LMG341xR070 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)包括：超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)（可將開關(guān)損耗降低多達(dá) 80%），以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴（可降低 EMI）。這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

*附件：具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN 數(shù)據(jù)表.pdf

LMG341xR070 通過(guò)集成一組獨(dú)特的功能來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅(qū)動(dòng)可實(shí)現(xiàn) 100V/ns 開關(guān)，Vds 振鈴接近于零，<100 ns 電流限制可防止意外擊穿事件，過(guò)熱關(guān)斷可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號(hào)提供自我監(jiān)控功能。

特性

• TI GaN 工藝通過(guò)加速可靠性應(yīng)用內(nèi)硬開關(guān)任務(wù)配置文件認(rèn)證
• 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
  • 優(yōu)于共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
  • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝，易于設(shè)計(jì)和布局
  • 可調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，以實(shí)現(xiàn)開關(guān)性能和 EMI 控制
  • 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號(hào)
  • 僅需 +12 V 非穩(wěn)壓電源
• 集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 零共源電感
  • 20 ns 傳播延遲（MHz 工作）
  • 工藝調(diào)諧的柵極偏置電壓，確?？煽啃?/li>
  • 25 至 100V/ns 用戶可調(diào)轉(zhuǎn)換速率
• 強(qiáng)大的保護(hù)
  • 無(wú)需外部保護(hù)元件
  • 具有 <100ns 響應(yīng)的過(guò)流保護(hù)
  • 150V/ns 轉(zhuǎn)換速率抗擾度
  • 瞬態(tài)過(guò)壓抗擾度
  • 過(guò)熱保護(hù)
  • 所有電源軌上的 UVLO 保護(hù)
• 設(shè)備選項(xiàng)：
  • LMG3410R070 ：鎖存過(guò)流保護(hù)
  • LMG3411R070 ：逐周期過(guò)流保護(hù)

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：LMG341xR070
• ?類型?：600V GaN功率晶體管，集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能
• ?封裝?：QFN 32引腳，8mm x 8mm
• ?應(yīng)用?：高密度工業(yè)和消費(fèi)者電源供應(yīng)、多級(jí)轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源、高壓電池充電器

2. 主要特性

• ?超低輸入和輸出電容?：減少開關(guān)損耗和EMI
• ?零反向恢復(fù)?：降低開關(guān)損耗高達(dá)80%
• ?集成驅(qū)動(dòng)器?：
  • 20ns傳播延遲
  • 可調(diào)斜率控制（25V/ns至100V/ns）
  • 內(nèi)置低電壓鎖定（UVLO）保護(hù)
• ?保護(hù)功能?：
  • 過(guò)流保護(hù)（OCP），響應(yīng)時(shí)間<100ns
  • 過(guò)溫保護(hù)（OTP）
  • 瞬態(tài)過(guò)壓免疫

3. 功能描述

• ?直接驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?：利用集成的驅(qū)動(dòng)器直接控制GaN FET，無(wú)需額外的驅(qū)動(dòng)電路
• ?內(nèi)部降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?：生成負(fù)電壓用于GaN FET的關(guān)斷
• ?內(nèi)部LDO?：提供5V輸出，用于外部數(shù)字隔離器
• ?故障檢測(cè)?：
  • OCP：支持鎖存或逐周期過(guò)流保護(hù)
  • OTP和UVLO：保護(hù)驅(qū)動(dòng)器免受過(guò)熱和欠壓條件影響

4. 電氣特性

• ? 最大漏源電壓（VDS） ?：600V
• ? 最大連續(xù)漏源電流（IDS） ?：
  • Tj = 25°C時(shí)：40A
  • Tj = 100°C時(shí)：30A
• ? 導(dǎo)通電阻（RDS,ON） ?：
  • Tj = 25°C時(shí)：70mΩ
  • Tj = 125°C時(shí)：110mΩ
• ?LDO輸出電壓?：4.7V至5.3V
• ?UVLO閾值?：
  • 開啟閾值（VDD,(ON)）：9.1V
  • 關(guān)閉閾值（VDD,(OFF)）：8.5V

5. 應(yīng)用指南

• ?典型應(yīng)用?：硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）電路
• ?布局建議?：使用四層或更多層PCB，最小化功率環(huán)路電感，保持開關(guān)節(jié)點(diǎn)電容最小化
• ?驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度調(diào)整?：通過(guò)連接RDRV引腳和地之間的電阻來(lái)調(diào)整斜率控制，以優(yōu)化穩(wěn)定性和EMI性能

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：QFN 32引腳
• ?尺寸?：8.00mm x 8.00mm

7. 文檔支持

• 提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)表、應(yīng)用曲線、布局指南、設(shè)計(jì)支持文檔和相關(guān)鏈接

8. 注意事項(xiàng)

• 確保在所有操作條件下不超過(guò)絕對(duì)最大額定值
• 在設(shè)計(jì)高密度電源系統(tǒng)時(shí)，需特別注意熱設(shè)計(jì)和電磁兼容性（EMC）
• 使用推薦的外部元件和布局指南以獲得最佳性能