答案：會(huì)。在PCS（電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)）老化測(cè)試過(guò)程中，由于電力電子器件的高頻開(kāi)關(guān)和電流變化，必然會(huì)產(chǎn)生一定強(qiáng)度的磁場(chǎng)。以下從產(chǎn)生原理、影響因素、測(cè)試場(chǎng)景及防護(hù)措施等角度展開(kāi)分析：

一、磁場(chǎng)產(chǎn)生的核心原理

電流與電磁場(chǎng)的關(guān)系

根據(jù)麥克斯韋方程組，任何電流（尤其是時(shí)變電流）均會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)。

高頻開(kāi)關(guān)器件（如IGBT、SiC MOSFET）在老化測(cè)試中頻繁切換（kHz至MHz級(jí)頻率），導(dǎo)致電流劇烈變化，磁場(chǎng)強(qiáng)度顯著增加。

電路布局與磁通路徑

大電流回路（如直流母線(xiàn)、濾波電感）的布線(xiàn)形狀直接影響磁場(chǎng)分布。例如，未絞合的平行導(dǎo)線(xiàn)會(huì)形成環(huán)形磁場(chǎng)，磁通密度可達(dá)數(shù)十μT至數(shù)mT（毫特斯拉）。

二、影響磁場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)鍵因素

工作狀態(tài)與負(fù)載條件

滿(mǎn)載測(cè)試：電流峰值高（如100A以上），磁場(chǎng)強(qiáng)度隨電流線(xiàn)性增加。

動(dòng)態(tài)負(fù)載切換：模擬電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)，電流突變（如階躍響應(yīng)）會(huì)引發(fā)瞬態(tài)磁場(chǎng)脈沖。

設(shè)備結(jié)構(gòu)與屏蔽設(shè)計(jì)

無(wú)屏蔽措施：開(kāi)放式機(jī)柜或散熱孔可能導(dǎo)致磁場(chǎng)泄漏，局部區(qū)域磁場(chǎng)強(qiáng)度可能超過(guò)1μT（典型環(huán)境本底約為0.05μT）。

金屬屏蔽層：采用鋁制外殼或鐵磁材料可衰減磁場(chǎng)50%-90%，但成本與散熱需權(quán)衡。

三、磁場(chǎng)對(duì)測(cè)試環(huán)境的影響

設(shè)備干擾風(fēng)險(xiǎn)

精密儀器：磁場(chǎng)可能干擾示波器、傳感器等設(shè)備的信號(hào)采集（如霍爾傳感器誤觸發(fā)）。

鄰近電子系統(tǒng)：未隔離的通信線(xiàn)路（RS485、CAN總線(xiàn)）易受磁場(chǎng)耦合噪聲影響，導(dǎo)致誤碼率上升。

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審核編輯 黃宇