概述
ADuM5020是一款集成isoPower ^?^ 的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。該DC/DC轉(zhuǎn)換器采用ADI公司的iCoupler ^?^ 技術(shù)，能夠提供在全負(fù)載下低于有關(guān)帶鐵氧體的2層印刷電路板(PCB)的CISPR22 B類限制的穩(wěn)壓隔離電源。

ADuM5020在500 mW應(yīng)用中無需設(shè)計(jì)和構(gòu)建隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。iCoupler芯片級(jí)變壓器技術(shù)用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的磁性元件。因此可提供小尺寸、隔離解決方案。

ADuM5020隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器采用16引腳寬體SOIC封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADuM5020 ADuM5028低輻射500mW隔離式DC DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• RS-485/RS-422/CAN收發(fā)器電源
• 電源啟動(dòng)偏置和柵極驅(qū)動(dòng)
• 隔離傳感器接口
• 工業(yè)PLC

特性

• 集成isoPower的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器
• ADuM5020輸出電流：100 mA
• ADuM5028輸出電流：60 mA
• 全負(fù)載下滿足有關(guān)2層PCB的CISPR22 B類輻射限制
• 16引腳SOIC_W封裝，最小爬電距離為7.8 mm
• 8引腳SOIC_IC封裝，最小爬電距離為8.3 mm
• 工作溫度高達(dá)：125°C（最大值）
• 安全和法規(guī)認(rèn)證
• UL認(rèn)證（申請(qǐng)中）
  • 1分鐘3000 V rms，符合UL 1577
• CSA元件驗(yàn)收通知5A（申請(qǐng)中）
• VDE合格證書（申請(qǐng)中）
  • VDE V 0884-10
  • VIORM = 565 V 峰值
  • CQC認(rèn)證符合GB4943.1-2011（待定）

功能框圖

引腳配置描述

典型性能特征

工作原理

ADuM5020/ADuM5028 直流 - 直流轉(zhuǎn)換器的工作原理與大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)電源一致。這些轉(zhuǎn)換器采用分離式控制器架構(gòu)，具備隔離式脈寬調(diào)制（PWM）反饋。VDD 電源為振蕩電路供電，該電路將電流切換至芯片級(jí)氣隙變壓器。傳輸?shù)酱渭?jí)側(cè)的功率經(jīng)整流和調(diào)節(jié)后，輸出為 3.3V 或 5.0V，具體取決于 VSEL 的設(shè)置。需注意，ADuM5020 - 3BRIZ 和 ADuM5028 - 3BRIZ 僅適用于 3.3V 輸入轉(zhuǎn) 3.3V 輸出的應(yīng)用，而 ADuM5020 - 5BRIZ 和 ADuM5028 - 5BRIZ 在 5V 輸入應(yīng)用中性能最佳。次級(jí)（Viso）側(cè)控制器通過生成脈寬調(diào)制控制信號(hào)來調(diào)節(jié)輸出，該信號(hào)通過專用耦合器數(shù)據(jù)通道發(fā)送至初級(jí)（VDDP）側(cè)。脈寬調(diào)制對(duì)振蕩電路進(jìn)行調(diào)制，以控制傳輸?shù)酱渭?jí)側(cè)的功率。反饋能顯著提升功率和效率。

ADuM5020/ADuM5028 集成了帶遲滯特性的欠壓鎖定（UV - LO）功能，作用于初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)輸入引腳以及 VDDP 電源輸入。欠壓鎖定功能可確保轉(zhuǎn)換器不會(huì)因輸入電源噪聲或緩慢的上電斜率而進(jìn)入振蕩狀態(tài)。

應(yīng)用信息

印刷電路板（PCB）布局

ADuM5020 和 ADuM5028 isoPower 集成式直流 - 直流轉(zhuǎn)換器在輸入和輸出電源引腳處需要電源旁路（見圖 21 和圖 22）。在 VDDP 引腳和 GND 引腳之間需要低等效串聯(lián)電阻（ESR）的 0.1 μF 旁路電容，且要盡可能靠近芯片焊盤。需要 0.1 μF 或 0.22 μF 的低 ESR 電容，盡可能靠近 Viso 引腳和 GNDISO 引腳（關(guān)于更多信息，見圖 23 和圖 24 中的 CISO 注釋 ）。isoPower 輸入需要多個(gè)旁路元件，以便有效地旁路電源，同時(shí)設(shè)置輸出電壓并對(duì)片上穩(wěn)壓器進(jìn)行旁路（見圖 21 至圖 26）。

ADuM5020 和 ADuM5028 的電源部分使用 180 MHz 的振蕩頻率，以便通過其芯片級(jí)變壓器高效傳輸功率。需要旁路電容來進(jìn)行多種頻率調(diào)節(jié)。噪聲抑制需要低電感的高頻電容，而紋波抑制和精確調(diào)節(jié)則需要大容值電容。這些電容通常連接到 VDDP 引腳和 GND1 引腳，以及 Viso 引腳和 GNDISO 引腳之間 。為抑制噪聲并降低紋波，至少需要兩個(gè)電容。推薦的電容值為 0.1 μF 和 10 μF 用于 VDDP 引腳。較小的電容必須具有低 ESR 。例如，建議使用陶瓷電容。0.1 μF 低 ESR 電容兩端的總引腳長(zhǎng)度和電源引腳長(zhǎng)度不得超過 2 毫米。

為降低電磁輻射水平，可通過使用 Viso 和 GNDISO 引腳之間的高頻電流的阻抗以及印刷電路板走線連接，來增加抑制電磁干擾（EMI）的能力?？赏ㄟ^在 Viso 和 GNDISO 引腳之間串聯(lián)放置表面貼裝鐵氧體磁珠（如圖 25 和圖 26 所示），來減少電磁輻射源的輻射。在 100 MHz 和 1 GHz 頻率范圍內(nèi)，鐵氧體磁珠的阻抗約為 1.8 kΩ，以減少 180 MHz 初級(jí)開關(guān)頻率和 360 MHz 次級(jí)整流頻率及其諧波的輻射。表面貼裝鐵氧體磁珠示例見表 20。