ZS826GaN+ZS7606C 高性價(jià)比氮化鎵DMOSGaN 20WPD快充方案推薦+測(cè)試報(bào)告
ZS826GaN+ZS7606C內(nèi)置專用的電流模式脈寬調(diào)制（PWM）控制器與DMOSGaN.高性能.低待機(jī)功率以及經(jīng)濟(jì)高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化.提供全面的保護(hù)覆蓋,包括OCP.OLP.VDD過(guò)壓鉗位和欠壓鎖(UVLO)通過(guò)頻率抖動(dòng)技術(shù)以及圖騰柱柵極驅(qū)動(dòng)輸出處的軟開(kāi)關(guān)控制.將20KHz以下的音頻能量將至最低。最大限度降低工作噪聲。實(shí)現(xiàn)了出色的EMI性能。采用ESOP-7封裝。
以上方案只是本公司其中一款產(chǎn)品。需要樣品或者DEMO的歡迎咨詢和了解。謝謝關(guān)注
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