具有寬輸入電壓和輸出電壓范圍的單電池充電器集成電路IC使得能夠在具有不同輸入適配器和電池配置的各種應(yīng)用中使用相同的充電器，從而幫助縮短開發(fā)時間，還能獲得更優(yōu)化的充電體驗。PD快充芯片U8766最高支持220kHz開關(guān)頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。

針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8766集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boost電路啟動工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，當(dāng)輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN (典型值0.4V)時，系統(tǒng)進入打嗝模式工作，停止開關(guān)動作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值0.5V/0.7V)時，PD快充芯片U8766重新開始開關(guān)動作。打嗝模式降低了輕載和待機狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。芯片采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù)，可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值，實現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化。

PD快充芯片U8766封裝類型ESOP-10W，引腳說明如下：

1 HV P 高壓啟動管腳

2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳

3 Source P GaN FET 源極引腳

4 GND P 芯片參考地

5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

7 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測

8 VDD P 芯片供電管腳

9 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

10 NC -

PD快充芯片U8766采用計算輸出電流的方式實現(xiàn)輸出過流保護，實際輸出過流保護值 IOUT_OCP計算關(guān)系如下：

其中NP為變壓器原邊繞組匝數(shù)，NS是變壓器副邊繞組匝數(shù)，RSENSE是采樣電阻阻值，VOCP_REG是過流保護基準值，該參數(shù)根據(jù)DEM腳電壓分檔，實現(xiàn)不同輸出電壓設(shè)置不同過流保護值的功能，滿足快充低壓大電流的應(yīng)用需求！