GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造下一代可量產(chǎn)電源設(shè)計(jì)，可滿足高功率、高密度服務(wù)器機(jī)架的開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）要求

近日，納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì)，可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機(jī)架。

5月21日臺(tái)北國際電腦展Computex期間，納微半導(dǎo)體于臺(tái)北舉辦“AI科技之夜”，正式向全球發(fā)布了這款12kW電源，并向來訪觀眾完整介紹納微AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖、雙向GaNFast氮化鎵開關(guān)和全新的中壓氮化鎵FET產(chǎn)品將如何變革AI數(shù)據(jù)中心能源基建。

該12kW電源遵循ORv3規(guī)范及開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）標(biāo)準(zhǔn)，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型IntelliWeave數(shù)字技術(shù)，以及配置于三相交錯(cuò)TP-PFC和FB-LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的高功率 GaNSafe氮化鎵功率芯片，以極簡元件布局實(shí)現(xiàn)最高效率與性能。

三相交錯(cuò)TP-PFC拓?fù)溆刹捎谩皽喜圯o助平面柵”技術(shù)的第三代快速碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)。依托納微半導(dǎo)體超20年的碳化硅技術(shù)創(chuàng)新積淀，該技術(shù)在全溫域下展現(xiàn)領(lǐng)先性能，支持低溫升運(yùn)行、快速開關(guān)及卓越魯棒性，可為電動(dòng)汽車帶來更快的充電速度或讓AI數(shù)據(jù)中心的功率提升3倍。

納微半導(dǎo)體獨(dú)家的IntelliWeave數(shù)字控制技術(shù)融合臨界導(dǎo)通模式（CrCM）與連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）混合控制策略，覆蓋輕載至滿載的全工況，在保持低元件數(shù)量簡潔設(shè)計(jì)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)效率最大化，相較現(xiàn)有CCM方案的功率損耗降低 30%。

三相交錯(cuò)FB-LLC拓?fù)溆杉{微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe氮化鎵功率芯片驅(qū)動(dòng)，其集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能，使其在高功率應(yīng)用中具備了前所未有的可靠性和魯棒性。作為全球氮化鎵功率芯片的安全巔峰，GaNSafe具有短路保護(hù)（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV HBM ESD保護(hù)、消除負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)并具備可編程的斜率控制。所有這些功能都可通過芯片4個(gè)引腳實(shí)現(xiàn)，使得封裝可以像一個(gè)分離的氮化鎵FET一樣被處理，無需額外的VCC引腳。650V的GaNSafe提供TOLL與TOLT封裝，適用于1kW至22kW的應(yīng)用場(chǎng)景，RDS (ON)典型值范圍為18mΩ至70mΩ。

該電源的尺寸為790×73.5×40mm，輸入電壓范圍180–305VAC，輸出最高電壓為50VDC。當(dāng)輸入電壓高于207VAC時(shí)輸出12kW功率，低于該閾值時(shí)輸出10kW。其配備主動(dòng)均流功能及過流、過壓、欠壓、過熱保護(hù)機(jī)制，可在-5至45℃溫度范圍內(nèi)正常運(yùn)行，12kW負(fù)載下保持時(shí)間達(dá)20ms，浪涌電流為穩(wěn)態(tài)電流3倍（持續(xù)時(shí)間<20ms），采用內(nèi)部風(fēng)扇散熱。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan：“納微半導(dǎo)體的AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)前進(jìn)，僅用時(shí)24個(gè)月便實(shí)現(xiàn)輸出功率從2.7kW到12kW的四倍躍升。強(qiáng)大的供電能力提升對(duì)全球數(shù)據(jù)中心發(fā)展至關(guān)重要，可滿足最新GPU架構(gòu)所帶來的指數(shù)級(jí)功率需求變化。

這款‘專為量產(chǎn)設(shè)計(jì)’的電源參考使客戶能夠快速部署高效、簡潔且具成本優(yōu)勢(shì)的解決方案，從容應(yīng)對(duì)AI與超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的供電挑戰(zhàn)。”

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體擁有超過300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。