LMG2650 是一個(gè) 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2650通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。

可編程導(dǎo)通轉(zhuǎn)換速率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電阻器相比，低側(cè)電流檢測(cè)仿真降低了功率耗散，并允許將低側(cè)導(dǎo)熱墊連接到冷卻 PCB 電源接地。
*附件：LMG2650 650V 95 mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動(dòng)器和電流感應(yīng)仿真 數(shù)據(jù)表.pdf

高側(cè) GaN 功率 FET 可通過(guò)低側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 （INH） 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 （GDH） 進(jìn)行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開(kāi)關(guān)環(huán)境中，高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器將 INH 引腳信號(hào)可靠地傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。智能開(kāi)關(guān) GaN 自舉 FET 沒(méi)有二極管正向壓降，避免了對(duì)高側(cè)電源的過(guò)度充電，并且反向恢復(fù)電荷為零。

LMG2650 支持轉(zhuǎn)換器輕載效率要求和突發(fā)模式作，具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間。保護(hù)功能包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 （UVLO）、逐周期電流限制和過(guò)溫關(guān)斷。超低轉(zhuǎn)換速率設(shè)置支持電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

特性

• 650V GaN 功率 FET 半橋
• 95mΩ 低側(cè)和高側(cè) GaN FET
• 集成柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 <100ns 的低傳播延遲
• 可編程導(dǎo)通轉(zhuǎn)換速率控制
• 具有高帶寬和高精度的電流感應(yīng)仿真
• 低側(cè)參考 （INH） 和高側(cè)參考 （GDH） 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳
• 低側(cè) （INL） / 高側(cè) （INH） 柵極驅(qū)動(dòng)聯(lián)鎖
• 高側(cè) （INH） 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器
• 智能開(kāi)關(guān)自舉二極管功能
• 高邊啟動(dòng) ： <8μs
• 低側(cè)/高側(cè)逐周期過(guò)流保護(hù)
• 過(guò)熱保護(hù)
• AUX 空閑靜態(tài)電流：250μA
• AUX 待機(jī)靜態(tài)電流：50μA
• BST 空閑靜態(tài)電流：85μA
• 8x6 mm QFN 封裝，帶雙導(dǎo)熱墊

參數(shù)

方框圖

應(yīng)用
?<400W LLC轉(zhuǎn)換器
?<300W AHB/ACF轉(zhuǎn)換器
?<600W 3-Φ電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器
?<140W CrM圖騰柱PFC