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?CSD96370Q5M同步降壓NexFET?功率級芯片技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-08-08 09:48 ? 次閱讀
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CSD96370Q5M NexFET 功率級經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計,適用于高功率、高密度 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了增強型柵極驅(qū)動器IC和電源模塊技術(shù),以完成功率級開關(guān)功能。這種組合可產(chǎn)生高電流、高效率、高速開關(guān)器件,并且由于其大型接地導(dǎo)熱墊,采用小型 5 mm × 6 mm 外形封裝,可提供出色的散熱解決方案。此外,PCB封裝也經(jīng)過優(yōu)化,有助于縮短設(shè)計時間并簡化整個系統(tǒng)設(shè)計的完成。
*附件:csd96370q5m.pdf

特性

  • 25A 時系統(tǒng)效率為 90%
  • 高頻工作(高達 2MHz)
  • 采用電源塊技術(shù)
  • 高密度 – SON 5 毫米× 6 毫米封裝
  • 25A時低功耗2.6W
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號
  • 3 態(tài) PWM 輸入
  • 集成自舉二極管
  • 偏置前啟動保護
  • 射穿保護
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) – 無鉛端子電鍍無鹵素
  • 應(yīng)用
    • 同步降壓轉(zhuǎn)換器
    • 多相同步降壓轉(zhuǎn)換器
    • POL DC-DC 轉(zhuǎn)換器
    • 內(nèi)存和顯卡
    • 臺式機和服務(wù)器VR11.x和VR12 V核
      同步降壓轉(zhuǎn)換器
      參數(shù)
      image.png
      方框圖
      image.png

?1. 產(chǎn)品概述?
CSD96370Q5M是德州儀器(TI)推出的高密度同步降壓功率級解決方案,集成增強型柵極驅(qū)動IC和Power Block技術(shù),采用5mm×6mm SON封裝,專為高頻(最高2MHz)、高效率(25A負載下90%系統(tǒng)效率)的同步Buck轉(zhuǎn)換器設(shè)計。適用于服務(wù)器/桌面VR11.x/VR12核心供電、多相Buck轉(zhuǎn)換器及負載點(POL)DC-DC轉(zhuǎn)換等場景。

?2. 核心特性?

  • ?高效能?:2.6W低功耗(25A時),支持3.3V/5V PWM信號兼容。
  • ?高集成度?:內(nèi)置自舉二極管、預(yù)偏置啟動保護、擊穿保護功能。
  • ?熱優(yōu)化?:超低熱阻(RθJC 20°C/W),支持-40°C至150°C工作溫度。
  • ?簡化設(shè)計?:優(yōu)化PCB布局,減少寄生電感,提供系統(tǒng)級性能曲線(如功率損耗、SOA)。

?3. 關(guān)鍵參數(shù)?

  • ?電氣規(guī)格?:輸入電壓3.3-13.2V,連續(xù)輸出電流40A(峰值60A),開關(guān)頻率200kHz-2MHz。
  • ?保護功能?:ESD防護(HBM 2kV)、欠壓鎖定(UVLO)、3態(tài)PWM關(guān)斷。
  • ?驅(qū)動性能?:4A峰值柵極驅(qū)動電流,傳播延遲≤100ns。

?4. 應(yīng)用設(shè)計要點?

  • ?PCB布局?:優(yōu)先放置輸入電容靠近VIN/PGND引腳,自舉電容(0.1μF)需緊鄰BOOT/BOOT_R。
  • ?熱管理?:建議使用熱通孔陣列將熱量傳導(dǎo)至接地層,垂直安裝PCB可提升散熱能力。
  • ?功率估算?:提供歸一化曲線,支持根據(jù)實際工況(頻率/電壓/電感)調(diào)整損耗與SOA邊界。

?5. 封裝與訂購?

  • 22引腳LSON-CLIP封裝(5mm×6mm),卷帶包裝(2500片/卷)。
  • 型號標(biāo)識:CSD96370Q5M(標(biāo)準(zhǔn)版)、CSD96370Q5M.B(擴展溫度版)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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