UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更穩(wěn)健的版本。

UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 閾值，可實(shí)現(xiàn)可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，現(xiàn)有的 UVLO 閾值可持續(xù)支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。
*附件：用于 Si 和 SiC MOSFET 的 UCCx8C5x 低功耗電流模式高性能 PWM 控制器數(shù)據(jù)表.pdf

VDD 絕對(duì)最大額定電壓從 20V 擴(kuò)展到 30V，以最佳方式驅(qū)動(dòng) 20 V gs、18 V gs 或 15 V gs SiC MOSFET 的柵極，同時(shí)還允許排除外部 LDO。

UCCx8C5x 系列采用 8 引腳 VSSOP （DGK） 和 8 引腳 SOIC （D） 封裝。

特性

• 欠壓鎖定選項(xiàng)，支持 Si 和 SiC MOSFET 應(yīng)用
• 30V VDD 絕對(duì)最大電壓
• 1MHz 最大固定頻率作
• 50μA 啟動(dòng)電流，最大 75μA
• 低工作電流：1.3 mA（f OSC = 52 kHz 時(shí)）
• 快速 35ns 逐周期過(guò)流限制
• ±1A 峰值驅(qū)動(dòng)電流
• 軌到軌輸出
  • 25ns 上升時(shí)間
  • 20 ns 下降時(shí)間
• 精度為 ±1% 的 2.5V 誤差放大器基準(zhǔn)
• 引腳對(duì)引腳兼容，可直接替代 UCCx8C4x
• 功能安全

參數(shù)

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品系列?：UCCx8C5x
• ?應(yīng)用?：適用于 Si 和 SiC MOSFET，用于通用單端 DC-DC 或離線隔離電源轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能逆變器輔助電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及 EV 充電站隔離電源等。
• ?特點(diǎn)?：
  • 支持 Si 和 SiC MOSFET 應(yīng)用的欠壓鎖定（UVLO）選項(xiàng)
  • VDD 絕對(duì)最大電壓為 30 V
  • 最大固定頻率為 1 MHz
  • 啟動(dòng)電流為 50 μA，最大為 75 μA
  • 低工作電流：1.3 mA（在 fOSC = 52 kHz 時(shí)）
  • 35 ns 的逐周期過(guò)流限制
  • ±1 A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流
  • 軌到軌輸出，上升時(shí)間為 25 ns，下降時(shí)間為 20 ns
  • ±1% 精確的 2.5 V 誤差放大器參考電壓
  • 與 UCCx8C4x 針腳兼容，可直接替換
  • 具備功能安全能力

2. 主要規(guī)格

• ?絕對(duì)最大額定值?：
  • 輸入電壓 VDD：30 V
  • 輸入電流 IVDD：30 mA
  • 輸出驅(qū)動(dòng)電流（峰值）：±1 A
  • 輸出能量（電容性負(fù)載）EOUT：5 μJ
  • 模擬輸入電壓 COMP、CS、FB、RT/CT：-0.3 V 至 6.3 V
  • 輸出驅(qū)動(dòng)器電壓 OUT：-0.3 V 至 30 V
  • 參考電壓 VREF：7 V
  • 誤差放大器輸出漏電流 COMP：10 mA
  • 總功耗（D 包裝）：72.3 °C/W，DGK 包裝：98.1 °C/W
• ?推薦工作條件?：
  • VDD 輸入電壓：28 V（對(duì)于 UCC28C56H/L, UCC28C57H/L, UCC28C58/9 為 20 V）
  • 輸出驅(qū)動(dòng)器電壓 VOUT：28 V
  • 平均輸出驅(qū)動(dòng)器電流 IOUT：200 mA
  • 操作結(jié)溫 TJ：UCC28C5x 為 -40 °C 至 125 °C，UCC38C5x 為 0 °C 至 85 °C

3. 功能特性

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：提供六組 UVLO 閾值，適用于不同應(yīng)用場(chǎng)景，如離線應(yīng)用、DC-DC 應(yīng)用和電池應(yīng)用。
• ?內(nèi)部參考電壓?：2.5 V 內(nèi)部參考電壓，初始準(zhǔn)確度為 ±1%（室溫下），全溫度范圍內(nèi)為 ±2%。
• ?電流檢測(cè)和過(guò)流限制?：外部電流感應(yīng)電阻將電流轉(zhuǎn)換為電壓輸入到 CS 引腳，與誤差放大器輸出電壓成比例的信號(hào)進(jìn)行比較，實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)。
• ?振蕩器?：具有修整后的放電電流，可準(zhǔn)確編程最大占空比和死區(qū)時(shí)間。
• ?軟啟動(dòng)?：通過(guò)緩慢增加有效占空比來(lái)逐漸啟動(dòng)轉(zhuǎn)換器。
• ?斜坡補(bǔ)償?：在占空比超過(guò) 50% 時(shí)提供穩(wěn)定性。
• ?電壓模式控制?：可通過(guò)向 CS 引腳輸入鋸齒波信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓模式控制。

4. 封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類(lèi)型?：提供 8 引腳 VSSOP（DGK）和 8 引腳 SOIC（D）兩種封裝選項(xiàng)。
• ?訂購(gòu)信息?：詳細(xì)列出了各種型號(hào)、封裝、環(huán)保計(jì)劃、引腳數(shù)、量產(chǎn)狀態(tài)等信息。

5. 應(yīng)用與實(shí)施

• ?典型應(yīng)用?：提供了離線反激轉(zhuǎn)換器、正向轉(zhuǎn)換器等典型應(yīng)用電路。
• ?設(shè)計(jì)步驟?：包括輸入電容選擇、變壓器匝數(shù)比和最大占空比計(jì)算、變壓器電感和峰值電流計(jì)算、輸出電容選擇、電流感應(yīng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、柵極驅(qū)動(dòng)電阻選擇等。
• ?布局指南?：強(qiáng)調(diào)了布局中對(duì)噪聲敏感元件的放置、旁路電容的放置、反饋跡線的布局等關(guān)鍵要點(diǎn)。

6. 文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：提供了與 UC384x 相關(guān)的文檔鏈接。
• ?支持資源?：包括 TI E2E? 支持論壇、產(chǎn)品文件夾訂閱等。

7. 注意事項(xiàng)

• ? 靜電放電（ESD） ?：提醒在處理集成電路時(shí)需采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施，以防 ESD 損壞。
• ?商標(biāo)?：TI E2E? 是 Texas Instruments 的商標(biāo)。