可延長(zhǎng)通道數(shù)
  • 單電阻可編程全局定時(shí)器,用于:
    • 序列上下延遲
    • 排序調(diào)節(jié)時(shí)間
  • 倒序順序向下
  • 精密閾值電壓和遲滯電流
    • VTH_SENSEx 599mV ±1%):電壓、溫度和輻射 (TID)
    • IHYS_SENSEx 24μA ±3%):電壓、溫度和輻射 (TID)
  • 推挽式輸出,可編程上拉電壓在1.6V至7V 之間
    • 全局 ENx 上拉域 (VPULL_UP1)
    • 公共SEQ_DONE和PWRGD上拉域(VPULL_UP2)
  • FAULT 漏極開路輸出,用于監(jiān)控狀態(tài)機(jī)引起的故障
  • 塑料包裝的廢氣經(jīng)過(guò) ASTM E595 測(cè)試
  • 提供軍用(–55°C 至 125°C)溫度范圍

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 核心特性?

  • ?輻射性能?:
    • 總電離劑量(TID)耐受:QML級(jí)達(dá)100 krad(Si),SEP級(jí)達(dá)50 krad(Si)。
    • 抗單粒子效應(yīng):包括閂鎖(SEL)、燒毀(SEB)、柵極擊穿(SEGR),LET閾值達(dá)75 MeV-cm2/mg(QML)和43 MeV-cm2/mg(SEP)。
    • 單粒子功能中斷(SEFI)和瞬態(tài)(SET)特性已表征。
  • ?電源管理?:
    • 寬輸入電壓范圍(VIN):3V至14V。
    • 可編程時(shí)序控制:支持4通道電壓軌的時(shí)序啟動(dòng)/關(guān)閉,支持級(jí)聯(lián)擴(kuò)展通道數(shù)。
    • 全局定時(shí)器:通過(guò)單電阻設(shè)置啟動(dòng)/關(guān)閉延遲(0.25ms–25ms)及穩(wěn)壓時(shí)間。
  • ?精密監(jiān)測(cè)?:
    • 閾值電壓(VTH_SENSEx):599mV ±1%,全溫度、輻射條件下保持精度。
    • 遲滯電流(IHYS_SENSEx):24μA ±3%,確??乖敕€(wěn)定性。

?2. 應(yīng)用場(chǎng)景?

?3. 功能描述?

  • ?時(shí)序控制?:通過(guò)UP/DOWN引腳觸發(fā)時(shí)序啟停,支持自動(dòng)監(jiān)測(cè)電壓軌狀態(tài)(SENSEx輸入)。
  • ?故障管理?:內(nèi)置FAULT引腳指示內(nèi)部狀態(tài)機(jī)觸發(fā)的故障(如超時(shí)未穩(wěn)壓、順序異常)。
  • ?輸出配置?:
    • EN1–EN4為推挽輸出,電壓由PULL_UP1設(shè)定(1.6V–7V)。
    • SEQ_DONE和PWRGD標(biāo)志由PULL_UP2配置,用于系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)控。

?4. 關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)?

  • ?電氣特性?:
    • 靜態(tài)電流(IQ_IN):2.5mA–4mA(待機(jī)狀態(tài))。
    • 欠壓鎖定(UVLO):上升閾值2.79V,下降閾值2.64V。
  • ?時(shí)序精度?:
    • 傳播延遲(tpd_ENx):3.4μs–6.5μs(無(wú)延遲模式)。
    • 熱關(guān)斷:觸發(fā)溫度177°C,恢復(fù)溫度164°C。

?5. 封裝與型號(hào)?

  • ?封裝選項(xiàng)?:
    • HFT(22引腳陶瓷扁平封裝):適用于QMLV-RHA級(jí)。
    • PW(24引腳TSSOP塑料封裝):適用于SEP級(jí)。
  • ?型號(hào)差異?:
    • TPS7H3014-SP:軍用溫度范圍(-55°C至125°C),全輻射硬化。
    • TPS7H3014-SEP:空間增強(qiáng)塑料封裝,TID性能略低。

?6. 設(shè)計(jì)支持?

  • 提供典型應(yīng)用電路、電阻分壓計(jì)算工具及布局指南(如優(yōu)先接地層散熱)。
  • 支持負(fù)電壓時(shí)序設(shè)計(jì)需外接比較器電路。

?7. 文檔與認(rèn)證?

  • 包含輻射測(cè)試報(bào)告(TID、SEE)、標(biāo)準(zhǔn)微電路圖紙(SMD)及EVM用戶指南。
  • 符合MIL-STD-883方法5005(Group A)質(zhì)量檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。

?總結(jié)?:TPS7H3014系列是面向航天及高輻射環(huán)境的精密電源時(shí)序解決方案,集成故障保護(hù)和靈活配置能力,適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的多電壓系統(tǒng)管理。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 集成電路
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  • 控制信號(hào)
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  • 高電平
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