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TI再次大面積漲價(jià) 但這次業(yè)內(nèi)好像不那么擔(dān)心了

智聯(lián)微 ? 2025-08-11 19:06 ? 次閱讀
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TI德州儀器)在8月4日正式啟動(dòng)了新一輪大規(guī)模漲價(jià),這一輪調(diào)價(jià)的規(guī)??胺Q(chēng)史上最大,涉及的產(chǎn)品型號(hào)60000+。但業(yè)內(nèi)這次漲價(jià)似乎反應(yīng)很平淡?!?/strong>



01



據(jù)悉,TI(德州儀器)在8月4日正式啟動(dòng)了新一輪大規(guī)模漲價(jià),這一輪調(diào)價(jià)的規(guī)??胺Q(chēng)史上最大,涉及的產(chǎn)品型號(hào)60000+,相比今年6月的3300款,增長(zhǎng)幅度接近20倍。且此次漲價(jià)幾乎覆蓋了所有客戶(hù),除了極少數(shù)超級(jí)大客戶(hù)外,其他行業(yè)客戶(hù)都收到了不同程度的漲價(jià)通知,并且相關(guān)通知已通過(guò)代理商和分銷(xiāo)商傳達(dá)給終端企業(yè)。

本次價(jià)格整體漲幅集中在10%-30%之間,其中漲幅超過(guò)30%的料號(hào)占比達(dá)到41.3%。高漲幅的產(chǎn)品主要集中在工業(yè)控制、汽車(chē)電子等長(zhǎng)周期應(yīng)用領(lǐng)域,數(shù)字隔離器、隔離驅(qū)動(dòng)芯片等關(guān)鍵器件漲幅普遍超過(guò)25%,部分老款LDO(低壓差穩(wěn)壓器)產(chǎn)品漲價(jià)幅度達(dá)到了30%。

表:不同產(chǎn)品領(lǐng)域漲幅特征

產(chǎn)品領(lǐng)域

工業(yè)控制領(lǐng)域

汽車(chē)電子板塊

消費(fèi)電子通信設(shè)備

漲幅特征

重點(diǎn)領(lǐng)域

超40%工控類(lèi)產(chǎn)品提價(jià)

漲幅居前,車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品溢價(jià)顯著

呈溫和調(diào)價(jià)態(tài)勢(shì)

產(chǎn)品例子

工廠(chǎng)自動(dòng)化16位ADC芯片3.2→4.1美元

新能源汽車(chē)BMS專(zhuān)用隔離芯片上漲22%

電源管理芯片及射頻前端芯片價(jià)格上浮5%-15%


漲價(jià)原因

首先就是成本壓力,原材料(如高純度硅片)價(jià)格上漲,促使其通過(guò)調(diào)價(jià)緩解利潤(rùn)壓力。還有市場(chǎng)需求回暖,2025年Q1-Q2,德州儀器營(yíng)收連續(xù)兩季同比增長(zhǎng)(11%、16%),工業(yè)、個(gè)人電子等核心市場(chǎng)需求回暖,為漲價(jià)提供了窗口期。還有TI策略轉(zhuǎn)變,其正從“低價(jià)搶份額”轉(zhuǎn)向“保利潤(rùn)率”,想要通過(guò)漲價(jià)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu),淘汰低效產(chǎn)品。等等原因使其做出漲價(jià)決定。


TI的芯片廣泛應(yīng)用于各行各業(yè),此次漲價(jià)將直接影響多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域:

表:TI部分產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)占有

產(chǎn)品線(xiàn)

市場(chǎng)占有率

漲價(jià)幅度

工業(yè)MCU

41%

25—30%

車(chē)規(guī)電源IC

38%

20—25%

隔離器

52%

15—20%


工業(yè)自動(dòng)化PLC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、傳感器等設(shè)備依賴(lài)TI的模擬嵌入式芯片,成本上漲可能導(dǎo)致終端設(shè)備提價(jià)。

汽車(chē)電子:隨著新能源汽車(chē)的普及,TI的電源管理IC和車(chē)規(guī)MCU需求激增,漲價(jià)或延緩部分車(chē)型的量產(chǎn)進(jìn)度。

消費(fèi)電子:盡管智能手機(jī)、PC市場(chǎng)低迷,但TI的電源芯片仍用于許多中高端設(shè)備,成本壓力可能轉(zhuǎn)嫁給消費(fèi)者。

中小客戶(hù)困境:對(duì)于依賴(lài)TI芯片的中小企業(yè)來(lái)說(shuō),漲價(jià)疊加交期延長(zhǎng)(部分型號(hào)仍長(zhǎng)達(dá)40周以上),生存壓力進(jìn)一步加大。



02


新的選擇—國(guó)產(chǎn)替代


對(duì)于依賴(lài)TI的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理IC、數(shù)字隔離器等產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域如工業(yè)自動(dòng)化、汽車(chē)電子、通信基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、醫(yī)療設(shè)備制造以及新能源開(kāi)發(fā)等行業(yè)來(lái)說(shuō),這次的價(jià)格上漲無(wú)疑將直接影響到供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性和企業(yè)的物料成本(BOM)。尤其是在當(dāng)前國(guó)際形勢(shì)復(fù)雜多變,特別是考慮到美國(guó)關(guān)稅政策帶來(lái)的不確定性,確保供應(yīng)鏈的安全與成本的穩(wěn)定性已成為全球電子制造業(yè)最為關(guān)注的問(wèn)題之一。

在全球經(jīng)濟(jì)不確定性增加的背景下,如果順從這次史詩(shī)級(jí)漲價(jià),繼續(xù)使用TI的芯片,可能將使您的產(chǎn)品面臨一次抉擇,是跟隨成本增加而提高產(chǎn)品價(jià)格,導(dǎo)致終端消費(fèi)者不買(mǎi)賬;還是默默承受成本增加而導(dǎo)致利潤(rùn)降低,只能“人為刀俎,我為魚(yú)肉”。但而今,“大人,時(shí)代變了”,我們?cè)缫延辛诵碌倪x擇。國(guó)內(nèi)本土更穩(wěn)定、更優(yōu)惠的供應(yīng)商所提供的國(guó)產(chǎn)芯片,能助每一位工程設(shè)計(jì)師、每一位廠(chǎng)商更好地平衡成本、產(chǎn)能與客戶(hù)關(guān)系。


選擇國(guó)產(chǎn)替代能給您帶來(lái)什么

穩(wěn)定的供應(yīng)鏈:國(guó)產(chǎn)企業(yè)納芯微聚焦傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向,為汽車(chē)、工業(yè)、信息通訊及消費(fèi)電子等領(lǐng)域提供豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案,擁有豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品線(xiàn),涵蓋傳感器、信號(hào)鏈、隔離、接口、功率、驅(qū)動(dòng)、電源管理等多個(gè)領(lǐng)域。而率能半導(dǎo)體專(zhuān)注于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和運(yùn)動(dòng)控制模擬及混合信號(hào)芯片設(shè)計(jì),芯片涵蓋工業(yè)設(shè)備、運(yùn)動(dòng)控制、舞臺(tái)燈光、打印設(shè)備、云臺(tái)設(shè)備、智能機(jī)器人、IT及通信等驅(qū)動(dòng)控制領(lǐng)域。產(chǎn)品豐富、實(shí)力強(qiáng)大的本土供應(yīng)商能給您提供穩(wěn)定可靠的供應(yīng)鏈。

高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品:納芯微和率能半導(dǎo)體的核心產(chǎn)品不僅在性能上達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平,而且具有顯著的成本優(yōu)勢(shì),能幫助企業(yè)有效應(yīng)對(duì)原材料價(jià)格上漲的壓力。無(wú)論是數(shù)字隔離器、傳感器信號(hào)調(diào)理ASIC還是各種電機(jī)驅(qū)動(dòng),兩者的產(chǎn)品都經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的測(cè)試,并得到了大量客戶(hù)的實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證,能夠在苛刻的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。

便捷高效的服務(wù):選擇國(guó)產(chǎn)替代品,本地現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師(FAE)跟您身處同一時(shí)區(qū)、使用同一種語(yǔ)言。當(dāng)您在深夜調(diào)試遇到問(wèn)題時(shí),一個(gè)電話(huà)就能找到能快速響應(yīng)的專(zhuān)家,這種服務(wù)效率價(jià)值千金。


03


附:TI部分產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)替代列表


一、數(shù)字隔離器 & 隔離接口替代

TI 型號(hào)納芯微型號(hào)功能描述關(guān)鍵差異點(diǎn)
ISO67xx系列NSi81xx多通道數(shù)字隔離器 (通用型)TI舊款,注意停產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)
ISO77xx系列新一代,高CMTI(>100kV/μs)
ISO78xx系列NSi82xx高速隔離器 (200Mbps+)超高速(支持1Gbps)
ISOW14xxNSi8300隔離式I2C緩沖器集成DC-DC的隔離I2C方案
UCC53xx系列NSi6600隔離式半橋/高低側(cè)驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電流需匹配(0.5A/4A/5A等)
ISO7220A、ISO7220A-Q1、ISO7220B、ISO7220C、ISO7220M、ISO7320C、ISO7320C-Q1、ISO7320FC、ISO7320FC-Q1、ISO7420、ISO7420E、ISO7420FCC、ISO7420FE、ISO7420MNSI8120

ISO7221A、ISO7221A-Q1、ISO7221B、ISO7221C-HT、ISO7321C、ISO7321C-Q1、ISO7321FC、ISO7321FC-Q1、ISO7421、ISO7421A-Q1、ISO7421E、ISO7421E-CA、ISO7421-EP、ISO7421FNSI8121

ISO7230C、ISO7230M、ISO7330C、ISO7330C-Q1、ISO7330FC、ISO7330FC-Q1、ISO7730NSI8130

ISO7131CC、ISO7231C、ISO7231C-Q1、ISO7231M、ISO7331C、ISO7331C-Q1、ISO7331FC、ISO7331FC-Q1NSI8131

ISO7140CC、ISO7140FCC、ISO7240C、ISO7240CF、ISO7240CF-Q1、ISO7240M、ISO7340C、ISO7340C-Q1、ISO7340FC、ISO7340FC-Q1NSI8140

ISO7141CC、ISO7141FCC、ISO7241A-EP、ISO7241C、ISO7241C-Q1、ISO7241M、ISO7341C、ISO7341C-Q1、ISO7341FC、ISO7341FC-Q1、ISO7641FCNSI8141

ISO7142CC、ISO7142CC-Q1、ISO7242C、ISO7242C-Q1、ISO7242M、ISO7342C、ISO7342C-Q1、ISO7342FC、ISO7342FC-Q1NSI8142

ISO1540、ISO1540-Q1NSI8100

ISO1541、ISO1541-Q1NSI8101

ISO3082NSI83085

ISO3080NSI83086


二、隔離驅(qū)動(dòng)芯片替代


TI 型號(hào)納芯微型號(hào)驅(qū)動(dòng)類(lèi)型關(guān)鍵能力對(duì)比
UCC21520NSi66022.5A隔離半橋驅(qū)動(dòng)雙通道2.5A/5A可選,傳播延遲更短
UCC53xxNSi68505A隔離高低側(cè)驅(qū)動(dòng)兼容性強(qiáng)(如UCC5350MCDRV)
UCC5870-Q1NSi6801智能柵極驅(qū)動(dòng)車(chē)規(guī)級(jí)集成保護(hù)功能



三、傳感器信號(hào)調(diào)理ASIC替代

TI 型號(hào)納芯微產(chǎn)品適用傳感器類(lèi)型
PGA900NSA(C)2860壓阻式壓力傳感器 (惠斯通電橋)
PGA305電流/溫度傳感器調(diào)理芯片工業(yè)變送器
ADS1262/ADS1263+ 外部運(yùn)放高精度Σ-Δ ADC + 調(diào)理高精度力/壓力傳感


四、通用模擬芯片替代參考

TI 型號(hào)納芯微型號(hào)品類(lèi)
OPA391/OPA991 (高精度)NCS232/NA219運(yùn)算放大器
TLV90xx(低成本軌到軌)
TLV3011(微功耗)NCV201比較器
REF34xx(高精度低漂移)NSR31/33電壓基準(zhǔn)
TLV755/TPS7A系列NCL280xxLDO

五、電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片替代參考

TI型號(hào)率能型號(hào)關(guān)鍵特性典型應(yīng)用場(chǎng)景
DRV8837、DRV8811SS6810H雙H橋驅(qū)動(dòng),1A電流能力,支持快/慢/混合衰減模式,工作電壓10-32V步進(jìn)電機(jī)、有刷直流電機(jī)
DRV8841、DRV8825SS8841T雙H橋,峰值電流2.5A,支持整步/2/4細(xì)分,內(nèi)置OCP/TSD保護(hù),工作電壓8.2-40V舞臺(tái)燈光、打印機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化
DRV8844、DRV8834SS8844T四路1/2H橋,峰值電流2.5A,獨(dú)立通道控制,支持過(guò)流/短路保護(hù)繡花機(jī)、PLC設(shè)備、機(jī)器人
DRV8840、DRV8842SS6952T單H橋,峰值電流7A,導(dǎo)通電阻0.15Ω,支持剎車(chē)功能,工作電壓8-50V按摩椅、推桿、工業(yè)縫紉機(jī)
DRV8837、DRV8830SS6216單通道有刷驅(qū)動(dòng),峰值電流1.6A,待機(jī)電流0.1μA,支持正轉(zhuǎn)/反轉(zhuǎn)/剎車(chē)指紋鎖、玩具、小家電
DRV8833、DRV8833CSS8833T雙H橋,工作電壓2.7-15V,峰值電流1.75A,低靜態(tài)電流(1.1mA)智能家居、投影機(jī)對(duì)焦系統(tǒng)
DRV8813SS8813T兩通道H橋,48V耐壓,2.5A持續(xù)電流工業(yè)設(shè)備、高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)
DRV8839、DRV8829SS6849H雙H橋,4-20V工作電壓,支持全步/半步驅(qū)動(dòng),內(nèi)置熱關(guān)斷保護(hù)冰箱風(fēng)扇、打印機(jī)、舞臺(tái)燈光


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    的頭像 發(fā)表于 07-24 11:31 ?269次閱讀
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    太陽(yáng)模擬器技術(shù)新突破:鹵素-LED混合光源的大面積應(yīng)用研究

    與LED協(xié)同的混合式太陽(yáng)模擬器,深度解析其光學(xué)架構(gòu)設(shè)計(jì)、性能測(cè)試及中大面積場(chǎng)景的應(yīng)用潛力,為L(zhǎng)uminbox研發(fā)高精度太陽(yáng)模擬器提供可復(fù)現(xiàn)的理論模型與實(shí)驗(yàn)依據(jù)。太陽(yáng)模擬
    的頭像 發(fā)表于 07-24 11:29 ?268次閱讀
    太陽(yáng)模擬器技術(shù)新突破:鹵素-LED混合光源的<b class='flag-5'>大面積</b>應(yīng)用研究

    大面積太陽(yáng)光模擬器 | 設(shè)計(jì)組成與多領(lǐng)域應(yīng)用

    大面積太陽(yáng)光模擬器通過(guò)人工光源精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)太陽(yáng)輻射的光譜特性、輻照強(qiáng)度與空間分布,為大尺寸樣品測(cè)試提供標(biāo)準(zhǔn)化、可調(diào)控的光照環(huán)境,成為連接基礎(chǔ)研究與工業(yè)應(yīng)用的核心技術(shù)裝備。紫創(chuàng)測(cè)控Luminbox依托集團(tuán)
    的頭像 發(fā)表于 07-24 11:26 ?275次閱讀
    <b class='flag-5'>大面積</b>太陽(yáng)光模擬器 | 設(shè)計(jì)組成與多領(lǐng)域應(yīng)用

    大面積薄膜光學(xué)映射與成像技術(shù)綜述:全光譜橢偏技術(shù)

    在微電子制造與光伏產(chǎn)業(yè)中,大面積薄膜的均勻性與質(zhì)量直接影響產(chǎn)品性能。傳統(tǒng)薄膜表征方法(如濺射深度剖析、橫截面顯微鏡觀察)雖能提供高精度數(shù)據(jù),但測(cè)量范圍有限且效率較低,難以滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)大面積表面的快速
    的頭像 發(fā)表于 07-22 09:53 ?674次閱讀
    <b class='flag-5'>大面積</b>薄膜光學(xué)映射與成像技術(shù)綜述:全光譜橢偏技術(shù)

    高速、高分辨率、大面積成像應(yīng)用的理想選擇——Falcon4-CLHS工業(yè)相機(jī)

    成像提供卓越功能。高速高分辨率;大面積成像;FALCON4工業(yè)相機(jī)搭載TELEDYNEE2V的EMERALD芯片,圖像信噪比高,尤其適合檢測(cè)高分辨率,要求高質(zhì)量成像的
    的頭像 發(fā)表于 02-21 17:05 ?1105次閱讀
    高速、高分辨率、<b class='flag-5'>大面積</b>成像應(yīng)用的理想選擇——Falcon4-CLHS工業(yè)相機(jī)

    纖納光電刷新鈣鈦礦組件大面積效率紀(jì)錄,凍晶技術(shù)開(kāi)創(chuàng)GW級(jí)生產(chǎn)新時(shí)代

    ),刷新大面積鈣鈦礦組件效率紀(jì)錄,標(biāo)志著纖納光電在大面積鈣鈦礦技術(shù)領(lǐng)域取得了又一重要突破。 圖1 國(guó)家光伏產(chǎn)業(yè)計(jì)量測(cè)試中心認(rèn)證報(bào)告 (紅色字體為纖納批注) 銖積寸累、日就月將,這一成果的取得離不開(kāi)纖納光電在2024年完成的多項(xiàng)
    的頭像 發(fā)表于 02-08 10:47 ?605次閱讀
    纖納光電刷新鈣鈦礦組件<b class='flag-5'>大面積</b>效率紀(jì)錄,凍晶技術(shù)開(kāi)創(chuàng)GW級(jí)生產(chǎn)新時(shí)代

    高溫大面積碳化硅外延生長(zhǎng)裝置及處理方法

    碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,在電力電子、航空航天、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)是實(shí)現(xiàn)高性能SiC器件制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。然而
    的頭像 發(fā)表于 01-03 15:11 ?382次閱讀
    高溫<b class='flag-5'>大面積</b>碳化硅外延生長(zhǎng)裝置及處理方法

    AI作怪!監(jiān)管機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)北美最早明年出現(xiàn)大面積停電

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    發(fā)布于 :2024年12月19日 13:58:13