電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在臺式機和服務器領域，我們經常會聽到有金牌電源、鈦金牌電源等名稱，這些等級其實是由美國能源處出臺、Ecos Consulting執(zhí)行的一項名為80 Plus的電源認證，主要用于區(qū)分電源的效率。

比如銅牌電源的轉換效率大于等于82%，在50%負載下效率要在85%以上；最高級的鈦金牌電源，在50%負載下轉換效率要達到96%，在10%和100%負載下效率也需要超過90%。而在今年，80Plus能效標準等級迎來了升級，在此前“鈦金”的基礎上，推出更高標準的“紅寶石”（Ruby）等級。

50%負載下轉換效率要高于96.5%

根據(jù)80 Plus官網(wǎng)，新推出的紅寶石級認證要求230V、227V/480V的內部冗余電源中，PFC在50%負載下的轉換效率要求達到96.5%，且功率因數(shù)不低于0.96；100%負載下要求轉換效率達到92%，且功率因素不低于0.96。

值得一提的是，在紅寶石等級中首次引入了5%負載的轉換效率要求，要達到90%效率的同時功率因素不低于0.90。 在380V 直流內部冗余電源中，5%負載下的轉換效率不低于90%，50%負載下轉換效率要達到96.5%，滿載下轉換效率要達到92%。

盡管是1%的提升，但在服務器等長期高負載運行的場景中，所帶來的經濟效益是顯著的。根據(jù)納微半導體提供的數(shù)據(jù)，全球數(shù)據(jù)中心數(shù)量在過去十年間近乎翻倍，目前已達7000個。據(jù)預測，到2026年，全球數(shù)據(jù)中心能耗將達到1000太瓦時（TWh），較2022年的460太瓦時增長超一倍；而僅美國一地，到2030年的能耗就可能達到這一水平。

這種增長并非個例：瑞典的數(shù)據(jù)中心能耗預計到2030年翻倍，到2040年再翻一倍；英國未來十年內的能耗則可能增長5倍。

從全球范圍看，數(shù)據(jù)中心能耗已占全球總能耗的2%；在美國，這一比例高達3%（與當?shù)財?shù)據(jù)中心密集度相關）。更值得關注的是，受AI需求驅動，到2030年，數(shù)據(jù)中心能耗占全球電力消耗預測的比例可能升至8%。

用最新的紅寶石等級電源來對比，如果一個2000W的服務器電源，從之前的鈦金升級到紅寶石，在滿載運行一年時，一年將能夠節(jié)省209.4kWh（度）電。一個普通的數(shù)據(jù)中心可能會有上千臺服務器，那么一年可以節(jié)省超過20萬度電。

與此同時，對于大規(guī)模數(shù)據(jù)中心而言，冷卻散熱也是一筆重要的支出，當電源的效率提高，意味著同功率下被浪費的電力減少，而被浪費的電力主要以熱能的形式釋放。所以電源效率提高，也有助于降低冷卻部分的能源支出。

從長期運營的角度看，更高效率的電源，比如紅寶石等級的電源可以幫助數(shù)據(jù)中心降低運營成本。

為了降低數(shù)據(jù)中心的能耗，以及應對機架功率不斷提高的挑戰(zhàn)，英偉達甚至在今年COMPUTEX 2025上推出800V HVDC架構，通過使用工業(yè)級整流器，在數(shù)據(jù)中心周邊就將13.8 kV 交流電網(wǎng)輸入直接轉換為800 V HVDC，消除了大多數(shù)中間轉換步驟，更大限度地減少在多個AC/DC和DC/DC轉換期間的能源損失。

不過，這種架構初期投入成本可能也會較高，未來可能只用于超大規(guī)模的數(shù)據(jù)中心。服務器PSU電源依然會是未來數(shù)據(jù)中心的主流選擇。

第三代半導體助力提高服務器電源效率

近幾年，隨著第三代半導體產業(yè)的爆發(fā)增長，相關器件的價格降低，也加速了第三代半導體功率器件進入到更加廣泛的領域。

尤其是對于功率轉換要求越來越高的服務器PSU領域，成為了當前主流SiC/GaN功率器件廠商的重點關注市場。

今年2月，臺達就宣布推出針對AI服務器設計的5500W高功率服務器冗余電源獲得了紅寶石級認證，轉換效率高達97.5%。該電源采用了第三代半導體功率器件，功率因數(shù)校正階段（PFC）采用軟開關技術，在滿載時的功率因數(shù)高達0.99，接近理想值1。

早在2023年，英諾賽科推出了一款2kW的服務器電源方案，功率密度達到76W每立方英寸，采用 InnoGaN 650V 氮化鎵芯片以及圖騰柱無橋 PFC+LLC 結構，峰值效率達到96.5%，目前看來是可以符合紅寶石級要求的。

今年的上海慕展上，英諾賽科還展示了一款4.2KW PSU參考設計，體積僅為185*659*37(mm3)，采用圖騰柱無橋PFC+LLC結構，效率高達96.8%，滿足未來服務器PSU需求。據(jù)稱目前其GaN功率器件產品已經進入到長城、浪潮等電源和服務器大廠的供應鏈。

納微半導體在中國電源學會年會2024上，介紹了一種服務器電源方案，采用GaN HEMT IC+Si MOSFET組合的交錯并聯(lián)圖騰柱PFC，峰值效率能夠達到99.4%，這要遠遠高于紅寶石級最高96.5%的效率要求。在開關管方面，該方案選擇了4顆納微GaN Safe系列的NV6515（650V,32mΩ max）IC，和2顆英飛凌IPT60R040S7 硅MOSFET，并且提供40微亨和200微亨兩種電感規(guī)格，分別為高效率和高功率密度場景設計。

而今年5月的Computex期間，納微半導體還推出了一款專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設計的最新12kW量產電源參考設計。該12kW電源遵循ORv3規(guī)范及開放計算項目（OCP）標準，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型IntelliWeave數(shù)字技術，以及配置于三相交錯TP-PFC和FB-LLC拓撲結構中的高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片，實現(xiàn)最高97.8%的超高效率。

英飛凌此前發(fā)布的數(shù)據(jù)中心電源路線圖上也表示，將推出兩款混合使用硅、GaN、SiC三類晶體管開關以實現(xiàn)100W每英寸立方的高功率密度和97.5%的高轉換效率的服務器電源，采用全數(shù)字控制交錯式無橋圖騰柱PFC搭配全橋GaN LLC電路設計。

小結：

數(shù)據(jù)中心基建隨著AI浪潮持續(xù)擴張，今年以來，從AI數(shù)據(jù)中心上下游廠商，包括算力硬件、PCB、電源、功率等廠商的業(yè)績都能夠看到，AI數(shù)據(jù)中心的需求正在成為半導體產業(yè)的新一輪增長動能。另一方面，數(shù)據(jù)中心的高額電力成本，也帶來了極大的降本增效的需求，而提高能源利用效率，需要更高效的電源拓撲、第三代半導體功率器件等的支撐。