高性能主機(jī)的“供電生死局”

隨著RTX 40系顯卡、13代酷睿處理器功耗突破600W，傳統(tǒng)MOS器件正面臨前所未有的極限挑戰(zhàn)。某硬件論壇調(diào)研顯示，27%的藍(lán)屏/死機(jī)故障源于供電模塊MOS過熱或瞬態(tài)響應(yīng)失效。在機(jī)箱空間緊縮與散熱壓力倍增的當(dāng)下，以下難題尤為突出：

- 高溫枷鎖：MOS溫升＞100℃觸發(fā)降頻，導(dǎo)致CPU/GPU性能折損高達(dá)15%；

- 瞬態(tài)響應(yīng)危機(jī)：顯卡瞬間功率激增引發(fā)Vcore電壓波動(dòng)＞200mV；

仁懋電子MOS系列（MOT3080D、MOT3136G、MOT3180G等）通過“拓?fù)渲貥?gòu)+封裝革命”，為高性能主機(jī)打造極致供電解決方案。

技術(shù)破局：三大核心戰(zhàn)力重構(gòu)供電標(biāo)準(zhǔn)

1. 超低內(nèi)阻矩陣：導(dǎo)通損耗直降40%

針對(duì)多相并聯(lián)供電的損耗痛點(diǎn)，MOT3180G采用屏蔽柵溝槽工藝+銅柱互聯(lián)技術(shù)：

- RDS(on)低至6.8mΩ@10V，12相供電模塊滿載效率突破94%；

- 支持200A瞬態(tài)電流，RTX 4090超頻瞬間電壓波動(dòng)＜80mV。

2. 納米銀燒結(jié)封裝：熱阻碾壓傳統(tǒng)方案

MOT3080D引入DPAK封裝銀燒結(jié)工藝，顛覆傳統(tǒng)焊接界面：

- 熱阻（Rthjc）僅2.04℃/W，較競(jìng)品降低35%，持續(xù)80A輸出時(shí)結(jié)溫穩(wěn)定在88℃；

- 功率循環(huán)壽命＞50萬次，徹底解決長(zhǎng)期高負(fù)載下的焊點(diǎn)開裂風(fēng)險(xiǎn)。

3. 智能驅(qū)動(dòng)兼容：開關(guān)損耗綜合優(yōu)化

MOT3136G通過Ciss/Qg動(dòng)態(tài)平衡技術(shù)，實(shí)現(xiàn)全負(fù)載域高效切換：

- 輸入電容（Ciss）降至2800pF，驅(qū)動(dòng)損耗（Qg×Rg）較上一代降低28%；

- 支持500kHz高頻開關(guān)，助力數(shù)字PWM控制器精度提升至±0.5%。

場(chǎng)景化產(chǎn)品矩陣

| 型號(hào) | 性能巔峰指標(biāo) | 場(chǎng)景

| MOT3080D | 4mΩ@10V+320A脈沖 | 16相CPU核心供電

| MOT3136G | 高頻開關(guān)+±0.5%精度 | 顯卡Vcore智能供電

| MOT3180G |3.67℃/W熱阻+50萬次壽命 | 小型化ITX電源模塊

黃金選型法則

1. 相數(shù)匹配：每相供電建議負(fù)載≤50A，超頻主機(jī)需預(yù)留20%冗余

2. 散熱優(yōu)先：ITX緊湊機(jī)型首選較低的Rthjc型號(hào)（如MOT3180G）

3. 頻率對(duì)齊：數(shù)字PWM控制器頻率＞300kHz時(shí)，必須選擇Qg較低的器件

當(dāng)電競(jìng)主機(jī)邁入千瓦級(jí)功耗時(shí)代，仁懋MOS以“更冷、更穩(wěn)、更小”的硬核實(shí)力，正在重新定義供電模塊的極限標(biāo)準(zhǔn)。請(qǐng)關(guān)注聯(lián)系銷售，獲取免費(fèi)樣品！