納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。

PCIM是全球功率電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源以及能源管理領(lǐng)域的領(lǐng)先展會(huì)。納微誠(chéng)邀觀眾蒞臨位于9號(hào)館，展位號(hào)544的“納微芯球”展位，了解納微如何通過下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)，對(duì)傳統(tǒng)硅器件進(jìn)行替代，從而實(shí)現(xiàn)Electrify Our World的宏偉使命。

主要的展品及技術(shù)亮點(diǎn)包括：

全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片和高速隔離型IsoFast門極驅(qū)動(dòng)器

二者能使傳統(tǒng)的兩級(jí)架構(gòu)向單級(jí)架構(gòu)躍遷，打造電力電子的全新范式。目標(biāo)應(yīng)用市場(chǎng)包括電動(dòng)汽車充電（車載充電機(jī)OBC和充電樁），太陽能逆變器，儲(chǔ)能和電機(jī)馬達(dá)。

更多細(xì)節(jié)可回顧線上發(fā)布會(huì)：

符合車規(guī)的高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片

均已通過AEC-Q100和AEC-Q101認(rèn)證，可為車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現(xiàn)。為了支撐這一認(rèn)證，納微半導(dǎo)體編制了一份全面的可靠性報(bào)告，該報(bào)告分析了超過7年的生產(chǎn)和實(shí)際應(yīng)用數(shù)據(jù)。報(bào)告展示了公司的業(yè)績(jī)記錄，以及產(chǎn)品在魯棒性和可靠性方面的迭代和系列改進(jìn)，確認(rèn)了氮化鎵功率芯片具備極高的可靠性并且非常適用于汽車領(lǐng)域。

全新的SiCPAK功率模塊

采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，使得熱阻變化量降低五倍，顯著延長(zhǎng)系統(tǒng)使用壽命。經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境，重點(diǎn)確?？煽啃耘c耐高溫性能。目標(biāo)市場(chǎng)包括電動(dòng)汽車直流快充（DCFC）、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器與功率優(yōu)化器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、工業(yè)焊接及感應(yīng)加熱。

專為電機(jī)馬達(dá)打造的GaNSense氮化鎵功率芯片

具備雙向無損電流感應(yīng)、電壓感測(cè)以及溫度保護(hù)功能，與任何分立氮化鎵或分立硅器件所能達(dá)到的性能相比，進(jìn)一步提升了性能和穩(wěn)定性。

符合AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的第三代快速碳化硅MOSFETs

憑借著超20年的碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位，GeneSiC推出全球領(lǐng)先的第三代快速碳化硅功率器件，基于納微專有的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)研發(fā)，為實(shí)現(xiàn)最快的開關(guān)速度、最高的效率和功率密度的增進(jìn)進(jìn)行優(yōu)化，為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動(dòng)汽車充電。

集成之巔，易用至極的GaNSlim氮化鎵功率芯片

全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片，以最高水平的集成度和散熱性能，將進(jìn)一步簡(jiǎn)化并加速小型化、高功率密度應(yīng)用的開發(fā)。目標(biāo)應(yīng)用包括移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦充電器、電視電源以及高達(dá)500W的照明系統(tǒng)。

全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

該方案采用大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分別用于三相LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和三相交錯(cuò)CCM TP-PFC結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)最高效率、性能以及最少的元件數(shù)量，并具備98%的超高整機(jī)效率。

全球功率密度最高的AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

采用納微大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，為最新的AI GPUs打造了體積最小的4.5kW電源，滿足最新AI GPUs每個(gè)機(jī)柜達(dá)3倍的功率增長(zhǎng)需求，可實(shí)現(xiàn)137W/in3的全球最高功率密度以及超過 97% 的效率。

搭載IntelliWeave專利數(shù)字控制技術(shù)的AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

采用了高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合設(shè)計(jì)，PFC的峰值效率高達(dá)99.3%，相較現(xiàn)有方案降低30%的功率損耗。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體擁有超過300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。