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氮化硼導(dǎo)熱絕緣片 | 車(chē)載充電橋OBC應(yīng)用

向欣電子 ? 2025-04-30 18:17 ? 次閱讀
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晟鵬公司研發(fā)的氮化硼導(dǎo)熱絕緣片憑借其高導(dǎo)熱性、耐高壓及輕量化等特性,在電動(dòng)汽車(chē)OBC車(chē)載充電橋IGBT模組中展現(xiàn)出關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值。OBC的熱管理需求:OBC將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為直流電并為電池充電,其核心發(fā)熱源包括:功率半導(dǎo)體器件(如SiC、IGBT):開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生大量熱量。磁性元件(變壓器、電感):銅損和鐵損導(dǎo)致溫升。高密度電路設(shè)計(jì):緊湊空間加劇散熱難度。若散熱不足,會(huì)導(dǎo)致效率下降、器件壽命縮短甚至故障,因此需高效絕緣導(dǎo)熱材料作為熱界面材料。


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一、IGBT模組的熱管理挑戰(zhàn)電動(dòng)汽車(chē)IGBT模組在高壓(通常600-1200V)、高頻(10-20kHz)工況下運(yùn)行時(shí),芯片結(jié)溫可超過(guò)150℃,存在以下挑戰(zhàn):


1.散熱需求高:IGBT芯片的功率密度大,需快速導(dǎo)出熱量以防止性能衰減或失效。


2.絕緣耐壓要求:模組內(nèi)部電壓梯度大,需耐受≥4 kV的擊穿電壓,避免漏電或短路。


3.空間限制:OBC內(nèi)部空間緊湊,要求材料超薄(如0.25-0.38mm)且易安裝。



二、氮化硼導(dǎo)熱絕緣片優(yōu)勢(shì)(如SP035、SP050)


1.高導(dǎo)熱性能:水平X-Y方向?qū)嵯禂?shù)達(dá)15-20 W/(m·K):快速將IGBT芯片熱量傳導(dǎo)至散熱基板,降低結(jié)溫(實(shí)測(cè)可降10-15℃)。垂直Z軸導(dǎo)熱系數(shù)3.5-5 W/(m·K):優(yōu)化熱量在模組堆疊方向的分層傳遞,減少局部熱點(diǎn)。


2.優(yōu)異的電絕緣性耐擊穿電壓>4 kV/mm:適配高壓IGBT模組(如1200V SiC器件),確保電氣隔離安全性。低介電常數(shù)(ε<4):減少高頻工況下的信號(hào)干擾,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。


3.耐高溫與阻燃性工作溫度范圍-50℃~200℃:適應(yīng)OBC頻繁充電使用及高溫環(huán)境,避免材料老化開(kāi)裂。UL 94 V-0阻燃等級(jí):有效抑制熱失控風(fēng)險(xiǎn),符合車(chē)規(guī)級(jí)安全標(biāo)準(zhǔn)。


4.輕量化與結(jié)構(gòu)適配性?超薄設(shè)計(jì)(0.25-0.38mm):適配IGBT模組緊湊封裝(如TO-247、TO-220),減少體積占用。柔韌性?xún)?yōu)異(可彎折>180°):貼合曲面散熱器,降低接觸熱阻30%以上。



氮化硼導(dǎo)熱絕緣片在OBC中的應(yīng)用場(chǎng)景:
1.功率器件散熱:
o作為MOSFET/IGBT與散熱器之間的絕緣墊片,替代傳統(tǒng)硅膠或氧化鋁陶瓷,提升熱傳導(dǎo)效率,降低結(jié)溫。
2.高頻變壓器封裝
o混合于環(huán)氧樹(shù)脂中作為導(dǎo)熱填料,提升變壓器整體散熱能力,同時(shí)保持絕緣性。
3.PCB基板或覆銅板
o用作高頻電路基板材料,兼顧散熱與信號(hào)完整性,減少局部熱點(diǎn)。
4.高壓連接部件絕緣
o在DC-DC模塊中隔離高壓端與低壓端,防止擊穿并導(dǎo)出熱量。


晟鵬科技的氮化硼導(dǎo)熱絕緣片高導(dǎo)熱、耐高壓、輕量化特性,成為電動(dòng)汽車(chē)IGBT模組熱管理的理想選擇,顯著提升了系統(tǒng)效率與可靠性。隨著新能源車(chē)對(duì)熱管理需求的升級(jí),氮化硼材料產(chǎn)品將在國(guó)產(chǎn)替代與技術(shù)迭代中發(fā)揮核心作用。


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