在計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)中，各種存儲(chǔ)技術(shù)扮演著不同的角色，它們的性能特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景各不相同。很多人對(duì)DRAM、SRAM、HBM、ROM、NOR Flash、NAND Flash、eMMC、UFS 等術(shù)語(yǔ)感到困惑，不清楚它們之間的區(qū)別和關(guān)系，以及哪些是片上存儲(chǔ)，哪些是片外存儲(chǔ)。本文將系統(tǒng)地解析這些存儲(chǔ)技術(shù)，并以樹莓派和x86個(gè)人電腦為例，說明它們?cè)趯?shí)際系統(tǒng)中的應(yīng)用。

存儲(chǔ)技術(shù)分類框架

存儲(chǔ)技術(shù)可以按照數(shù)據(jù)保存的持久性分為兩大類：

存儲(chǔ)技術(shù) │ ├─ 易失性存儲(chǔ) (斷電數(shù)據(jù)丟失) │  ├─ SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) │  └─ DRAM 家族 (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) │    ├─ 傳統(tǒng)DRAM │    ├─ SDRAM (同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) │    ├─ DDR SDRAM (雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM) │    │  ├─ DDR1/2/3/4/5│    │  └─ LPDDR (低功耗DDR) │    └─ HBM (高帶寬內(nèi)存) │ └─ 非易失性存儲(chǔ) (斷電數(shù)據(jù)保留)   ├─ ROM 家族 (只讀存儲(chǔ)器)   │  ├─ 掩膜ROM   │  ├─ PROM (可編程ROM)   │  ├─ EPROM (可擦除可編程ROM)   │  └─ EEPROM (電可擦除可編程ROM)   │   ├─ Flash 家族   │  ├─ NOR Flash   │  └─ NAND Flash   │   └─ 新型非易失存儲(chǔ)     ├─ eMMC (嵌入式多媒體卡)     ├─ SSD (固態(tài)硬盤)     └─ UFS (通用閃存存儲(chǔ))

Flash存儲(chǔ)技術(shù)詳解

Flash存儲(chǔ)是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使斷電后也能保留數(shù)據(jù)。主要分為NOR Flash和NAND Flash兩種類型。

NOR Flash與NAND Flash對(duì)比

特性	NOR Flash	NAND Flash
存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)	每個(gè)單元直接連接到位線和字線	單元排列成串聯(lián)結(jié)構(gòu)
隨機(jī)訪問能力	支持(可按字節(jié)訪問)	不支持(按頁(yè)訪問)
讀取速度	快(50-100ns)	中等(25-50μs)
寫入速度	慢(5-10μs/字節(jié))	快(200-300μs/頁(yè))
擦除速度	很慢(0.5-2s/塊)	快(1.5-3ms/塊)
擦除單位	較大塊(64KB-128KB)	較小塊(4KB-16KB)
存儲(chǔ)密度	低	高
成本/比特	高	低
耐久性(擦寫次數(shù))	10萬-100萬次	1千-10萬次
錯(cuò)誤率	低	高(需要ECC錯(cuò)誤糾正)
壞塊管理	通常不需要	必需
XIP支持	支持(可直接執(zhí)行代碼)	不支持
典型容量范圍	幾MB-幾百M(fèi)B	幾GB-幾TB
典型應(yīng)用	BIOS/UEFI固件 微控制器程序存儲(chǔ) 啟動(dòng)代碼	SSD存儲(chǔ)介質(zhì) SD卡/U盤 大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

NOR Flash詳解

工作原理：
NOR Flash的存儲(chǔ)單元直接連接到位線和字線，允許隨機(jī)訪問任何存儲(chǔ)單元，類似于RAM的訪問方式。

主要特點(diǎn)：

支持隨機(jī)讀取，可以按字節(jié)訪問

讀取速度快，適合存儲(chǔ)需要直接執(zhí)行的代碼

支持XIP(Execute In Place)，程序可以直接從Flash中執(zhí)行

寫入和擦除速度較慢

容量相對(duì)較小，成本較高

應(yīng)用場(chǎng)景：

存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼和固件

微控制器內(nèi)部程序存儲(chǔ)

BIOS/UEFI芯片

需要隨機(jī)訪問的小容量存儲(chǔ)

NAND Flash詳解

工作原理：
NAND Flash的存儲(chǔ)單元排列成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，需要按頁(yè)讀取數(shù)據(jù)，不支持隨機(jī)訪問單個(gè)字節(jié)。
SLC MLC TLC QLC

主要特點(diǎn)：

高存儲(chǔ)密度，適合大容量存儲(chǔ)

按頁(yè)(2KB-16KB)讀寫，不支持隨機(jī)字節(jié)訪問

寫入和擦除速度快

需要錯(cuò)誤檢測(cè)與糾正(ECC)和壞塊管理

成本較低

應(yīng)用場(chǎng)景：

大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

SSD(固態(tài)硬盤)

USB閃存驅(qū)動(dòng)器

SD卡和TF卡

智能手機(jī)和平板電腦存儲(chǔ)

RAM技術(shù)詳解

RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種易失性存儲(chǔ)器，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失。主要分為SRAM和DRAM兩大類。

SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)

工作原理：
使用雙穩(wěn)態(tài)電路(通常6個(gè)晶體管)存儲(chǔ)每個(gè)位，只要有電源供應(yīng)，數(shù)據(jù)就能保持不變。

主要特點(diǎn)：

速度極快(2-10納秒訪問時(shí)間)

不需要刷新操作維持?jǐn)?shù)據(jù)

密度低，功耗高，成本高

集成度低，占用芯片面積大

應(yīng)用場(chǎng)景：

CPU緩存(L1/L2/L3 Cache)

微控制器內(nèi)部的工作內(nèi)存

高速緩沖區(qū)

是否片上：通常集成在CPU/微控制器內(nèi)部(片上)，作為緩存或工作內(nèi)存

DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)

工作原理：
使用一個(gè)晶體管和一個(gè)電容存儲(chǔ)每個(gè)位，需要定期刷新以防止數(shù)據(jù)丟失。

主要特點(diǎn)：

密度高，成本低，功耗中等

需要定期刷新(通常每幾毫秒)

訪問時(shí)間較長(zhǎng)(50-100納秒)

集成度高，適合大容量存儲(chǔ)

DRAM的主要類型：

傳統(tǒng)DRAM：早期的DRAM技術(shù)，現(xiàn)已很少使用。

SDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)：

與系統(tǒng)時(shí)鐘同步工作

支持突發(fā)傳輸模式，提高吞吐量

訪問時(shí)間10-20納秒

DDR SDRAM(雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM)：

在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)

有多代產(chǎn)品：DDR、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5

每代性能提升約一倍

LPDDR(低功耗DDR)：

DDR的低功耗版本，專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)，筆記本電腦常見

犧牲部分性能換取更低功耗

有多代產(chǎn)品：LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5

應(yīng)用場(chǎng)景：

系統(tǒng)主內(nèi)存

圖形卡內(nèi)存

大容量臨時(shí)存儲(chǔ)

是否片上：通常是獨(dú)立芯片(片外)，通過內(nèi)存總線連接到CPU，以DIMM或SO-DIMM形式安裝

HBM(高帶寬內(nèi)存)

HBM是一種革命性的DRAM技術(shù)，通過3D堆疊和寬總線接口實(shí)現(xiàn)超高帶寬，主要用于高性能計(jì)算和圖形處理應(yīng)用。

工作原理：
HBM將多個(gè)DRAM芯片垂直堆疊，并通過硅穿孔(TSV, Through-Silicon Via)技術(shù)互連，形成一個(gè)緊湊的"內(nèi)存立方體"，然后通過寬接口（通常1024位）與處理器通信。

架構(gòu)特點(diǎn)：

3D堆疊結(jié)構(gòu)：

多個(gè)DRAM芯片(通常4-8層)垂直堆疊

使用TSV(硅穿孔)技術(shù)進(jìn)行層間互連

每個(gè)堆棧形成一個(gè)"內(nèi)存立方體"(memory cube)

2.5D封裝技術(shù)：

HBM與處理器芯片并排放置在硅中介層(silicon interposer)上

中介層提供高密度互連，替代傳統(tǒng)PCB布線

大幅縮短信號(hào)路徑，降低延遲和功耗

超寬接口：

每個(gè)HBM堆棧提供1024位寬接口

相比DDR4的64位寬，帶寬提升16倍

工作頻率相對(duì)較低(2-3.6Gbps)，降低功耗

HBM各代技術(shù)規(guī)格對(duì)比：

特性	HBM1	HBM2	HBM2E	HBM3	HBM3E
發(fā)布年份	2015	2016	2019	2021	2023
每引腳帶寬	1Gbps	2Gbps	3.6Gbps	6.4Gbps	9.2Gbps
堆棧層數(shù)	4層	4-8層	8-12層	8-12層	12-16層
每堆棧容量	1-4GB	2-8GB	8-24GB	16-32GB	24-48GB
每堆棧帶寬	128GB/s	256GB/s	460GB/s	819GB/s	1.2TB/s
多堆棧總帶寬	512GB/s	1TB/s	1.84TB/s	3.27TB/s	4.8TB/s

HBM的優(yōu)勢(shì)：

超高帶寬，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)DDR內(nèi)存

相比GDDR6，相同帶寬下功耗低50%以上

緊湊尺寸，節(jié)省PCB空間

更低的工作頻率，降低電磁干擾

HBM的局限性：

成本高，制造復(fù)雜

需要特殊的2.5D封裝技術(shù)

容量擴(kuò)展性有限

供應(yīng)鏈相對(duì)受限

應(yīng)用場(chǎng)景：

高端GPU（如NVIDIA H100、AMD Instinct MI300）

AI加速器（如Google TPU）

高性能計(jì)算(HPC)系統(tǒng)

網(wǎng)絡(luò)交換設(shè)備

高端FPGA

是否片上：通常與處理器同封裝但分離芯片，采用2.5D封裝技術(shù)（硅中介層）

ROM和嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)詳解

ROM(只讀存儲(chǔ)器)

ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)固定的程序和數(shù)據(jù)。

主要類型：

掩膜ROM：

內(nèi)容在制造時(shí)固化，不可修改

成本最低，適合大批量生產(chǎn)

PROM(可編程ROM)：

可使用編程器寫入一次數(shù)據(jù)，之后不可修改

適合小批量生產(chǎn)

EPROM(可擦除可編程ROM)：

可通過紫外線擦除數(shù)據(jù)，然后重新編程

需要特殊的編程設(shè)備

EEPROM(電可擦除可編程ROM)：

可電擦除可編程ROM，可按字節(jié)修改

擦寫次數(shù)有限(通常10萬次左右)

適合存儲(chǔ)需要偶爾修改的配置數(shù)據(jù)

應(yīng)用場(chǎng)景：

存儲(chǔ)引導(dǎo)程序(BIOS/UEFI)

微控制器程序存儲(chǔ)

存儲(chǔ)固定配置數(shù)據(jù)

是否片上：可能是片上也可能是片外，取決于系統(tǒng)設(shè)計(jì)

eMMC(嵌入式多媒體卡)

eMMC是一種集成了NAND Flash和控制器的嵌入式存儲(chǔ)解決方案，提供標(biāo)準(zhǔn)接口，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

主要特點(diǎn)：

將NAND Flash和控制器集成在一個(gè)封裝中

控制器處理壞塊管理、磨損均衡、錯(cuò)誤糾正等

提供標(biāo)準(zhǔn)接口，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)

容量通常從4GB到256GB不等

性能介于原始NAND Flash和SSD之間

應(yīng)用場(chǎng)景：

智能手機(jī)和平板電腦的主存儲(chǔ)

低端筆記本電腦

嵌入式系統(tǒng)和單板計(jì)算機(jī)(如某些樹莓派型號(hào))

是否片上：片外，通常直接焊接在主板上

UFS(通用閃存存儲(chǔ))

UFS是一種高性能嵌入式存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)，旨在替代eMMC，為移動(dòng)設(shè)備提供更高性能和更低功耗。

工作原理：
UFS基于SCSI架構(gòu)，采用全雙工通信和MIPI M-PHY物理層接口，支持命令隊(duì)列和并發(fā)操作。

架構(gòu)特點(diǎn)：

SCSI命令集：

采用成熟的SCSI命令協(xié)議

支持復(fù)雜的命令隊(duì)列和優(yōu)先級(jí)管理

兼容現(xiàn)有軟件生態(tài)系統(tǒng)

全雙工通信：

兩條獨(dú)立的單向數(shù)據(jù)通道

同時(shí)支持讀寫操作

顯著提高并發(fā)性能

MIPI UniPro協(xié)議棧：

采用分層協(xié)議架構(gòu)

提供可靠的數(shù)據(jù)傳輸和錯(cuò)誤恢復(fù)

支持服務(wù)質(zhì)量(QoS)管理

MIPI M-PHY物理層：

高速、低功耗的串行接口

支持多種速率檔位

先進(jìn)的電源管理功能

UFS各代技術(shù)規(guī)格對(duì)比：

特性	UFS 2.1	UFS 3.0	UFS 3.1	UFS 4.0
發(fā)布年份	2015	2018	2020	2022
每通道速率	600MB/s	1450MB/s	1450MB/s	2100MB/s
總理論帶寬	1.2GB/s	2.9GB/s	2.9GB/s	4.2GB/s
通道數(shù)	2(全雙工)	2(全雙工)	2(全雙工)	2(全雙工)
特殊功能	基本功能	深度休眠	WriteBooster 性能調(diào)節(jié) 原子寫入	更低功耗 更高可靠性
相對(duì)功耗	基準(zhǔn)	-30%	-30%	-46%

UFS相比eMMC的優(yōu)勢(shì)：

特性	UFS 3.1	eMMC 5.1
最大帶寬	2.9 GB/s	400 MB/s
通信方式	全雙工	半雙工
命令處理	多命令隊(duì)列	單命令處理
接口類型	差分串行	并行
功耗效率	高	中

應(yīng)用場(chǎng)景：

高端智能手機(jī)

平板電腦

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備

汽車信息娛樂系統(tǒng)

高性能嵌入式系統(tǒng)

片上與片外存儲(chǔ)

片上存儲(chǔ)(On-chip)

片上存儲(chǔ)是指集成在處理器芯片內(nèi)部的存儲(chǔ)器，如：

SRAM ：用于CPU緩存(L1/L2/L3)

小容量ROM ：用于存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼

微控制器內(nèi)部Flash ：用于存儲(chǔ)程序代碼

特點(diǎn)：

訪問速度極快(直接通過片內(nèi)總線)

容量有限(受芯片面積限制)

成本高(增加芯片復(fù)雜度)

功耗低(無需外部接口)

片外存儲(chǔ)(Off-chip)

片外存儲(chǔ)是指與處理器芯片分離的獨(dú)立存儲(chǔ)設(shè)備，如：

DRAM ：系統(tǒng)主內(nèi)存

SSD/HDD ：大容量存儲(chǔ)

外部Flash ：擴(kuò)展存儲(chǔ)

HBM ：雖然與處理器封裝在一起，但仍是獨(dú)立芯片

特點(diǎn)：

訪問速度較慢(需要通過外部總線)

容量大(不受處理器芯片面積限制)

成本相對(duì)較低

功耗較高(需要外部接口)

實(shí)際系統(tǒng)中的存儲(chǔ)架構(gòu)

樹莓派存儲(chǔ)架構(gòu)

以樹莓派4B為例：

片上(SoC內(nèi)部)存儲(chǔ)

L1緩存：

類型 ：SRAM

容量 ：32KB指令緩存 + 32KB數(shù)據(jù)緩存(每個(gè)核心)

用途 ：最快速的CPU數(shù)據(jù)訪問

L2緩存：

類型 ：SRAM

容量 ：1MB(共享)

用途 ：二級(jí)CPU緩存

ROM：

類型 ：掩膜ROM

容量 ：幾KB

用途 ：存儲(chǔ)初始引導(dǎo)代碼

片外存儲(chǔ)

主內(nèi)存：

類型 ：LPDDR4 SDRAM

容量 ：1GB/2GB/4GB/8GB(取決于型號(hào))

用途 ：操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的運(yùn)行內(nèi)存

啟動(dòng)/系統(tǒng)存儲(chǔ)：

類型 ：microSD卡(基于NAND Flash)

容量 ：通常8GB-128GB(用戶選擇)

用途 ：存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)

可選擴(kuò)展存儲(chǔ)：

類型 ：USB外接硬盤/SSD

容量 ：取決于外接設(shè)備

用途 ：額外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

樹莓派啟動(dòng)流程

SoC上電后，執(zhí)行片上ROM中的代碼

ROM代碼初始化基本硬件并從SD卡加載第一階段引導(dǎo)加載程序

引導(dǎo)加載程序初始化SDRAM并加載操作系統(tǒng)內(nèi)核

操作系統(tǒng)加載到SDRAM并開始執(zhí)行

操作系統(tǒng)從SD卡加載其他組件和應(yīng)用程序

x86個(gè)人電腦存儲(chǔ)架構(gòu)

現(xiàn)代x86個(gè)人電腦擁有更復(fù)雜的存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)：

片上(CPU內(nèi)部)存儲(chǔ)

L1緩存：

類型 ：SRAM

容量 ：通常32KB-64KB指令緩存 + 32KB-64KB數(shù)據(jù)緩存(每個(gè)核心)

用途 ：最快速的CPU數(shù)據(jù)訪問

L2緩存：

類型 ：SRAM

容量 ：通常256KB-1MB(每個(gè)核心)

用途 ：二級(jí)CPU緩存

L3緩存：

類型 ：SRAM

容量 ：通常4MB-64MB(所有核心共享)

用途 ：三級(jí)CPU緩存

片外存儲(chǔ)

主內(nèi)存：

類型 ：DDR4 SDRAM(現(xiàn)代系統(tǒng))

容量 ：通常8GB-64GB

用途 ：操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的運(yùn)行內(nèi)存

接口 ：DIMM插槽

BIOS/UEFI存儲(chǔ)：

類型 ：NOR Flash

容量 ：通常8MB-32MB

用途 ：存儲(chǔ)系統(tǒng)固件(BIOS/UEFI)

位置 ：主板上

主存儲(chǔ)：

類型 ：SSD(基于NAND Flash)或HDD(機(jī)械硬盤)

容量 ：SSD通常256GB-2TB，HDD通常1TB-8TB

用途 ：存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)

接口 ：SATA、PCIe或M.2

x86 PC啟動(dòng)流程

系統(tǒng)上電后，CPU執(zhí)行位于固定地址的指令，訪問BIOS/UEFI(NOR Flash)

BIOS/UEFI初始化基本硬件并識(shí)別啟動(dòng)設(shè)備

從啟動(dòng)設(shè)備(通常是SSD)加載操作系統(tǒng)引導(dǎo)加載程序

引導(dǎo)加載程序加載操作系統(tǒng)內(nèi)核到主內(nèi)存(DRAM)

操作系統(tǒng)接管控制權(quán)，初始化其他組件

應(yīng)用程序從SSD加載到DRAM并執(zhí)行

存儲(chǔ)技術(shù)對(duì)比表

存儲(chǔ)類型	易失性	典型訪問時(shí)間	密度	成本	功耗	主要應(yīng)用	通常位置
SRAM	易失	2-10ns	非常低	非常高	中-高	CPU緩存	片上
DRAM	易失	50-100ns	中	中	中	主內(nèi)存	片外
SDRAM	易失	10-20ns	中	中	中	主內(nèi)存	片外
DDR SDRAM	易失	5-15ns	中-高	中	中-高	現(xiàn)代主內(nèi)存	片外
ROM	非易失	50-150ns	中	低	非常低	固件存儲(chǔ)	片上/片外
EEPROM	非易失	200-300ns	低	中-高	低	配置數(shù)據(jù)	片上/片外
NOR Flash	非易失	讀:50-100ns 寫:5-10μs 擦:0.5-2s	低-中	中-高	低	代碼存儲(chǔ)	片上/片外
NAND Flash	非易失	讀:25-50μs 寫:200-300μs 擦:1.5-3ms	高	低	低	大容量存儲(chǔ)	片外

常見問題解答

問：為什么有些存儲(chǔ)是片上而有些是片外？

答：這主要取決于性能需求、成本和物理限制：

片上存儲(chǔ)提供最快的訪問速度，但容量受限且成本高

片外存儲(chǔ)可提供更大容量，成本更低，但訪問速度較慢

高性能部件需要最快速的訪問(如CPU緩存)，必須集成在芯片內(nèi)

大容量存儲(chǔ)由于物理尺寸限制無法集成在處理器芯片上

問：為什么需要這么多不同類型的存儲(chǔ)？

答：計(jì)算機(jī)系統(tǒng)使用多層次存儲(chǔ)架構(gòu)來平衡性能、容量和成本：

越靠近CPU的存儲(chǔ)越快但容量小且昂貴(如SRAM緩存)

越遠(yuǎn)離CPU的存儲(chǔ)越慢但容量大且便宜(如硬盤/SSD)

不同應(yīng)用場(chǎng)景需要不同的性能和容量特性

通過組合使用這些技術(shù)，系統(tǒng)可以在性能和成本之間取得最佳平衡

問：Flash存儲(chǔ)器會(huì)"磨損"是什么意思？

答：Flash存儲(chǔ)單元有有限的擦寫壽命：

每個(gè)存儲(chǔ)單元在被擦除后會(huì)輕微退化

達(dá)到擦寫次數(shù)上限后(NAND約1千-10萬次，NOR約10萬-100萬次)，單元可能無法可靠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

這就是所謂的"磨損"

現(xiàn)代Flash存儲(chǔ)設(shè)備使用"磨損均衡"技術(shù)，確保所有存儲(chǔ)單元均勻使用，延長(zhǎng)整體壽命

問：HBM和普通DRAM有什么根本區(qū)別？

答：HBM和普通DRAM使用相同的基礎(chǔ)存儲(chǔ)單元技術(shù)，但在架構(gòu)和接口上有根本區(qū)別：

HBM采用3D堆疊結(jié)構(gòu)，通過TSV實(shí)現(xiàn)層間互連

HBM使用超寬數(shù)據(jù)總線(1024位)，而DDR SDRAM使用64位總線

HBM與處理器通過硅中介層緊密集成，縮短信號(hào)路徑

HBM針對(duì)帶寬優(yōu)化，而非延遲，工作頻率實(shí)際低于DDR SDRAM

總結(jié)

存儲(chǔ)技術(shù)是一個(gè)復(fù)雜而多樣化的領(lǐng)域，不同類型的存儲(chǔ)技術(shù)各有優(yōu)缺點(diǎn)和適用場(chǎng)景：

NOR Flash ：適合存儲(chǔ)需要直接執(zhí)行的代碼，如BIOS和微控制器程序

NAND Flash ：適合大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，是SSD、SD卡和U盤的基礎(chǔ)

SRAM ：速度極快但容量小，主要用于CPU緩存

DRAM ：容量大但需要刷新，是系統(tǒng)主內(nèi)存的主要選擇

ROM ：用于存儲(chǔ)固定的程序和數(shù)據(jù)，如啟動(dòng)代碼

eMMC ：集成了NAND Flash和控制器，適合嵌入式系統(tǒng)的主存儲(chǔ)

SSD ：集成了NAND Flash和控制器，是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)設(shè)備，提供高性能和大容量

UFS ：提供高性能和低延遲，是eMMC的升級(jí)版

HBM ：用于高性能計(jì)算和圖形處理，提供極高帶寬